薄膜太阳能电池、半导体薄膜、及半导体形成用涂布液制造技术

本发明专利技术提供能够发挥高光电转换效率的薄膜太阳能电池。另外，其目的在于，提供用于该薄膜太阳能电池的半导体薄膜、及能够以大面积简便地形成该薄膜太阳能电池并能够提高制造稳定性的半导体形成用涂布液。本发明专利技术为具有光电转换层的薄膜太阳能电池，其中，上述光电转换层具有以下部位，所述部位含有元素周期表第15族元素的硫化物和/或硒化物、以及包含选自稀土元素、钛及锌中的1种以上元素的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能够发挥高光电转换效率的薄膜太阳能电池。另外，本发明涉及用于该薄膜太阳能电池的半导体薄膜、及能够以大面积简便地形成该薄膜太阳能电池并能够提高制造稳定性的半导体形成用涂布液。
技术介绍
以往，开发出了将多种包含半导体的薄膜进行层叠、并在该层叠体的两侧设置了电极的光电转换元件。另外，还研究了代替这样的层叠体，而使用将多种半导体进行复合化而成的复合膜。在这样的光电转换元件中，各半导体起到P型半导体或N型半导体的作用，通过光激发而在P型半导体或N型半导体中生成光生载流子(电子-空穴对)，电子在N型半导体中移动、空穴在P型半导体中移动，由此产生电场。作为用于光电转换元件的半导体，受到瞩目的是，硫化锑(Sb2S3)、硫化铋(Bi2S3)、硒化锑等硫化物或硒化物半导体。就硫化锑、硫化铋、硒化锑等硫化物或硒化物半导体而言，其带隙为1.0～2.5eV，在可见光区域显示出高光吸收特性，因而被期望用作光电转换材料。另外，硫化锑、硫化铋、硒化锑等硫化物或硒化物半导体还被期待本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池，其特征在于，其是具有光电转换层的薄膜太阳能电池，其中，所述光电转换层具有下述部位，所述部位含有：元素周期表第15族元素的硫化物和/或硒化物、以及包含选自稀土元素、钛及锌中的1种以上元素的化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.25 JP 2013-198851;2014.04.15 JP 2014-083661.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，其是具有光电转换层的薄膜
太阳能电池，其中，
所述光电转换层具有下述部位，所述部位含有：元素周期表第15族元
素的硫化物和/或硒化物、以及包含选自稀土元素、钛及锌中的1种以上元
素的化合物。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，光电转换层
还具有含有有机半导体的部位。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，光电转
换层表面的基于JISB0601-2001测定的算术平均粗糙度Ra为5nm以上。

【专利技术属性】
技术研发人员：堀木麻由美，伊藤和志，早川明伸，小原峻士，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP