数据存储方法及固态硬盘技术

本发明专利技术实施例提供一种数据存储方法及固态硬盘。本发明专利技术数据存储方法包括：接收写请求，该写请求包括待写入数据和地址；根据该地址确定目标闪存页的类型，其中，该目标闪存页为该固态硬盘中存储该待写入数据的闪存页；根据确定的该目标闪存页的类型及该待写入数据，计算该目标闪存页的比特错误率BER；根据该目标闪存页的BER和预设的该目标闪存页的BER与步幅电压对应关系确定写入该待写入数据的步幅电压；其中，该步幅电压是根据固态硬盘的ECC纠错能力所确定的；根据该步幅电压将该待写入数据写入该目标闪存页。本发明专利技术实施例可有效减小该闪存页实际所产生的BER与ECC纠错能力之间的差距，使得ECC纠错能力得到充分的利用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及数据存储技术，尤其涉及一种数据存储方法及固态硬盘。
技术介绍
固态硬盘（Solid state Disk,简称SSD)作为最常用的存储数据的载体，多采 用闪存作为存储介质。闪存通过内部用于存储数据的最小粒度单元，即存储单元呈现的 电压在不同电压范围存储不同数据。向闪存中写入数据，实际是采用步幅递增脉冲编程 (Incremental St巧Pulse Programming,简称ISP巧方式对闪存所包括的存储单元施加脉 冲电压进行充电，W使得存储单元的电压在待写入数据对应的电压范围内。该ISPP方式实 际是在施加脉冲电压时，通过施加多个步幅电压的方式实现。若增加步幅电压，虽可提高编 程速度，减少存储单元的充电时间即数据的写入时间。但步幅电压过大，会使得每次施加至 存储单元的电子数过多，从而使得存储单元产生的比特错误率度it Error Rate,简称BER) 也越大。由于写入不同数据对应的电压范围不同，郝么其所需步幅电压也不同，写入不同数 据产生的闪存页的邸R也不同。 闪存通常包括多个闪存页，而每个闪存页包括多个存储单元和兀余单元。其中，存 储单元用于存储写入数据，兀余单元用于存储对可对发生的其纠错能力下的比特错误进行 修正的错误纠正码巧rror Correction Code,简称ECC)。该ECC可W为在将待写入数据写 入存储单元之前，通过预设的该SSD所对应的编码方式该待写入数据进行编码所产生的效 验码。 对于一个SSD，具有一种编码方式，而该编码方式则决定编码后获得的ECC的纠错 能力。也就是说，SSD内部，所有闪存页具有相同纠错能力的ECC。然而，实际应用中，写入 每个闪存页的数据可能不同，郝么写入该不同数据所产生的邸R也不同。送使得某些闪存 页的ECC纠错能力远远大于实际产生的BER，其ECC的纠错能力得不到充分利用。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种数据存储方法及固态硬盘，W解决现有技术中ECC纠错能 力得不到充分利用的问题。 第一方面，本专利技术实施例提供一种数据存储方法，所述方法应用于固态硬盘中，所 述方法包括： 接收写请求，所述写请求包括待写入数据和地址； 根据所述地址确定目标闪存页的类型；其中，所述目标闪存页为所述固态硬盘中 存储所述待写入数据的闪存页； 根据确定的所述目标闪存页的类型及所述待写入数据，计算所述目标闪存页的比 特错误率BER ; 根据所述目标闪存页的B邸和预设的所述目标闪存页的邸R与步幅电压对应关系 确定写入所述待写入数据的步幅电压；其中，所述步幅电压是根据所述固态硬盘的错误纠 正码ECC纠错能力所确定的； 根据所述步幅电压将所述待写入数据写入所述目标闪存页。 根据第一方面，在第一方面的第一种可能实现的方式中，所述根据所述目标闪存 页的类型及所述待写入数据，计算所述目标闪存页的BER，包括： 根据所述目标闪存页的类型和所述待写入数据，采用所述目标闪存页的类型对应 的邸R计算方式，计算所述目标闪存页的BER。 根据第一方面的第一种可能实现的方式，在第二种可能实现的方式中，若所述目 标闪存页为最高有效比特位MSB页，所述BER计算方式为：[001 引 Bmsb 二 其中，所述Bmsb为MSB页的BER ;所述P。。为所述待写入数据中00所占的比例；所 述Pi。为所述待写入数据中10所占的比例；所述为预设的写入00发生左偏错误的邸R ; 所述1?*为预设的写入10发生右偏错误的邸R。 根据第一方面的第一种可能实现的方式，在第H种可能实现的方式中，若所述目 标闪存页为最低有效比特位LSB页，所述邸R计算方式为：[001引 馬班3巧1X蝶+巧。:x端+? X靖+&:1 X靖I ; 其中，所述为LSB页的BER;所述P。为所述待写入数据中11所占的比例；所述 Pi。为所述待写入数据中10所占的比例；所述P。。为所述待写入数据中00所占的比例；所述 Pm为所述待写入数据中Ol所占的比例；所述:为预设的写入11发生右偏错误的BER ;所 述岛[0为预设的写入10发生左偏错误的邸R ;所述B若为预设的写入00发送右偏错误的邸R ; 所述为预设的写入Ol发生左偏错误的邸R。 根据第一方面至第一方面的第H种可能实现的方式中任意一种，在第四种可能实 现的方式中，所述根据所述目标闪存页的邸R和预设的所述目标闪存页的邸R与步幅电压 的对应关系确定写入所述待写入数据的步幅电压，包括：[002。 根据所述目标闪存页的邸R和邸R步幅电压对应表确定写入所述待写入数据的步 幅电压；其中，所述邸R步幅电压对应表包括；所述目标闪存页的邸R与步幅电压的对应关 系。 第二方面，本专利技术实施例提供一种固态硬盘，包括：控制器及存储器；其中，所述 存储器包括；至少一个闪存页；所述控制器与所述存储器中的所述至少一个闪存页连接； 所述控制器，用于接收写请求，所述写请求包括待写入数据和地址，根据所述地址 确定目标闪存页的类型，根据确定的所述目标闪存页的类型及所述待写入数据计算所述目 标闪存页的BER，根据所述目标闪存页的邸R和预设的所述目标闪存页的邸R与步幅电压对 应关系确定写入所述待写入数据的步幅电压，并根据所述步幅电压将所述待写入数据写入 所述目标闪存页；其中，所述目标闪存页为所述固态硬盘中存储所述待写入数据的闪存页； 所述步幅电压是根据所述固态硬盘的ECC纠错能力所确定的； 所述存储器，用于存储所述待写入数据。 根据第二方面，在第二方面的第一种可能实现的方式中，所述控制器，还用于根据 所述目标闪存页的类型和所述待写入数据，采用所述目标闪存页的类型对应的BER计算方 式，计算所述目标闪存页的BER。 根据第二方面的第一种可能实现的方式，在第二种可能实现的方式中，若所述目 标闪存页为MSB页，所述邸R计算方式为： Bmsb 二 Au X B告 + Pio X ;[002引其中，所述Bmsb为MSB页的邸R ;所述P。。为所述待写入数据中00所占的比例；所 述Pi。为所述待写入数据中10所占的比例；所述哗为预设的写入00发生左偏错误的邸R ; 所述Bif为预设的写入10发生右偏错误的邸R。 根据第二方面的第一种可能实现的方式，在第H种可能实现的方式中，若所述目 标闪存页为LSB页，所述邸R计算方式为： Blsb=P,, 巧。XB>P。。XB^e+P。, X巧；其中，所述Blsb为LSB页的邸R ;所述Pu为所述待写入数据中11所占的比例；所 述Pi。为所述待写入数据中10所占的比例；所述P。。为所述待写入数据中00所占的比例；所 述Pei为所述待写入数据中Ol所占的比例；所述巧_1为预设的写入11发生右偏错误的BER ; 所达为预设的写入10发生左偏错误的BER ;所述为预设的写入00发送右偏错误的 邸R ;所述为预设的写入Ol发生左偏错误的邸R。 根据第二方面至第二方面的第H种可能实现的方式中任意一种，在第四种可能实 现的方式中，所述控制器，具体用于根据所述目标闪存页的邸R和邸R步幅电压对应表确定 写入所述待写入数据的步幅电压；其中，所述BER步幅电压对应表包括：所述目标闪存页的 B邸与步帖电压的对应关系。 本专利技术实施例的数据存储方法及固态硬盘，可根据写请求中的地址本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据存储方法，所述方法应用于固态硬盘中，其特征在于，包括：接收写请求，所述写请求包括待写入数据和地址；根据所述地址确定目标闪存页的类型，其中，所述目标闪存页为所述固态硬盘中存储所述待写入数据的闪存页；根据确定的所述目标闪存页的类型及所述待写入数据，计算所述目标闪存页的比特错误率BER；根据所述目标闪存页的BER和预设的所述目标闪存页的BER与步幅电压的对应关系确定写入所述待写入数据的步幅电压；其中，所述步幅电压是根据所述固态硬盘的错误纠正码ECC纠错能力所确定的；根据所述步幅电压将所述待写入数据写入所述目标闪存页。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石亮，沙行勉，朱冠宇，王元钢，高聪明，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44