一种阻抗匹配层的截断边界制造技术

本发明专利技术公开了一种阻抗匹配层截断边界，有效截断计算区域。三维阻抗匹配层的形状为球面边界，能节省47.64%的计算量，二维阻抗匹配层的形状为圆形边界，能节省21.64%的计算量；设计了截断边界上的阻抗匹配层的参数；设计了阻抗匹配层的网格数目。本发明专利技术经过实例验证能够有效地吸收传播到截断边界上的电磁波。这种阻抗匹配层可用于计算电磁学的时域有限差分方法，但不局限于这种方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于计算电磁学软件
，具体涉及一种求解电磁场问题的截断边界 计算方法，用阻抗匹配原理实现这种方法。
技术介绍
在微波电路、天线设计、目标散射计算和电磁兼容等研究方面，电磁场数值计算得 到了广泛的应用。在计算区域设置截断边界，在边界上加入吸收层，称为吸收边界，使电磁 波在截断边界上被吸收，可以用计算机模拟"微波暗室"的作用。吸收边界是影响电磁场数 值计算精度和效率的重要因素之一。传统吸收边界，均在经典的笛卡尔坐标系下进行处理， 例如：G. Mur (1981年）提出了用插值方法处理的吸收边界、Berenger (1994年）提出分裂 场形式的完全匹配层、Sacks (1995年)和Gedney (1996年)提出各向异性的完全匹配层以 及Chew和Weedon (1994年）提出坐标伸缩形式的完全匹配层等。这些在笛卡尔坐标系下 能起到较好的吸收效果，但是这些关于吸收边界的计算在立方体直角块区域进行截断，因 角区域的处理浪费大量的计算机资源。在专利技术专利201210177288. 0中提出一种关于柱坐 标系处理角区域的方法，但是繁杂的数学推导，几乎难以引入平面电磁波。更重要的是，这 种柱坐标系缺乏笛卡尔坐标系下的全局计算优势。目前尚未出现笛卡尔坐标系下弯曲形状 吸收边界的计算方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种阻抗匹配层实现的截断边界，在笛卡尔坐标系下处理弯曲截断边 界，从而避免计算那些角区域，在实现边界截断的同时，减少计算量，提高计算效率。 本专利技术所采用的技术方案是一种阻抗匹配层的截断边界，其特征在于： 1.阻抗匹配层的形状； 所述的三维阻抗匹配层形状可选择为球面边界。与传统的直角块立方体边界对比，节 省计算量的原理如图1所示：设直角块立方体的形状为正方体，其边长为a，体积为^ = a3， 而本专利技术与之对应的球体，其直径长度为a，体积为对于无限长的物理目标，只考虑垂直于长度截面上的物理变化过程，简化为二维问题。 设直角形计算区域是边长为J的正方形，面积为叉=/，本专利技术与之对应的直径为J的圆，从而节省的面积百分比为2. 在截断边界上，阻抗匹配层的参数设计依据以下原理； 利用光学的增透膜原理，得出阻抗匹配关系导出阻抗匹配层中"2和σ "2的解析表达式为通过上述表达式设计阻抗匹配层的参数，用于计算电磁学的程序中，由此实现在有限 的计算区域达到模拟"微波暗室"吸波材料的效果； 3. 将阻抗匹配层的截断边界用于计算电磁学中的时域有限差分方法； 对于三维问题，仍然使用立方体的网格剖分，将计算区域用球面边界进行截断处理，选 取2 ~ 10个网格做为边界上的阻抗匹配层厚度，沿任一直径的截面如图2所示，利用特征 2中得到的〃2和作为阻抗匹配层的参数，从而模拟电磁波在无界空间的传播。对于二 维问题，则采用正方形网格进行剖分，利用圆形边界来截断计算区域，匹配层网格如图2所 示，采用特征2中的方式处理阻抗匹配层边界，这样就可以实现二维电磁问题的计算。 4.本专利技术用于计算电磁学中的时域有限差分方法，但不局限于这种方法。【附图说明】 图1是球面截断边界与之对应的立方体截断边界的对比图； 图2是在时域有限差分方法下的阻抗匹配层截断边界上的网格分布； 图3是专利技术实施例1在二维的阻抗匹配层截断边界下点源的电磁波传播图； 图4是专利技术实施例2在二维的阻抗匹配层截断边界下的近场目标散射场分布图； 图5是专利技术实施例3在三维阻抗匹配层截断边界下的电偶极子辐射图； 图6是专利技术实施例3在三维的阻抗匹配层截断边界下的电偶极子辐射的误差分析图。【具体实施方式】 本专利技术用于计算电磁学的时域有限差分法中，计算步骤为： 1. 建立求解对象的模型数据和时域有限差分法的基本参数； 在截断边界以内的计算区域为真空状态，分别选择时谐场的点源、平面波和高斯脉冲 做为激励源。计算的区域范围为（In，Jn，Kn) - (Ip，Jp，Kp)，其大小为（Ip - In) X (Jp - Jn) X (Kp_Kn)，空间步长为Λχ，时间步长为Λ?，定义电磁仿真迭代步数； 2. 对电磁场计算的变量进行初始化； 对于二维电磁场的变量以及迭代系数包括：一维平面波的输入变量 为Ein(Istot+l:Iend- 1)和Hin(Istart:Iend- 1);二维电磁场分布的变量分别为 Ez (Imin · Imax，Jmin · Jmax)，Ηχ (Imin · Imax，Jmin · Jmax 1)和 Hx (Imin · Imax 1，Jmin · Jmax); '维区域的 建模数据文件为〇b(I_: 1_，J_: J_);不同媒质的总数为Μ ;二维电磁计算的迭代系数为 FE! (Μ，Μ)，FE2 (Μ，Μ)，FH! (Μ，Μ)和 FH2 (Μ，Μ)，具体表达为所述的三维电磁场的变量及迭代系数包括：三维程序电场变量为艮⑴士-1, Jn:Jp, Kn:Kp), Ey(In:Ip, Jn:Jp- l,Kn:Kp), Ez(In:Ip, Jn:Jp，Kn:Kp-1)和三维程序磁场变 量为 Hx(In:Ip，Jn:Jp-l，K n:Kp-l)，Hy(In:Ip-l，J n:Jp，Kn:Kp-l)，Hz(I n:Ip-l，Jn:Jp-l，Kn:K p);真空状态下，三维电磁计算的迭代系数为FEi = Π?ι = 1，FE2 = FH2 = 0.5 ; 3. 更新在计算区域内的电场强度； 4. 更新电场的激励源； 5. 更新在计算区域内的磁场强度； 6. 根据1中所设定的电磁仿真迭代步数，判断是否满足更新条件。若未达到迭代步 数，返回3 ;反之，跳出判断，记录3中得到的电场强度和步骤5中得到的磁场强度，并作出 相应的处理。 如下给出三个应用实例。 例1.求解二维问题验证阻抗匹配层的吸收效果的设置二维建模文件内容为：计 算的区域范围为（〇，〇) - (300，300)，空间步长为Λχ = = 0.25cm，时间步长为Λ ? =0. 41667ps,整个计算区域为真空状态，其电导率为σ= 〇,磁导率为//。，介电常数为￡·。。 选择时谐场的点源做为激励源，表达式为瓦=sin (2 〇，/。是源的频率，电磁仿真迭 代步数为#= 1050。由此运行程序，结果如图3所示。当点源置于计算区域的中心位置时， 能得到明显的同心圆图。图3 (a)和（b)显示电磁波无反射。当点源置于计算区域的偏心 坐标位置为（70，70)时，结果仍然为同心圆，或者说在计算边界上的反射率极小。需要强 调的是，采用圆形边界，计算效率提高到原来的1. 25倍。 例2.二维无限长导体圆柱的近场散射。计算的区域范围为（0，0) - (250， 250)，空间步长为Δχ = Δ，= 0. 25cm，时间步长为Δ? =〇· 41667ps，导体圆柱位于计算 区域中心，其半径为60 Λχ = 15cm，其它区域均为真空状态。选择时谐平面波源作为激励 源，表达式为瓦表示源的频率，电磁仿真迭代步数为#= 1200。由此 运行程序，得到结果如图4所示。图中能看到截断边界是圆形。图4 (a)和（b)分别是电 场瓦的相位和幅值，其内部的方形是时域有限差分方法中的总场和散射场的连接边界。图 4 (c)和⑷分别给出的是私本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻抗匹配层的截断边界，其特征在于：对于三维问题，所选的边界形状为球形；在解决无限长目标的计算时，采用二维方法，边界形状为圆形；阻抗匹配层具有一定的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宏兴，张玉贤，彭升，王辂，万小凤，邓东民，
申请(专利权)人：天津职业技术师范大学，
类型：发明
国别省市：天津;12