【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往，在半导体设备的制造和形成有硬质皮膜的夹具的制造等中使用成膜工艺。 这些成膜工艺中使用的夹具上会附着成模的材料。该附着物有可能导致制品特性的劣化 等，因此需要定期地除去附着物。例如，半导体设备的制造工艺中使用的成膜装置具备：载 置作为被处理材料的晶片的托盘、将被处理材料保持在托盘上的规定的位置的基座、以及 与基座相对地设置且用于控制腔室内的气流的相对板等夹具。这些夹具是考虑到温度和环 境等使用条件而形成的。例如，托盘是由SiC或在表面涂覆了 SiC的碳形成，基座是由碳形 成，相对板是由石英玻璃形成。 作为附着于这种夹具的附着物的除去方法，专利文献1中公开了通过将半导体制 造装置用的碳化硅制夹具在10体积％以上的硝酸盐酸水溶液或氢氟酸硝酸水溶液中浸渍 30分钟以上来溶解除去附着物的方法。此外，作为除去硬质皮膜的方法，专利文献2中公开 了通过对形成了 TiN和TiCN等硬质皮膜的处理对象表面喷射比硬质皮膜硬的磨粒的喷砂 加工来除去硬质皮膜的方法。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平8-78375号公报 专利文...
【技术保护点】
一种附着物除去方法，是将成膜工艺中附着于夹具的附着物从所述夹具除去的附着物除去方法，其特征在于，包括：准备喷射材料，其中，所述喷射材料包含具有弹性的核和由硬质粒子构成的研磨材料且在所述核的表面使所述研磨材料粘合而成；对所述夹具的表面从倾斜方向喷射所述喷射材料；在所述喷射材料与所述夹具的所述表面碰撞时，所述核发生弹性变形，使所述研磨材料在所述夹具的所述表面沿面方向位移，从而除去附着物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：清水千博，涩谷纪仁，
申请(专利权)人：新东工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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