有机电致发光显示器件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电致发光显示器件和显示装置，该显示器件包括衬底基板，以及沿厚度方向依次设置在衬底基板的第一侧的晶体管电路层和发光器件层，衬底基板的表面上设有压力感测区域；有机电致发光显示器件还包括设置在所述压力感测区域的压敏电阻层；设置在所述压力感测区域的压敏电阻层分别在两个区域边界处连接两个导体结构，以分别形成所述压力感测区域的第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端；所述第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接压力检测电路，以使压力检测电路根据第一压敏电阻的两端的电信号得到压力传感信号。本发明专利技术可以将压力传感器集成在显示器件中，满足3D触控、弯曲检测等多方面的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种有机电致发光显示器件和显示装置。
技术介绍
目前，CMOS-OLED(ComplementaryMetalOxideSemiconductor-OrganicLight-EmittingDiode)显示器件正处于研发阶段，其核心是在采用CMOS工艺在硅衬底上制作OLED显示器件，制作出的CMOS-OLED显示器件具有分辨率高等优点，可以应用于微型器件的显示。出于3D触控、弯曲检测等多方面的应用需求，CMOS-OLED显示器件需要集成压力检测功能。对此，现有技术常见的做法是在制作好的器件的底面或者顶面贴附层状的压力传感器以及保护层，因而会为器件增加一定的厚度。同时，虽然将压力传感器集成至CMOS-OLED显示器件当中将有利于器件厚度的降低，但目前还没有相应的实现方案。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种有机电致发光显示器件和显示装置，可以将压力传感器集成在显示器件中，满足3D触控、弯曲检测等多方面的应用需求。第一方面，本专利技术提供的有机电致发光显示器件包括衬底基板，以及沿厚度方向依次设置在所述衬底基板的第一侧的晶体管电路层和发光器件层，其特征在于，所述衬底基板的表面上设有至少一个压力感测区域；所述有机电致发光显示器件还包括设置在所述至少一个压力感测区域的压敏电阻层；设置在任一所述压力感测区域的压敏电阻层分别在两个区域边界处连接两个导体结构，以分别形成该压力感测区域的第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端；所述第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接压力检测电路，以使所述压力检测电路根据所述第一压敏电阻的两端的电信号得到压力传感信号。可选的，所述衬底基板由半导体材料形成；所述压敏电阻层由所述衬底基板在所述至少一个压力感测区域进行的压敏电阻材料制作工艺而形成。可选的，所述导体结构由对所述衬底基板在对应区域内进行的导体化处理而形成。可选的，所述压敏电阻层还设置在所述衬底基板的表面上的至少一个压力参考区域；所述压力参考区域的至少一侧设有支撑结构；所述支撑结构用于代替所述压力参考区域内的压敏电阻层承担其厚度方向上受到的压力；设置在任一所述压力参考区域的压敏电阻层分别在两个区域边界处连接两个导体结构，以形成该压力参考区域的第二压敏电阻的第一连接端和第二连接端；所述第二压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接所述压力检测电路，以使所述压力检测电路将所述第二压敏电阻的两端的电信号作为基准，根据所述第一压敏电阻的两端的电信号得到压力传感信号。可选的，所述压力感测区域均设置在所述衬底基板的第二侧的表面；所述压力参考区域均设置在所述衬底基板的第一侧的表面。可选的，所述压力感测区域和所述压力参考区域均设置在所述衬底基板的第一侧的表面；所述压敏电阻层与所述晶体管电路层之间还设有绝缘间隔层；所述第一压敏电阻的第一连接端和所述第二压敏电阻的第一连接端均通过所述绝缘间隔层中的过孔连接所述晶体管电路层中用于连接预设偏置电压的导体图形。可选的，所述压力检测电路中的至少部分电路结构的以晶体管电路的形式设置在所述晶体管电路层中；所述第一压敏电阻的第二连接端和所述第二压敏电阻的第二连接端以层间过孔的方式连接至所述晶体管电路层中的压力检测电路。可选的，所述晶体管电路层中的压力检测电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容；其中，所述第一晶体管的栅极连接第一扫描信号，源极和漏极中的一个连接所述第一压敏电阻的第二连接端，另一个连接所述电容的第一端；所述第二晶体管的栅极连接第二扫描信号，源极和漏极中的一个连接所述第二压敏电阻的第二连接端，另一个连接所述电容的第一端；所述第三晶体管的栅极连接所述第二扫描信号，源极和漏极中的一个连接复位偏置电压，另一个连接所述电容的第二端。可选的，所述压力参考区域设置在所述有机电致发光显示器件的有效显示区域之外。第二方面，本专利技术提供的显示装置包括上述任一所述的有机电致发光显示器件。本专利技术提供的有机电致发光显示器件和显示装置中，在衬底基板上具有压力感测区域，基于压力感测区域中的压敏电阻层及与该压敏电阻层中第一压敏电阻连接的压力检测电路，可以根据压力检测电路的输出确定压敏电阻层中第一压敏电阻的阻值变化，进而确定压力感测区域所受到的压力大小，实现压力的检测。由于本专利技术将压敏电阻层集成在显示器件中，因而压敏电阻层可采用与晶体管电路层和发光器件层相同的制作工艺形成，使得器件的厚度较小，器件整体的制作周期也比较短。还有，由于压敏电阻层通过区域边界处的导体结构与压力检测电路连接，相对于三明治结构即在压敏电阻的上表面、下表面引出连接端的方式，可以进一步减小器件的厚度。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征信息和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1示出了根据本专利技术有机电致发光显示器件一实施例的剖面示意图；图2示出了本专利技术有机电致发光显示器件一实施例中压力感测区域、压力参考区域、压力检测电路的一种设置方式示意图；图3示出了本专利技术有机电致发光显示器件一实施例中压力感测区域、压力参考区域、压力检测电路的另一种设置方式示意图；图4示出了本专利技术有机电致发光显示器件一实施例中压力感测区域和压力参考区域的一种设置位置示意图；图5示出了本专利技术有机电致发光显示器件一实施例中第一扫描信号、第二扫描信号、第一节点和第二节点的波形示意图；附图标记：1-衬底基板；2-压力感测区域的压敏电阻层；3-晶体管电路层；31-晶体管电路层中用于连接预设偏置电压的导体图形；4-发光器件层；51、52-压力感测区域的区域边界处的导体结构；6-压力检测电路；7-压力参考区域的压敏电阻层；81、82-压力参考区域的区域边界处的导体结构；9-支撑结构。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术一实施例提供一种有机电致发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示器件，包括衬底基板，以及沿厚度方向依次设置在所述衬底基板的第一侧的晶体管电路层和发光器件层，其特征在于，所述衬底基板的表面上设有至少一个压力感测区域；所述有机电致发光显示器件还包括设置在所述至少一个压力感测区域的压敏电阻层；设置在任一所述压力感测区域的压敏电阻层分别在两个区域边界处连接两个导体结构，以分别形成该压力感测区域的第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端；所述第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接压力检测电路，以使所述压力检测电路根据所述第一压敏电阻的两端的电信号得到压力传感信号。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示器件，包括衬底基板，以及沿厚度方
向依次设置在所述衬底基板的第一侧的晶体管电路层和发光器件层，
其特征在于，所述衬底基板的表面上设有至少一个压力感测区域；所
述有机电致发光显示器件还包括设置在所述至少一个压力感测区域
的压敏电阻层；
设置在任一所述压力感测区域的压敏电阻层分别在两个区域边
界处连接两个导体结构，以分别形成该压力感测区域的第一压敏电阻
的第一连接端和第二连接端；
所述第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接压
力检测电路，以使所述压力检测电路根据所述第一压敏电阻的两端的
电信号得到压力传感信号。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述衬底基板
由半导体材料形成；所述压敏电阻层由所述衬底基板在所述至少一个
压力感测区域进行的压敏电阻材料制作工艺而形成。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述导体结构
由对所述衬底基板在对应区域内进行的导体化处理而形成。
4.根据权利要求1-3任一所述的显示器件，其特征在于，所述
压敏电阻层还设置在所述衬底基板的表面上的至少一个压力参考区
域；所述压力参考区域的至少一侧设有支撑结构；所述支撑结构用于
代替所述压力参考区域内的压敏电阻层承担其厚度方向上受到的压
力；
设置在任一所述压力参考区域的压敏电阻层分别在两个区域边
界处连接两个导体结构，以形成该压力参考区域的第二压敏电阻的第
一连接端和第二连接端；
所述第二压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接所
述压力检测电路，以使所述压力检测电路将所述第二压敏电阻的两端

\t的电信号作为基准，根据所述第一压敏电阻的两端的电信号得到压力
传感信号。
5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁小梁，董学，王海生，陈小川，刘英明，刘伟，王鹏鹏，李昌峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11