一种高压无阻达林顿功率晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括管体，所述管体的一侧设有第一金属层，所述管体的另一侧设有第二金属层，所述第一金属层和第二金属层之间设有N型衬底，所述N型衬底的下端设有第一衬底子层，所述第一衬底子层的上端设有第二衬底子层，所述第二衬底子层的上端设有第三衬底子层，所述第三衬底子层的上端设有氧化区，且第一衬底子层、第二衬底子层、第三衬底子层和氧化区的两端分别和第一金属层、第二金属层连接，所述氧化区的内部设有第一P型基区，所述第一P型基区的上端设有第一插脚。本实用新型专利技术结构简单，使用方便，而且具有击穿电压高、控制范围大、二次击穿耐量高、抗烧毁性强，可靠性高等特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体管
，尤其涉及一种高压无阻达林顿功率晶体管。
技术介绍
功率晶体管的应用已经渗透到国民经济与国防建设的各个领域，是航空，航天、火车、汽车、通讯、计算机、消费类电子、工业自动化和其他科学与工业部门至关重要的基础部件。高压无阻达林顿功率晶体管是半导体产业中的高端产品，由于该产品应用范围广泛，可用于各种汽、柴油发动机的点火电路，及电平自行车的调速电路，稳压电源的调整电路，逆变电源电路、等工业用和民用电器电路，其市场前景非常广阔。长期以来，使用厂家只能进口原装管，价格十分的昂贵。因此，国内厂家非常期待国内的功率半导体厂家能尽快研发出类似的功率器件来。高压无阻达林顿功率晶体管是根据国内整机生产厂家的需求而开发研制的，该产品主要应用于电磁驱动、电机控制场合。通常的达林顿晶体管是有旁路电阻的，它有一个开启电流，低于开启电流是不能工作的。这就限制了器件的工作范围。由于整机发展要求越来越高，对器件的工作范围提出了更高的要求，在许多场合，要实现小功率、大功率都需要控制，这就需要用无阻达林顿器件来实现。因为无阻达林顿是没有开启电流的，它在小电流下就能导通、工作。无阻达林顿晶体管具有击穿电压高、控制范围大、二次击穿耐量高、可靠性高等特点。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高压无阻达林顿功率晶体管。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括管体，所述管体的一侧设有第一金属层，所述管体的另一侧设有第二金属层，所述第一金属层和第二金属层之间设有N型衬底，所述N型衬底的下端设有第一衬底子层，所述第一衬底子层的上端设有第二衬底子层，所述第二衬底子层的上端设有第三衬底子层，所述第三衬底子层的上端设有氧化区，且第一衬底子层、第二衬底子层、第三衬底子层和氧化区的两端分别和第一金属层、第二金属层连接，所述氧化区的内部设有第一P型基区，所述氧化区的内部设有第二P型基区，所述第一P型基区的上端设有第一插脚，所述第二P型基区的上端设有第二插脚。优选地，所述N型衬底的外侧覆盖有有机膜钝化层。优选地，所述第一金属层和第二金属层相对的一侧均设有钛保护层。优选地，所述第一金属层和第二金属层采用防腐蚀材料制成。本技术中在晶体管的两侧设有金属层，金属层之间设有N型衬底，N型衬底包括第一衬底子层、第二衬底子层、第三衬底子层和氧化区，氧化区的内部设有两个P型基区，P型基区的上端设有插脚，该技术结构简单，使用方便，而且具有击穿电压高、控制范围大、二次击穿耐量高、抗烧毁性强，可靠性高等特点。附图说明图1为本技术提出的一种高压无阻达林顿功率晶体管的结构示意图。图中：1第一插脚、2第二插脚、3第一P型基区、4第一金属层、5第三衬底子层、6第一衬底子层、7第二衬底子层、8第二金属层、9第二P型基区、10氧化区、11N型衬底。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括管体，管体的一侧设有第一金属层4，管体的另一侧设有第二金属层8，第一金属层4和第二金属层8相对的一侧均设有钛保护层，且第一金属层（4）和第二金属层（8）采用防腐蚀材料制成，具有很好的保护和防腐蚀功能，第一金属层4和第二金属层8之间设有N型衬底11，且N型衬底（11）的外侧覆盖有有机膜钝化层，可以对N型衬底11进行有效的保护，N型衬底的下端设有第一衬底子层6，第一衬底子层6的上端设有第二衬底子层7，第二衬底子层7的上端设有第三衬底子层5，第三衬底子层5的上端设有氧化区10，且第一衬底子层6、第二衬底子层7、第三衬底子层5和氧化区10的两端分别和第一金属层4、第二金属层8连接，氧化区10的内部设有第一P型基区3，氧化区10的内部设有第二P型基区9，第一P型基区3的上端设有第一插脚1，第二P型基区9的上端设有第二插脚2。本技术中管体的两侧设有第一金属层4和第二金属层8，且第一金属层4和第二金属层8之间设有N型衬底11，N型衬底11包括第一衬底子层6、第二衬底子层7、第三衬底子层5和氧化区10，氧化区10的内部设有第一P型基区3和第二P型基区9，在P型基区的上端设有插脚，可以提高晶体管的工作效率和安全性。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括管体，其特征在于，所述管体的一侧设有第一金属层（4），所述管体的另一侧设有第二金属层（8），所述第一金属层（4）和第二金属层（8）之间设有N型衬底（11），所述N型衬底的下端设有第一衬底子层（6），所述第一衬底子层（6）的上端设有第二衬底子层（7），所述第二衬底子层（7）的上端设有第三衬底子层（5），所述第三衬底子层（5）的上端设有氧化区（10），且第一衬底子层（6）、第二衬底子层（7）、第三衬底子层（5）和氧化区（10）的两端分别和第一金属层（4）、第二金属层（8）连接，所述氧化区（10）的内部设有第一P型基区（3），所述氧化区（10）的内部设有第二P型基区（9），所述第一P型基区（3）的上端设有第一插脚（1），所述第二P型基区（9）的上端设有第二插脚（2）。

【技术特征摘要】
1.一种高压无阻达林顿功率晶体管，包括管体，其特征在于，所述管体的一侧设有第一金属层（4），所述管体的另一侧设有第二金属层（8），所述第一金属层（4）和第二金属层（8）之间设有N型衬底（11），所述N型衬底的下端设有第一衬底子层（6），所述第一衬底子层（6）的上端设有第二衬底子层（7），所述第二衬底子层（7）的上端设有第三衬底子层（5），所述第三衬底子层（5）的上端设有氧化区（10），且第一衬底子层（6）、第二衬底子层（7）、第三衬底子层（5）和氧化区（10）的两端分别和第一金属层（4）、第二金属层（8）连接，所述氧化区（10）的内部设有第一P型基区...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉，
申请(专利权)人：张嘉，
类型：新型
国别省市：河南;41