透明导电体及透明导电体的制造方法技术

提供具备具有各向同性导电性的使用了金属纳米线的透明导电膜的透明导电体。第一透明导电体为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。第二透明导电体为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透明导电膜的透明导电体，所述中间层含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对关联申请的交叉引用本申请主张日本专利申请2013-240134号(2013年11月20日申请)的优先权，并将该申请的公开全部内容引用于此。
本专利技术涉及一种透明导电体及透明导电体的制造方法。
技术介绍
在设置于显示面板的显示面的透明导电体，进一步地，配置于显示面板的显示面侧的信息输入装置的透明导电体等要求透光性的透明导电体中，在表面的透明导电膜中使用有铟锡氧化物(ITO)那样的金属氧化物。然而，使用了金属氧化物的透明导电膜，由于在真空环境下进行溅射成膜所以制造成本较高，并且由于弯曲或翘曲等变形而容易发生破裂或剥离。因此，正在研究作为可进行涂布成膜或印刷成膜，且对弯曲或翘曲的承受能力也高的透明导电膜的配置有金属纳米线的透明导电膜来代替使用金属氧化物的透明导电膜。这样的透明导电膜也作为不使用作为稀有金属的铟的下一代的透明导电膜而受到关注(例如，参照专利文献1和2以及非专利文献1)。用于制造上述那样的使用了金属纳米线的透明导电膜的适当方法公开于专利文献3中。该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特征在于，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值的比为0.6以上且小于1.5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.20 JP 2013-2401341.一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特
征在于，
所述基材含有光学各向同性材料，
所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值
的比为0.6以上且小于1.5。
2.一种透明导电体，为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透
明导电膜的透明导电体，其特征在于，
所述中间层含有光学各向同性材料，
所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值
的比为0.6以上且小于1.5。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上纯一，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP