一种逆变器制造技术

一种逆变器，通过在所述逆变器内设置为两个独立且规格相同的第一电磁器件和第二电磁器件，通过控制所述第一IGBT逆变模块和第二IGBT逆变模块分别向所述第一电磁器件和第二电磁器件输出相位相反的激励信号，即可使得所述第一电磁器件和第二电磁器件产生的电磁噪音的频率和振幅相同，并且本领域技术人员通过调节两个电磁器件的位置可进一步使得所述第一电磁器件和第二电磁器件产生的电磁噪音相互抵消，且由所述第一电磁器件和第二电磁器件漏磁引起的电磁辐射也会有一定程度的相互抵消，因此无需采用吸音材料，相较于现有技术而言成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及逆变器
，更具体地说，涉及一种逆变器。
技术介绍
现有大功率逆变器存在工频及开关高频的电磁噪音及电磁振动，目前，通常采用在逆变器的结构上添加吸音隔音材料以解决大功率逆变器的工频及开关高频的电磁噪音及电磁振动，从而实现被动降噪。但是，由于增加吸音材料的成本较高，导致采用该方法生产的大功率逆变器的成本较高、整体体积大，且使用该方法对于低频部分降噪效果差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种逆变器，用于解决现有技术中降低逆变器噪音和振动时，成本较高的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案:—种逆变器，包括逆变模块，所述逆变器还包括至少一个降压隔离模块，所述降压隔离模块的输出端与所述逆变模块相连，所述降压隔离模块包括:第一IGBT逆变模块，及与所述第一 IGBT逆变模块的输出端相连的第一电磁器件；第二IGBT逆变模块，及与所述第二 IGBT逆变模块的输出端相连的第二电磁器件；所述第一IGBT逆变模块与所述第二 IGBT逆变模块的输入端串联或并联，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的输出端并联后作为所述降压隔离模块的输出端；所述第一IGBT逆变模块与所述第二 IGBT逆变模块的电路相同且输出电压的相位相反;所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的规格相同。优选的，上述逆变器中，所述第一IGBT逆变模块与所述第二IGBT逆变模块均包括开关管，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件之间的距离为所述开关管开关频率电磁噪音波长的整数倍。优选的，上述逆变器中，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件设置在同一支架上。优选的，上述逆变器中，所述电磁器件为电抗器或变压器。优选的，上述逆变器中，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件均为变压器时，所述降压隔离模块还包括:与所述第一电磁器件输出端相连的第一整流电路，所述第一整流电路的输出端与所述逆变模块相连；与所述第二电磁器件输出端相连的第二整流电路，所述第一整流电路的输出端与所述逆变模块相连。优选的，上述逆变器中，所述第一整流电路和第二整流电路为桥式整流电路。优选的，上述逆变器中，所述第一IGBT逆变模块和第二IGBT逆变模块均为Η桥逆变电路；所述Η桥逆变电路包括:并联的第一开关管支路和第二开关管支路，所述第一开关管支路和第二开关管支路的两个公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端；所述第一开关管支路和第二开关管支路均包括:串联的第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的第二端与第二开关管的第一端相连，且所述第一开关管的第一端和第二开关管的第二端作为所述第一开关管和第二开关管的公共端；与所述第一开关管反向并联的第一二极管，第一二极管的阳极与所述第一开关管的第二端相连；与所述第二开关管反向并联的第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第二开关管的第二端相连；所述第一开关管支路中所述第一开关管和第二开关管的公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端，所述第二开关管支路中所述第一开关管和第二开关管的公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的负输出端；所述第一电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第一IGBT逆变模块正输出端和负输出端相连，次级线圈与所述第一整流电路的输入端相连;所述第二电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第二 IGBT逆变模块正输出端和负输出端相连，次级线圈与所述第二整流电路的输入端相连。优选的，上述逆变器中，所述第一IGBT逆变模块和第二IGBT逆变模块均为半桥逆变电路，所述半桥逆变电路包括:串联的第三开关管和第四开关管;所述第三开关管的第二端与第四开关管的第一端相连，且所述第三开关管的第一端与第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端；第三开关管两端反向并联第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述第三开关管的第二端相连；第四开关管两端反向并联第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第四开关管的第二端相连；所述第四开关管的第一端分别作为所述第一IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端;所述第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二IGBT逆变模块的负输出端；所述第一电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第一IGBT逆变模块的正输出端和负输出端对应相连，所述第一电磁器件变压器的次级线圈与所述第一整流电路的输入端相连;所述第二电磁器件变压器的初级线圈的两端分别与所述第二 IGBT逆变模块的正输出端和负输出端一一对应相连，所述第二电磁器件变压器的次级线圈与所述第二整流电路的输入端相连。优选的，上述逆变器中，所述第一电磁器件和第二电磁器件均为电抗器，所述第一IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块均为半桥逆变电路，所述半桥逆变电路包括:所述半桥逆变电路包括:串联的第三开关管和第四开关管;所述第三开关管的第二端与第四开关管的第一端相连，且所述第三开关管的第一端与第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输入端和负输入端；第三开关管两端反向并联第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述第三开关管的第二端相连；第四开关管两端反向并联第四二极管，所述第四二极管的阳极与所述第四开关管的第二端相连；所述第四开关管的第一端分别作为所述第一IGBT逆变模块和所述第二 IGBT逆变模块的正输出端;所述第四开关管的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块和所述第二IGBT逆变模块的负输出端；所述第一电磁器件电抗器的第一端与所述第一IGBT逆变模块的正输出端相连、第二端与所述逆变模块相连，所述第二电磁器件电抗器的第一端与所述第二 IGBT逆变模块的正输出端相连、第二端与所述逆变模块相连。优选的，上述逆变器中，所述降压隔离模块还包括:设置于所述第一 IGBT逆变模块和第一电磁器件变压器之间的隔直电容； 设置于所述第二 IGBT逆变模块和第二电磁器件变压器之间的隔直电容。通过以上方案可知，本专利技术实施例提供的逆变器，通过在所述逆变器内设置两个独立且规格相同的第一电磁器件和第二电磁器件，通过控制所述第一 IGBT逆变模块和第二IGBT逆变模块分别向所述第一电磁器件和第二电磁器件输出相位相反的激励信号，由于波的叠加原理，即可使得所述第一电磁器件和第二电磁器件产生的电磁噪音的频率和振幅相同，且两者相互抵消，因此无需采用吸音材料，相较于现有技术而言成本较低。除此之外，第一 IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块向所述第一电磁器件和第二电磁器件发送相位相反的激励信号，即可使得所述第一电磁器件和第二电磁器件的漏磁磁场相差180°相角，从而使得两个电磁器件产生的工频电磁辐射和开关频率电磁辐射相互抵消，有助于逆变器的进一步优化。【附图说明】为了更清楚地说当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变器，包括逆变模块，其特征在于，所述逆变器还包括至少一个降压隔离模块，所述降压隔离模块的输出端与所述逆变模块相连，所述降压隔离模块包括：第一IGBT逆变模块，及与所述第一IGBT逆变模块的输出端相连的第一电磁器件；第二IGBT逆变模块，及与所述第二IGBT逆变模块的输出端相连的第二电磁器件；所述第一IGBT逆变模块与所述第二IGBT逆变模块的输入端串联或并联，所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的输出端并联后作为所述降压隔离模块的输出端；所述第一IGBT逆变模块与所述第二IGBT逆变模块的电路相同且输出电压的相位相反；所述第一电磁器件和所述第二电磁器件的规格相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐传明，杨北辉，
申请(专利权)人：深圳市英威腾交通技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44