ITO基板及制备方法、OLED器件及制备方法技术

本发明专利技术适用于显示技术领域，提供了一种ITO基板及制备方法、OLED器件及其制备方法。所述ITO基板包括基板和沉积在所述基板上的ITO，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。所述ITO基板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，并在所述基板上沉积ITO薄膜；在所述ITO薄膜上沉积光刻胶层，所述光刻胶层为负性光刻胶；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影处理，得到侧壁下缘形成弧形的图案化光刻胶层，且所述图案化光刻胶的下表面小于上表面；对所述图案化光刻胶层下的所述ITO薄膜进行刻蚀处理形成ITO图案；进行去胶处理去除所述图案化光刻胶层，得到ITO基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，尤其涉及一种ITO基板及制备方法、OLED器件及制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，0LED)具有超轻薄、主动发光、功耗低、响应速度快等优点，目前基于OLED的显示器已经走向了市场。在有机全彩色显示屏领域，国内外研发与生产公司基本采用真空蒸镀和印刷技术制备显示屏，这是当前国际主流的发展技术。小分子的真空蒸镀技术比较成熟，目前已经实现产业化，并有中小尺寸的全彩色显示屏批量推出，应用在MP3、MP4、手机及小尺寸电视机等电子设备领域。但是，该技术设备投资和维护费用高昂、材料浪费严重，难以实现大面积，且成本居高不下，面对残酷的市场环境，难以形成竞争优势。印刷技术被认为是解决OLED高成本和实现大面积的有效途径，具有广阔的发展前景，这种技术可结合液体功能性材料和先进的印刷设备来制作OLED显示屏，可提高材料的利用率和生产效率，降低制造成本，提高产能。典型的喷墨印刷设备有好几个印刷头，分别用于打印不同颜色的聚合物发光材料，每一个都带有数个微型喷嘴，把红、绿、蓝发光材料溶液分别精确地沉积在ITO玻璃基板的隔离柱槽中，溶剂挥发后形成纳米薄层(厚度在I OOnm左右)，构成发光像素。采用印刷工艺开发全彩色显示屏省去了真空蒸镀这一环节，工艺简单，设备投资额节省60%以上，材料节省90%以上。因此，如果该技术能够成为现实，对整个有机发光领域的发展将起到极大的推动作用，更是平板显示技术上的一次革命。ITO由于其优良的导电性、透光性及较高的硬度，非常适合作为电极材料。因此OLED器件一般都使用ITO作为阳极电极，并采用目前已经非常成熟的光刻技术来制作ITO电极图案。如图1(a)所示(图1中，1Γ-14’依次表示基板、ΙΤ0、墨水材料层和隔离柱)，由于OLED显示是以电流驱动的，而通过光刻工艺完成的ITO电极边缘都比较尖锐(如图1 (a)中121’标示处)，这样会形成尖端电流异常，使得在后续喷墨打印工艺沉积其它膜层时，很容易造成尖端放电，这对OLED器件是致命的，而且也会对显示效果造成影响。因此必须消除ITO边缘的尖端放电带来的影响。目前业界消除ITO边缘尖端放电主要采用的方法是，在镀制ITO膜层后，再在其上表面边缘部分制备一层绝缘的隔离柱(Bank)，将ITO膜层边缘的尖端与其上喷墨打印的材料分割开来，如图1(b)所示(其中，15’为隔离柱)。这虽然解决了 ITO电极边缘尖端放电的问题，但是在进行喷墨打印后，其形成的膜层边缘就会在ITO电极和Bank的边缘部分出现三点接触形成接触点(Weak Point)，如图1 (b)中的122 ’标示处。而所述接触点会在OLED器件中形成漏电流路径，严重影响OLED器件的均匀性与可靠性，同时也会对OLED器件的性能造成破坏。因此针对这一问题，有人提出在ITO电极上表面边缘部分增加一层无机绝缘层(如图1(c)中123’标示处)来消除这个接触点、以用于消除漏电流的路径。由此得到的OLED器件具有双层Bank，这样不仅额外增加了一层无机层Bank的制备工艺，使得OLED器件的制备工艺更加复杂、成本增加；同时也会对OLED器件的均匀性造成影响，降低了 OLED器件制备的良率，不利于OLED器件的市场化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种ITO基板，旨在解决现有ITO电极产生的上述一系列问题，具体的，包括由于边缘尖锐引发ITO边缘尖端放电、影响显示器件性能的问题，以及为了消除ITO边缘尖端放电需在ITO上表面边缘部分设置绝缘隔离柱，导致ITO电极和隔离柱的边缘部分形成接触点、从而影响显示器件性能的问题，以及为了消除ITO边缘尖端放电和因制备一层绝缘隔离柱后造成三点接触形成漏电流路径而需设置双层Bank导致工艺复杂、成本增加，且影响显示器件性能的问题。本专利技术的另一目的在于提供一种ITO基板的制备方法。本专利技术的再一目的在于提供一种包括上述ITO基板的OLED器件。本专利技术的又一目的在于提供一种包括上述ITO基板的OLED器件的制备方法。本专利技术是这样实现的，一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板上的ΙΤ0，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。相应的，一种ITO基板的制备方法，包括以下步骤:提供一基板，并在所述基板上沉积ITO薄膜；在所述ITO薄膜上沉积光刻胶层；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影处理，得到侧壁下缘形成弧形的图案化光刻胶层，且所述图案化光刻胶的下表面小于上表面，其中，所述曝光处理的时间为20-30S;所述显影处理的时间为80-100s;对所述图案化光刻胶层下的所述ITO薄膜进行刻蚀处理形成ITO图案，其中，所述刻蚀处理的时间为40-70s ；进行去胶处理去除所述图案化光刻胶层，得到ITO基板。以及，一种OLED器件，包括上述ITO基板、设置在未被所述ITO覆盖的所述基板上的隔离柱、和依次设置在所述ITO上的有机发光层和阴极。相应的，一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤:提供按权利要求2-6任一所述方法制备的ITO基板；在所述ITO基板上沉积有机薄膜层，对所述有机薄膜层覆盖所述ITO的区域进行光刻处理，得到隔离柱；在所述ITO上印刷制备有机发光层；在所述有机发光层制备阴极。本专利技术提供的ITO基板，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面，避免了所述ITO形成垂直边角。本专利技术提供的ITO基板，一方面，在喷墨打印其他材料时，消除了 ITO电极垂直边缘的尖端放电，提高了使用所述ITO基板制备的显示器件的性能；另一方面，使用所述ITO基板制备OLED器件时，不需要额外在电极和隔离柱接触部位设置一层无机绝缘层Bank，从而简化了生产工艺、降低了成本，且所述ITO基板对OLED器件的均匀性没有影响；此外，所述ITO基板可与现有溶液加工法兼容制备0LED，从而很好的保证了 OLED器件的显示效果。本专利技术提供的ITO基板的制备方法，利用曝光时产生的内邻近效应引起的曝光不足、对光刻胶进行过显影使光刻胶侧壁下边缘变得平滑，进而对所述ITO薄膜进行轻度刻蚀处理，使得所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。从而使得所述ITO基板在不额外设置无机绝缘层Bank的前提下，消除ITO电极边缘的尖端放电，从而提尚使用所述ITO基板制备的显不器件的性能。本专利技术提供OLED器件，包括上述ITO基板，使得OLED器件在不额外设置无机绝缘层Bank的条件下，消除ITO电极边缘的尖端放电现象，从而保证了 OLED器件的性能。本专利技术提供OLED器件的制备方法，工艺简单可控，易于实现产业化。【附图说明】图1是现有技术提供的3种ITO基板结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的曝光时干膜中的UV辐射能量分布图；图3是本专利技术实施例提供的ITO基板结构示意图；图4是当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板上的ITO，其特征在于，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，谢相伟，宋晶尧，高卓，付东，闫晓林，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44