一种改进的异或门逻辑单元电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改进的异或门逻辑单元电路，由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路；PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中，PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联，NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联。第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联，然后和NMOS晶体管N5并联。本实用新型专利技术所使用的晶体管数量为10个，比传统的异或门逻辑单元电路少2个晶体管，通过较少的晶体管实现了异或运算逻辑，减小了面积，降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】所属
本技术涉及集成电路
，更具体的涉及一种改进的异或门逻辑单元电路。
技术介绍
随着集成电路工艺尺寸的不断缩小和设计技术的快速发展，集成电路朝着更大规模、更复杂的趋势发展，功耗已经成为集成电路发展面临的严峻挑战之一。这在移动应用领域显得尤为重要。而为了保证信息安全，对数据进行加密解密运算是必不可少的，这其中经常会用到大量的异或门逻辑单元。传统的异或门逻辑单元主要由12个晶体管组成，包括6个PMOS晶体管和6个匪OS晶体管，如图1所示。这种异或门电路是一种镜像结构，长久以来都是主流的电路结构。但是，随着电路工艺尺寸的缩小和工作频率的提高，它存在着管子数量较多，功耗较大的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服上述传统的异或门单元存在的管子数量较多，功耗较大的问题，提供一种改进的异或门逻辑单元电路结构，有效的解决电路的功耗问题。本技术解决上述问题所采用的技术方案是:减少晶体管的数量，采用两级电路连接来组成异或门电路单元。本技术是通过以下技术方案来实现的:一种改进的异或门逻辑单元电路，由PMOS晶体管Pl、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路；PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中，PMOS晶体管PI和PMOS晶体管P2串联，匪OS晶体管NI和匪OS晶体管N2并联。其中，Pl的源级连接电源VDD，栅极连接输入信号A，漏极与P2的源级短接;P2的栅极连接输入信号B，漏极与NI和N2的漏极短接;NI的栅极连接输入信号A，N2的栅极连接输入信号B，NI和N2的源级共同连接电源地VSS。第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；匪OS晶体管N3和匪OS晶体管N4串联，然后和匪OS晶体管N5并联。其中，P5的源级连接电源VDD，漏极与P3和P4的源级短接，栅极与N5的栅极共同连接到P2的漏极;P3的栅极连接输入信号A，P4的栅极连接输入信号B，N3的栅极连接输入信号A，N4的栅极连接输入信号B;N3的源级与N4的漏极短接，N4和N5的源级共同连接电源地VSS，N3和N5的漏极与P3和P4的漏极短接在一起，并引出电路输出信号Z。因此，本技术所使用的晶体管数量为10个，比传统的异或门逻辑单元电路少2个晶体管。本技术的有益效果是使用了较少的晶体管实现了异或运算逻辑，减小了面积，降低了功耗。【附图说明】图1是传统的异或门电路图。图2是本技术改进的异或门逻辑单元电路图。【具体实施方式】以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。本技术提供了一种改进的异或门逻辑单元电路，采用两级电路连接，实现了异或逻辑。第一级电路由PMOS晶体管Pl、P2和匪OS晶体管N1、N2组成，第二级电路由PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成。第一级电路中，PMOS晶体管PI和PMOS晶体管P2串联，匪OS晶体管NI和匪OS晶体管N2并联。其中，Pl的源级连接电源VDD，栅极连接输入信号A，漏极与P2的源级短接;P2的栅极连接输入信号B，漏极与NI和N2的漏极短接;NI的栅极连接输入信号A，N2的栅极连接输入信号B，N1和N2的源级共同连接电源地GND。事实上，这第一级电路就是一个典型的或非门电路单元。第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；匪OS晶体管N3和匪OS晶体管N4串联，然后和匪OS晶体管N5并联。其中，P5的源级连接电源VDD，漏极与P3和P4的源级短接，栅极与N5的栅极共同连接到P2的漏极;P3的栅极连接输入信号A，P4的栅极连接输入信号B，N3的栅极连接输入信号A，N4的栅极连接输入信号B;N3的源级与N4的漏极短接，N4和N5的源级共同连接电源地GND，N3和N5的漏极与P3和P4的漏极短接在一起，并引出电路输出信号Z。事实上，这第二级电路就是一个典型的与或非电路单元。当输入信号A和输入信号B均为逻辑O时，Pl和P2均导通，NI和N2均截止，第一级电路输出为高电平，使得P5截止，N5导通。所以，N5的漏极输出就为低电平，即输出信号Z为O。当输入信号A和输入信号B均为逻辑I时，Pl和P2均截止，NI和N2均导通，第一级电路输出为低电平，使得P5导通，N5截止。而N3和N4均导通，所以，N3的漏极输出就为低电平，即输出信号Z为O。当输入信号A为逻辑0，输入信号B为逻辑I时，N2导通，N2的漏极输出即第一级电路输出为低电平，使得P5导通，N5截止，而P3此时也导通，这样，P3的漏极输出就为高电平，SP输出信号Z为I。当输入信号A为逻辑1，输入信号B为逻辑O时，NI导通，NI的漏极输出即第一级电路输出为低电平，使得P5导通，N5截止，而P4此时也导通，这样，P4的漏极输出就为高电平，SP输出信号Z为I。从上面分析可以得出结论，就是当输入信号A和输入信号B的逻辑电平相同时，输出信号Z为O;而当输入信号A和输入信号B的逻辑电平不相同时，输出信号Z为I。因此，电路实现了异或逻辑功能。改进的异或门电路相较于传统的异或门电路，由于管子数量减少了2个，管子的电流消耗减小了，电路的综合功耗也就降低了。【主权项】1.一种改进的异或门逻辑单元电路，其特征在于，由两级电路来组成电路单元，包括第一级电路和第二级电路;所述第一级电路的输出端连接第二级电路的输入端； 所述第一级电路中，PMOS晶体管PI和PMOS晶体管P2串联，匪OS晶体管NI和匪OS晶体管N2并联； 所述第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联，然后和NMOS晶体管N5并联。2.根据权利要求1所述的改进的异或门逻辑单元电路，其特征在于:所述第一级电路中，Pl的源级连接电源VDD，栅极连接输入信号A，漏极与P2的源级短接;P2的栅极连接输入信号B，漏极与NI和N2的漏极短接;NI的栅极连接输入信号A，N2的栅极连接输入信号B，N1和N2的源级共同连接电源地VSS。3.根据权利要求1所述的改进的异或门逻辑单元电路，其特征在于;所述第二级电路中P5的源级连接电源VDD，漏极与P3和P4的源级短接，栅极与N5的栅极共同连接到P2的漏极；P3的栅极连接输入信号A，P4的栅极连接输入信号B，N3的栅极连接输入信号A，N4的栅极连接输入信号B;N3的源级与N4的漏极短接，N4和N5的源级共同连接电源地VSS，N3和N5的漏极与P3和P4的漏极短接在一起，并引出电路输出信号Z。【专利摘要】本技术公开了一种改进的异或门逻辑单元电路，由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路；PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中，PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联，NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联。第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联，然后和NMOS晶体管N5并联。本技术所使用的晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进的异或门逻辑单元电路，其特征在于，由两级电路来组成电路单元，包括第一级电路和第二级电路；所述第一级电路的输出端连接第二级电路的输入端；所述第一级电路中，PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2串联，NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2并联；所述第二级电路中，PMOS晶体管P3和PMOS晶体管P4并联，然后和PMOS晶体管P5串联；NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4串联，然后和NMOS晶体管N5并联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙缵，胡银肖，李玮，
申请(专利权)人：武汉芯昌科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42