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一种改进的异或门逻辑单元电路制造技术
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下载一种改进的异或门逻辑单元电路的技术资料
文档序号:13262709
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本实用新型公开了一种改进的异或门逻辑单元电路,由PMOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2组成第一级电路;PMOS晶体管P3、P4、P5和NMOS晶体管N3、N4、N5组成第二级电路。第一级电路中,PMOS晶体管P1和PMOS晶体管...
该专利属于武汉芯昌科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉芯昌科技有限公司授权不得商用。
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