画素结构及显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种画素结构及显示面板，画素结构包括扫描线、数据线、主动元件、至少一第一凸起结构、至少一第二凸起结构、第一电极以及第二电极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。第一凸起结构具有第一上表面、第一下表面以及位于第一上表面和第一下表面两侧的第一侧表面。第一上表面与任一第一侧表面之间具有第一锐角θ1。第二凸起结构与第一凸起结构分离。第二凸起结构具有第二上表面、第二下表面以及位于第二上表面和第二下表面两侧的第二侧表面。第二上表面与任一第二侧表面之间具有第二锐角θ2。第一电极位于第一凸起结构的第一上表面上，且第二电极位于第二凸起结构的第二上表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种画素结构，且特别是有关于一种适用于蓝相液晶的画素结构 及其显不面板。
技术介绍
为了因应消费大众的需求，显示装置相关业者纷纷投入具有快速应答特性的蓝相 (blue地ase)液晶显示装置的开发。W蓝相(blue地ase)液晶材料为例，一般需要横向电 场来进行操作W使其具有光阀的功能。目前已经有人采用共面转换IPS(In-Plane Switching)显示模组的电极设计来驱动蓝相液晶显示装置中的蓝相液晶分子。 -般而言，若显示装置能够有良好的暗态或是亮态效果就可W提升显示对比度， 能使显示装置具有较佳的显示品质。然而，一般的蓝相液晶显示装置会有操作电压过高的 缺点。为了降低操作电压，目前习知的方法则会造成暗态漏光W及对比下降等问题。故如何 降低显示装置的操作电压，并改善暗态漏光现象W提升显示对比度即成为本领域技术人员 所欲研究的课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种画素结构，可用W降低显示面板的操作电压，并且改善暗态漏光 问题W及提升显示对比度。 本专利技术的画素结构包括扫描线、数据线、主动元件、至少一第一凸起结构、至少一 第二凸起结构、第一电极W及第二电极。主动元件与扫描线W及数据线电性连接。第一凸起 结构具有第一上表面、第一下表面W及位于第一上表面和第一下表面两侧的第一侧表面。 第一上表面与任一第一侧表面之间具有第一锐角Θ1。第二凸起结构与第一凸起结构分离。 第二凸起结构具有第二上表面、第二下表面W及位于第二上表面和第二下表面两侧的第二 侧表面。第二上表面与任一第二侧表面之间具有第二锐角Θ2。第一电极位于第一凸起结构 的第一上表面上，第二电极位于第二凸起结构的第二上表面上。 本专利技术另提供一种画素结构，包括扫描线、数据线、主动元件、至少一第一凸起结 构、至少一第二凸起结构、第一电极W及第二电极。主动元件与扫描线W及数据线电性连 接。第一凸起结构具有第一上表面W及第一下表面，第一上表面的宽度为TW1，且第一下表 面的宽度为BW1;其中TW1为第一凸起结构的最大宽度且BW1为第一凸起结构的最小宽度，或 者第一凸起结构的第一上表面与第一下表面之间具有第一凸起结构的一最小宽度且TW1或 BW1为第一凸起结构的最大宽度。第二凸起结构与第一凸起结构分离。第二凸起结构具有第 二上表面W及第二下表面，第二上表面的宽度为TW2,且第二下表面的宽度为BW2;其中TW2 为第二凸起结构的最大宽度且BW2为第二凸起结构的最小宽度，或者第二凸起结构的第一 上表面与第一下表面之间具有第二凸起结构的一最小宽度且TW2或BW2为第二凸起结构的 最大宽度。第一电极具有第一电位，位于第一凸起结构的第一上表面上，其最大宽度为W，且 W含TWlW及W含BW1。第二电极具有第二电位，位于第二凸起结构的第二上表面上，其最大宽 度为w'，且r含TW2W及r含BW2。 本专利技术的显示面板，包括第一基板、画素阵列、第二基板W及显示介质。画素阵列 位于第一基板上且包括多个画素结构，其中每一画素结构包括扫描线、数据线、主动元件、 至少一第一凸起结构、至少一第二凸起结构、第一电极W及第二电极。主动元件与扫描线W 及数据线电性连接。第一凸起结构具有第一上表面、第一下表面W及位于第一上表面和第 一下表面两侧的第一侧表面。第一上表面与任一第一侧表面之间具有第一锐角Θ1。第二凸 起结构与第一凸起结构分离。第二凸起结构具有第二上表面、第二下表面W及位于第二上 表面和第二下表面两侧的第二侧表面。第二上表面与任一第二侧表面之间具有第二锐角Θ 2。第一电极位于第一凸起结构的第一上表面上。第二电极位于第二凸起结构的第二上表面 上。第二基板位于第一基板的对向侧。显示介质位于第一基板与第二基板之间，其根据电压 的驱动具有光学等向性W及光学异向性。 基于上述，本专利技术的画素结构及显示面板具有第一凸起结构W及第二凸起结构。 第一电极W及第二电极分别设置在第一凸起结构W及第二凸起结构的第一上表面W及第 二上表面上。因此，于本专利技术画素结构中，凸起结构的设置可用W降低显示面板的操作电 压，改善暗态漏光的问题W提升显示对比度。 W下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【附图说明】 图1为本专利技术第一实施例的显示面板的示意图。 图2为本专利技术第一实施例的画素阵列的俯视示意图。 图3A为图2实施例中，其中一画素结构的区域CV的立体示意图。 图3B为图3A画素结构的正面示意图。 图4为本专利技术另一实施例的画素结构的俯视示意图。 图5为本专利技术第二实施例的画素结构的正面示意图。 图6为本专利技术第Ξ实施例的画素结构的正面示意图。 图7为本专利技术第四实施例的画素结构的正面示意图。 图8为本专利技术第五实施例的画素结构的正面示意图。 图9为本专利技术第六实施例的画素结构的正面示意图。 图10为本专利技术第屯实施例的画素结构的正面示意图。 图11为本专利技术第八实施例的画素结构的正面示意图。 图12为本专利技术第九实施例的画素结构的正面示意图。 图13为本专利技术第十实施例的画素结构的正面示意图。 图14为本专利技术第十一实施例的画素结构的正面示意图。 图15为本专利技术第十二实施例的画素结构的正面示意图。 图16为本专利技术第十Ξ实施例的画素结构的正面示意图。 图17为本专利技术第十四实施例的画素结构的正面示意图。图18A至18E为本专利技术一实施例的画素结构的制造流程图。 图19为本专利技术比较例一的画素结构的正面示意图。 图20为本专利技术比较例二的画素结构的正面示意图。 图21为本专利技术比较例Ξ的画素结构的正面示意图。 其中，附图标记 100:显示装置 101:第一基板 102:第二基板 103:画素阵列 104:显示介质 [003引CV:区域 SL扫描线 化:数据线 DL1:第一数据线 DL2:第二数据线 TFT:主动元件 TFT1:第一主动元件 TFT2:第二主动元件 G、G1、G2:栅极 CH、CH1、C肥：通道[004引 S、S1、S2:源极 D、D1、D2:漏极 化:共用电极线 PT1、PM1、PX1:第一凸起结构 PT2、PM2、PX2:第二凸起结构 TS1:第一上表面 TS2:第二上表面 BS1:第一下表面 BS2:第二下表面 SD1:第一侧表面[0化引 SD2:第二侧表面化1、6化、6]?1、6乂1:第一电极 化2、6肥、6]?2、6乂2:第二电极 W、W'、TW1、TW2、BW1、BW2:宽度 H1、肥:高度 Θ1:第一锐角 Θ2:第二锐角 Θ3:第Ξ锐角 Θ4:第四锐角 M:光罩[006引 PR1:第一材料层 PR当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，其特征在于，包括：一扫描线以及一数据线；一主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接；至少一第一凸起结构，其中该第一凸起结构具有一第一上表面、一第一下表面以及位于该第一上表面和该第一下表面两侧的第一侧表面，该第一上表面与该任一第一侧表面之间具有一锐角θ1；至少一第二凸起结构，与该第一凸起结构分离，其中该第二凸起结构具有一第二上表面、一第二下表面以及位于该第二上表面和该第二下表面两侧的第二侧表面，该第二上表面与该任一第二侧表面之间具有一锐角θ2；一第一电极，位于该第一凸起结构的该第一上表面上；以及一第二电极，位于该第二凸起结构的该第二上表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曹梓毅，俞方正，李韦廷，蔡正晔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71