本发明专利技术涉及一种电缆屏蔽结构，从内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为d1的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每两根相邻铜丝之间的间距为l1，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1；所述铜带屏蔽层由厚度为d2，宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带的绕包节距为S2；所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右向，无纺布的绕包节距为S3；其中d1=1.03mm，l1≤4mm，（n-1）×l1+2×d1≤S1≤6D1；d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3≤S2≤b2，d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。本发明专利技术通过优化屏蔽层中铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层的结构，来降低屏蔽抑制系数进而提高屏蔽层的屏蔽效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及电缆，尤其设及一种中压电缆的屏蔽结构。
技术介绍
随着社会的发展，人们的安全意识提高，越来越多的人意识到电磁干扰的危害。尤 其是对于lOkvW上的大截面电力电缆需要进行屏蔽处理，来提高其对抗外界电磁干扰的能 力和防止自身产生的电磁场对周围环境干扰。目前从屏蔽方式可分为铜丝编织屏蔽、铜带 绕包屏蔽、铜丝疏绕屏蔽等。 同时对于大截面（即500mm2W上）电缆，其自身产生的电磁场大，当短路电流超过 一定值时，采用单个铜带绕包的有效截面很难达到铜丝疏绕所能达到的比较大有效截面， 因而铜丝疏绕的屏蔽效果比较好，其特点是铜丝屏蔽发生短路电流的流经路途短，发出热 量少。 而根据GB/T12706-2008额定电压化V到35kV电缆的标准规定，铜带屏蔽方式中的 铜带平均搭盖率不小于铜带宽度的15%(标称值），最小值不小于5%。单忍电缆的铜带厚度> 0.12mm，多忍电缆的平均厚度> 0.10mm，铜带最小厚度不小于标称值的90%。铜丝屏蔽由疏 绕的软铜线组成，其表面应由反向绕包的铜丝或铜带扎紧，相邻铜丝的平均间隙应不大于 4mm。但是国家只有对相邻铜丝间隙的限定，对于铜丝疏绕结构并未做出相应的要求，也没 有任何单位对铜丝疏绕和铜带绕包之间结构相应的规定。 中国专利技术专利CN201110061137.4公布了一种高溫超导电缆的屏蔽层材料及其编 织方法，该材料结构为铜网形式，其中每股铜丝由3-12根直径为O.lmm-0.5mm的铜丝并成， 铜丝按照30° -60°的夹角编织，编织密度为35%-85%。编织方法是:先将铜丝按照3-12根并成 一股，收在线盘上;在高溫超导电缆主绝缘的外面将成股的铜丝按照一定的角度编织。本发 明是针对热绝缘超导电缆，其屏蔽层材料为编织铜网结构，屏蔽抑制系数R=〇.03-0.06,其 通电电流500AW下。 而《大众用电》在2010年5月5日发表的"屏蔽型电缆的屏蔽抑制系数"介绍到屏蔽 电缆的屏蔽抑制系数R越小，表明电缆线忍所禪合的暂态电压值越小，电缆的屏蔽效果越 好。因而如何通过合理的屏蔽结构布置来降低屏蔽抑制系数一直人们所要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种屏蔽抑制系数低，屏蔽效果好的中压电缆 屏蔽结构。[000引本专利技术所述的一种电缆屏蔽结构，所述屏蔽结构包括Ξ层构成，从内到外依次设 置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，其特征在于， 所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为dl的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每 两根相邻铜丝之间的间距为11，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1; 所述铜带屏蔽层由厚度为d2,宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带 的绕包节距为S2; 所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右 向，无纺布的绕包节距为S3; 其中dl=1.03mm，ll <4mm，（n-l)Xll巧Xdl <S1 <抓1; d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3 < S2 < b2， d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。 作为本专利技术的优选方案，本专利技术提供的一种中压电缆的屏蔽结构，所述中压电缆 为26/35/40kv交联聚乙締绝缘电力电缆，其规格:忍数X截面(mm2)为1X500,其导线结构： 根数/单径(n/mm)为61/3.20,屏蔽前外径(mm)为51.3。 作为本专利技术的优选方案，本专利技术提供的一种中压电缆的屏蔽结构，所述铜丝疏绕 层由根数为60,直径为1.03mm的铜丝疏绕而成，所述疏绕外径为53.4mm，每两根相邻铜丝之 间的间距为2.3mm，且所述铜丝的疏绕节距为213.6mm。 作为本专利技术的优选方案，本专利技术提供的一种中压电缆的屏蔽结构，所述中压电缆 为26/35/40kv交联聚乙締绝缘电力电缆，其规格:忍数X截面(mm2)为1X630,其导线结构： 根数/单径(n/mm)为61/3.65,屏蔽前外径(mm)为54.9。 作为本专利技术的优选方案，本专利技术提供的一种中压电缆的屏蔽结构，所述铜丝疏绕 层由根数为64,直径为1.03mm的铜丝疏绕而成，所述疏绕外径为57.0mm，每两根相邻铜丝之 间的间距为3.1mm，且所述铜丝的疏绕节距为247.9mm。 作为本专利技术的优选方法，本专利技术提供的一种中压电缆的屏蔽结构，所述铜带的绕 包节距为30mm。 本专利技术的有益效果为 1、 该电缆屏蔽结构采用Ξ层结构，依次为铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，通 过铜丝疏绕层和铜带绕包层的结合来降低屏蔽抑制系数，从而起到提高屏蔽效果的作用， 同事在外部增加无纺布绕包层来防止铜带边缘割裂或者勒进绝缘，使得绝缘层损伤而导致 电缆被击穿； 2、 通过对铜丝疏绕节距的限制，来合理的布置铜丝疏绕的结构，进一步降低屏蔽抑制 系数，提高屏蔽效果； 3、 通过对铜带绕包节距的限制，在成本合理的前提下，提高铜带绕包的重叠率从而提 高了铜带屏蔽截面的面积，提高屏蔽效果； 4、 通过对铜丝疏绕、铜带绕包、无纺布绕包方向的限制，来提高屏蔽层中有效的屏蔽截 面面积，进而提升屏蔽效果； 5、 通过对无纺布绕包节距的限制，提高了无纺布绕包对屏蔽层的保护同时，还降低了 无纺布使用的量。【附图说明】 下面结合附图对本专利技术优选实施方式进行详细或者优选地描述，其中， 图1为本专利技术提供的一种中压电缆屏蔽结构的横截面示意图； 图2为本专利技术提供的一种中压电缆屏蔽结构中铜丝疏绕结构的示意图。【具体实施方式】参考附图，本专利技术提供的一种中压电缆屏蔽结构，所述屏蔽结构包括Ξ层构成，从 内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层， 所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为dl的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每 两根相邻铜丝之间的间距为11，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1; 所述铜带屏蔽层由厚度为d2,宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带 的绕包节距为S2; 所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右 向，无纺布的绕包节距为S3; 其中dl=1.03mm，ll <4mm，（n-l)Xll巧Xdl<Sl <抓1; d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3 < S2 < b2， d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。实施例1 一种中压电缆屏蔽结构，所述中压电缆为26/35/40kv交联聚乙締绝缘电力电缆，其规 格:忍数X截面(mm2)为1 X 500，其导线结构:根数/单径(n/mm)为61/3.20，屏蔽前外径(mm) 为51.3。所述屏蔽结构包括Ξ层构成，从内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺 布绕包层； 所述铜丝疏绕层由根数为60,直径为1.03mm的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向， 所述疏绕外径为53.4mm，每两根相邻铜丝之间的间距为2.3mm，且所述铜丝的疏绕节距为 213.6mm。 所述铜带屏蔽层由厚度为0.1mm，宽度为40mm的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为 左向，所述铜带屏蔽外径为53.6mm，所述铜带的绕包节距为30mm。 所述无纺布是由1层厚度为0.本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电缆屏蔽结构，所述屏蔽结构包括三层构成，从内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，其特征在于， 所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为d1的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每两根相邻铜丝之间的间距为l1，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1；所述铜带屏蔽层由厚度为d2，宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带的绕包节距为S2； 所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右向，无纺布的绕包节距为S3； 其中d1=1.03mm，l1≤4mm，（n‑1）×l1+2×d1≤S1≤6D1； d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3≤S2≤b2， d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠清，姚伟清，胡惠明，
申请(专利权)人：浙江五丰电缆有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。