本发明专利技术公开了一种提高多晶硅电池PECVD工序产能的方法，通过优化镀膜的工艺参数，增加氮化硅膜沉积速率，提高了PECVD工序的产能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种提高多晶娃电池阳CVD工序产能的方法，属于太阳能光伏技术领 域。
技术介绍
面对全球能源危机，太阳能光伏发电技术已经成为半导体行业的新的发展热点。 晶娃太阳能电池制造分为制绒/清洗、扩散、刻蚀/后清洗、PECVD锻膜、丝网印刷、烧结、测试 分选等工序。 对于晶体娃太阳能电池管式PECVD(等离子增强化学气相沉积技术)氮化娃薄膜沉 积技术，采用氨气和硅烷作为等离子反应气体源，采用石墨舟片做为娃片的承载板和射频 电极，常规的PECVD工艺运行一舟需要31min左右，产量较低，随着前道工序产能的提升， PECVD工序成为产能瓶颈，必须通过增加 PECVD机台数来提高产量，由此使得电池制造成本 大幅度上升。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高多晶娃电池 PECVD工序产能的方法，通过优化锻膜 的工艺参数，增加氮化娃膜沉积速率，提高了 PECVD工序的产能。 -种提高多晶娃电池 PECVD工序产能的方法，包括沉积在娃基衬底上包含两层氮 化娃膜。 -种提局多晶娃电池 PECVD工序广能的方法，娃基衬底上沉积的两层氮化娃膜的 第一层厚度为10~20 nm，折射率为2.2~2.3;第二层厚度为60~70 nm，折射率为2.0~2.1。 -种提局多晶娃电池 PECVD工序广能的方法，所述娃基衬底为多晶娃衬底。[000引一种提局多晶娃电池 PECVD工序广能的方法，制备方法包括如下步骤： 1) 将156 X 156娃片进行制绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边，即为娃基衬底； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨舟后，置于管式阳CVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至300~500 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1600~1700 mtor，在炉管内通入气体流量为4200 seem 的氨气、1000 seem的硅烷，在6500~7200W的射频功率，占空比为4/48~5/50下电离160~190 sec，在娃基衬底上沉积第一层厚度为10~20 nm，折射率为2.3~2.4的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为300~500°C，在炉管内通入 气体流量为7200 seem的氨气、800 seem的硅烷，在6500~7200W的射频功率，占空比5/35~5/ 32下电离350~500 see,在第一层氮化娃膜上沉积厚度为60~70 nm，折射率为2.0~2.1的第 二层氮化娃膜。本专利技术的优点为通过对工艺参数进行优化，无需改进设备，提高了阳工序产能。【具体实施方式】 实施例1: 一种提高多晶娃电池 PECVD工序产能的方法，包括如下步骤： 1) 取电阻率为0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片500片，将娃片进行制 绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边，即为娃基衬底； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨舟后，置于管式阳CVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1600 mtor，在炉管内通入气体流量为4200 seem的氨 气、1000 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为4/48下电离190 see,在娃基衬底上 沉积第一层厚度为20 nm，折射率为2.3的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为7200 seem的氨气、680 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为5/35下电 离420 see,在第一层氮化娃膜上沉积厚度为65 nm，折射率为2.04的第二层氮化娃膜。 实施例2: 一种提高多晶娃电池 PECVD工序产能的方法，包括如下步骤： 1) 取电阻率为0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片500片，将娃片进行制 绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边，即为娃基衬底； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨舟后，置于管式阳CVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1700 mtor，在炉管内通入气体流量为4200 seem的氨 气、1000 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为5/50下电离160 see,在娃基衬底上 沉积第一层厚度为20 nm，折射率为2.3的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为7200 seem的氨气、680 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为5/32下电 离390 see,在第一层氮化娃膜上沉积厚度为65 nm，折射率为2.04的第二层氮化娃膜。 对比例； 常规的阳CVD工艺，包括如下步骤： 1) 取电阻率为0.5~3 Q ? cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片500片，将娃片进行制 绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边，即为娃基衬底； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨舟后，置于管式阳CVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1600 mtor，在炉管内通入气体流量为4200 seem的氨 气、1000 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为4/48下电离190 see,在娃基衬底上 沉积第一层厚度为20 nm，折射率为2.3的氮化娃膜； 5)将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为7200 seem的氨气、680 seem的硅烷，在6500 W的射频功率，占空比为4/40下电 离510 see,在第一层氮化娃膜上沉积厚度为65 nm，折射率为2.04的第二层氮化娃膜。 结果对比：从上表的数据可W看出，本专利技术的实施例1和2与对比例比较，产能有较大幅度提升，同 时效率也有明显提高。【主权项】1. 一种提高多晶硅电池 PECVD工序产能的方法，其特征为:包括沉积在硅基衬底上包含 两层氮化硅膜。2. 如权利要求1所述的一种提高多晶硅电池 PECVD工序产能的方法，其特征为:硅基衬 底上沉积的两层氮化硅膜的第一层厚度为10~20 nm，折射率为2.2~2.3;第二层厚度为60~ 70 nm，折射率为2.0~2.1 〇3. 如权利要求1所述的一种提高多晶硅电池 PECVD工序产能的方法，其特征为:所述硅 基衬底为多晶娃衬底。4. 一种提高多晶硅电池 PECVD工序产能的方法，其特征为:制备方法包括如下步骤： 1) 将156X156硅片进行制绒； 2) 将制绒后的硅片进行扩散制备PN结，刻蚀去除磷硅玻璃并刻边，即为硅基衬底； 3) 将清洗后的硅基衬底插入石墨舟后，置于管式PECVD镀膜设备的沉积腔内抽真空，并 升温至300~500 °C; 4) 当PECVD设备真空室真空达到1600~1700 mtor，在炉管内通入气体流量为4200 seem 的氨气、1000 seem的硅烷，在6500~7200W的射频本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高多晶硅电池PECVD工序产能的方法，其特征为：包括沉积在硅基衬底上包含两层氮化硅膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈园，杨晓琴，曹黔晋，黄明，曹江伟，曹雪，
申请(专利权)人：江西展宇新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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