一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法。本发明专利技术的量子点发光二级管中，阳极为凸起曲面结构，而沉积在其上的多个功能层以及阴极同样具有凸起曲面结构，这样整个QLED为曲面状，使得靠近阳极侧的电场线更加集中，电场强度更大，从而提高空穴的注入，进而提高QLED的性能。此外，这种曲面状的QLED由于其出光面积相对平面状QLED更大，且曲面状出光面还能减小光的全反射，因此提高了QLED的光取出效率，同样提高了QLED的性能。以这种曲面状QLED为发光元件的显示器，不仅性能更高，而且还能减小不同视角产生的色差和亮度偏差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良的特点。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，使得现有的空穴传输层与量子点发光层之间的界面存在一个较大的空穴注入势皇，导致空穴注入较为困难，而电子注入则较为容易，从而引起QLED发光层中载流子不平衡，严重限制了QLED器件的性能。因此，提高空穴的注入，平衡发光层中的载流子，对于提高QLED器件的性能尤为关键。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供，旨在解决现有的QLED显示器件发光层中载流子不平衡的问题。本专利技术的技术方案如下: 一种量子点发光二级管，其中，依次包括:衬底、阳极、沉积在阳极上的多个功能层以及阴极;所述多个功能层从内到外依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层； 其中，所述阳极为凸起曲面结构，所述多个功能层以及阴极具有相应的凸起曲面结构。所述的量子点发光二级管，其中，所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底。所述的量子点发光二级管，其中，所述阳极为反射金属电极，所述反射金属电极为Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。所述的量子点发光二级管，其中，所述空穴注入层为PED0T:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种。所述的量子点发光二级管，其中，所述空穴传输层为NPB、TPD、Poly-1TD、TFB、PVK、CBP、TCTA、mCP或它们的混合物。所述的量子点发光二级管，其中，所述量子点发光层为Π-VI族化合物半导体及其核壳结构。所述的量子点发光二级管，其中，所述量子点发光层为m-v或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构。所述的量子点发光二级管，其中，所述电子传输层为Zn0、Ti02、Sn0、Zr02、Ta203、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一种或多种。一种显示器，其中，包括TFT基板、设置于TFT基板上的像素界定层以及依次设置在像素界定层内的阳极、多个功能层以及阴极;所述多个功能层从内到外依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层； 其中，所述阳极为凸起曲面结构，所述多个功能层以及阴极具有相应的凸起曲面结构。—种如上所述的量子点发光二级管的制备方法，其中，包括以下步骤: A、首先在衬底上沉积凸起曲面结构的阳极； B、随后在阳极上蒸镀或者电化学沉积空穴注入层和空穴传输层； C、接着在空穴传输层上电化学沉积量子点发光层； D、最后在量子点发光层上蒸镀或电化学沉积电子传输层，然后溅射阴极。有益效果:本专利技术的量子点发光二级管中，阳极具有凸起曲面，而沉积在其上的多个功能层以及阴极同样具有凸起曲面，这样整个QLED为曲面状，使得靠近阳极侧的电场线更加集中，电场强度更大，从而提高空穴的注入，进而提高QLED的性能。此外，这种曲面状的QLED由于其出光面积相对平面状QLED更大，且曲面状出光面还能减小光的全反射，因此提高了QLED的光取出效率，同样提高了QLED的性能。以这种曲面状QLED为发光元件的显示器，不仅性能更高，而且还能减小不同视角产生的色差和亮度偏差。【附图说明】图1为本专利技术一种量子点发光二级管较佳实施例的结构示意图。图2为现有技术的量子点发光二级管施加电压后的电场线分布图。图3为本专利技术的量子点发光二级管施加电压后的电场线分布图。图4为本专利技术的显示器一个实施例的结构示意图。图5为本专利技术的显示器另一个实施例的结构示意图。图6为本专利技术一种量子点发光二级管的制备方法较佳实施例的流程图。【具体实施方式】本专利技术提供，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术的一种量子点发光二级管，如图1所示，依次包括:衬底100、阳极110、沉积在阳极110上的多个功能层101以及阴极160;所述多个功能层101从内到外依次包括空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140以及电子传输层150; 其中，所述阳极110为凸起曲面结构，所述多个功能层101以及阴极160具有相应的凸起曲面结构。其中的衬底100可以是平面结构(即平面基板)，而整个量子点发光二级管其形状呈曲面状，相对于平面叠层器件结构的QLED，本专利技术的曲面QLED更有利于空穴的注入，如图2所示，平面结构的QLED，当在两端电极施加电压时，电场线(箭头部分)均匀分布在阴极和阳极的两个平面之间，电场在整个器件内均匀分布，因此驱动电子和空穴注入的电场相等，而在本专利技术的这种曲面QLED中，如图3所示，由于两端电极的不对称且器件具有一定的圆弧结构，在阳极110侧的电场线分布相对于阴极160侧更致密，因此QLED的阳极110侧的电场强度相对要比阴极160侧的电场强度要大，因此这种曲面QLED增大了阳极110侧的电场强度，从而增强了 QLED的空穴注入，使得QLED中的空穴与电子更加平衡，从而提高QLED的性能。所述衬底100优选为玻璃衬底或柔性衬底。例如，衬底100可选择硅片、金属、玻璃等刚性载板，此刚性载板可以为玻璃、不锈钢等。衬底100还可采用柔性材料，例如PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PEN(聚苯二甲酸乙二醇酯)等柔性材料，可先将这些柔性材料在刚性载板上预先贴附或成膜。所述阳极110优选为反射金属电极，所述反射金属电极为Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。所述空穴注入层120优选为PEDOT: PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、CuPc(酞菁铜)、F4-TCNQ(2，3，5，6-四氟-7,7’，8，8’_四氰二甲基对苯醌)、HATCN、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2中的一种或多种。所述空穴传输层130优选为NPB^Y 当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光二级管，其特征在于，依次包括：衬底、阳极、沉积在阳极上的多个功能层以及阴极；所述多个功能层从内到外依次包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层；其中，所述阳极为凸起曲面结构，所述多个功能层以及阴极具有相应的凸起曲面结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44