基于外推法的痕量气体极紫外吸收系数测量方法技术

本发明专利技术公开了一种基于外推法的痕量气体极紫外吸收系数测量方法，属于极紫外光刻技术领域。解决了现有技术中低压强下极紫外吸收系数的测量往往需要很长的光程以及很高灵敏度的探测器，造成测量成本高的问题。本发明专利技术的测量方法，先在固定波长下，通过公式-lnT＝σ(λ)PL拟合σ(λ)的值；然后测定气体池中待测痕量气体的实际压强P'，再根据得到的σ(λ)的值和测得的实际压强P'，通过公式μ＝σ(λ)P'计算得到痕量气体的极紫外吸收系数。该测量方法无需通过增大光程和提高探测器灵敏度就实现了低压强下气体极紫外吸收系数的测量，极大地节省了搭建痕量气体极紫外吸收系数测量装置的成本，且应用广泛，不仅适用于纯净气体，对固定组成的混合气体同样适用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于极紫外光刻
，具体涉及一种基于外推法的痕量气体极紫外吸 收系数测量方法。
技术介绍
极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography，EUVL)技术是使用EUV波段，主 要是13.5nm波段，进行光刻的微纳加工技术。目前，EUVL技术已经能够实现7nm线宽的刻蚀 工艺，并具备进一步缩小刻蚀线宽的可能性。这在大规模集成电路制造领域具有重要意义， 能够实现更大密度的元件集成，以及更低的能耗。 极紫外光刻使用波长为10-14nm的光源照明，由于几乎所有已知光学材料在这一 波段都具有强吸收，因此极紫外光刻机需要在真空环境下工作。在极紫外光刻机真空腔体 中，由于元器件放气，真空腔体中不可避免的会存在一些痕量气体，同时在光源腔体中为去 碎片需要充入一些缓冲气体，因此需要研究不同的气体成分对极紫外光的吸收率，从而开 展极高真空极紫外辐照下痕量气体极紫外吸收测试，探索极紫外光刻机中的兼容气体、找 出极紫外光的污染气体组分及配比。 由于极紫外光刻机真空腔体中的痕量气体的分压一般低于l(T5mbar，直接测量如 此低压强下的吸收系数往往需要很长本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于外推法的痕量气体极紫外吸收系数测量方法，其特征在于，步骤如下：步骤一、在固定波长下，通过式(1)拟合σ(λ)的值；‑lnT＝σ(λ)PL   (1)式(1)中，T为气体透过率，P为气体压强，L为气体池长度，σ(λ)为气体单位压强吸收系数；所述固定波长在极紫外波段范围内，所述气体与待测痕量气体的组分相同，所述待测痕量气体为纯净气体或者固定组成的混合气体；步骤二、测定气体池中待测痕量气体的实际压强P'；步骤三、根据步骤一得到的σ(λ)的值和步骤二测得的实际压强P'，通过式(2)计算得到痕量气体的极紫外吸收系数；μ＝σ(λ)P'   (2)式(2)中，μ为待测痕量气体的极紫外吸收系数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：喻波，姚舜，金春水，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22