本发明专利技术的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，涉及显示技术领域，可避免位于量子点层下方的有机材料的功能层被腐蚀，使量子点层均匀成膜。该QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；基于此，形成所述量子点层，包括：将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。用于QLED。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法。
技术介绍
量子点(quantum dot)由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。由于量子尺寸效应，量子点发光半峰宽很窄，因此具有极好的色纯度，将量子点材料制成量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting D1de，简称QLED)，可以实现比有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting D1de，简称0LED)显示器件更好的色域。其中，以如图1所示的QLED为例，其可以包括衬底基板10、依次设置在衬底基板10上的阳极20、空穴传输层301、量子点层40、电子传输层501和阴极60。目前，当采用量子点作为QLED的发光层时，比较有量产可行性的图案化方式是喷墨打印。基于此，量子点需要溶解在非极性的有机溶剂中形成溶液，才可以进行打印。然而，由于空穴传输层301为有机材料，在制作量子点层40时，会被非极性有机溶剂溶解，从而导致空穴传输层301被腐蚀以及量子点层40不平整，进而导致QLED的性能变差。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，可避免位于量子点层下方的有机材料的功能层被腐蚀，使量子点层均匀成膜。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面，提供一种QLED的制备方法，包括:在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括:形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；基于此，形成所述量子点层，包括:将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。优选的，所述极性有机溶剂和所述非极性有机溶剂的沸点均小于200°C。进一步优选的，所述极性有机溶剂包括醇类、醚类。优选的，所述非极性有机溶剂包括烷烃、芳香烃。基于上述，优选的，形成所述第一功能层，包括:采用喷墨打印方式在所述第一电极上方依次形成空穴注入层和空穴传输层。进一步的，形成所述第二功能层，包括:采用喷墨打印方式在所述量子点层上方形成电子传输层。第二方面，提供一种显示装置的制备方法，包括在衬底基板上形成位于每个子像素位置处的QLED，其中，所述子像素之间通过像素限定层隔离；所述QLED通过上述第一方面的制备方法形成。优选的，在形成所述QLED中的第一电极之前，所述制备方法还包括:形成位于每个子像素位置处的薄膜晶体管。第三方面，提供一种QLED，通过上述第一方面的制备方法形成。第四方面，提供一种显示装置，通过上述第二方面的制备方法形成。本专利技术的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，通过在形成量子点层之前，形成极性有机溶剂的缓冲层，可在形成量子点层的过程中，溶解非极性有机溶剂，而使得量子点被萃取出来，沉积在第一功能层上，其中，由于非极性有机溶剂被缓冲层的极性有机溶剂溶解，可避免非极性有机溶剂对有机材料的第一功能层的腐蚀，因而可使量子点层均匀成膜，且可实现较好的膜层界面，从而提高了 QLED的性能。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种QLED的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种制备QLED的流程示意图；图3-6为本专利技术实施例提供的制备QLED的过程示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种QLED的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种QLED的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。附图标记:10-衬底基板；20_阳极；301-空穴传输层；302_空穴注入层；40_量子点层；401-溶液；501-电子传输层；502-电子注入层；60_阴极；70_第一电极；80_第一功能层；90-缓冲层；100-第二功能层；110-第二电极；120-薄膜晶体管；200_子像素；300_像素限定层。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种QLED的制备方法，如图2所示，该制备方法包括如下步骤:S10、如图3所示，在衬底基板10上依次形成第一电极70以及第一功能层80，该第一功能层80为有机材料。此处，第一功能层80不限于是一层，可以是两层或两层以上。S11、如图3所示，在第一功能层80上形成缓冲层90，所述缓冲层90的材料为极性有机溶剂。此处，极性有机溶剂以能溶解下述S12的非极性有机溶剂为准。可采用溶液制成，使所述缓冲层90形成在第一功能层80上。S12、如图4所示，在缓冲层90上，将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液401，采用喷墨打印方式形成在缓冲层90上方。当包括量子点和非极性有机溶剂的溶液401形成在缓冲层90上方时，缓冲层90的极性有机溶剂对此处的非极性有机溶剂溶解，使得量子点被萃取出来，而如图5所示沉积在第一功能层80上。S13、如图5所示，通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成量子点层40。此处的溶剂包括极性有机溶剂和非极性有机溶剂。S14、如图6所示，在量子点层40上形成第二功能层100。此处，第二功能层100不限于是一层，可以是两层或两层以上。S15、如图6所示，在第二功能层100上形成第二电极110。需要说明的是，第一，第一电极70和第二电极110可以互为阳极或阴极。其中，当第一电极70为阳极，第二电极110为阴极时，第一功能层80为有助于空穴从阳极注入的膜层，第二功能层100为有助于电子从阴极注入的膜层。当然，上述阳极和阴极也可互换，此时，第一功能层80和第二功能层100也需互换。第二，由于极性有机溶剂和非极性有机溶剂最终需蒸发掉，因此，在选择极性有机溶剂和非极性有机溶剂时，需考虑其沸点，以避免加热时，对基板或其他膜层造成影响。本专利技术实施例提供了一种QLED的制备方法，通过在形成量子点层40之前，形成极性有机溶剂的缓冲层90，可在形成量子点层40的过程中，溶解非极性有机溶剂，而使得量子点被萃取出来，沉积在第一功能层80上，其中，由于非极性有机溶剂被缓冲层90的极性有机溶剂溶解，可避免非极性有机溶剂对有机材料的第一功能层80的腐蚀，因而可使量子点层40均匀成膜，且可实现较好的膜层界面，从而提高了 QLED的性能。为了最大化避免蒸发工艺过程中，对其他已经形成的膜层以及衬底基板10的破坏，优选的，极性有机溶剂和非极性有机溶剂的沸点均小于200°C。例如可以为150°C或以下。基于此，考虑到醇类、醚类具有沸点低，易挥发，容易制备等优点，本专利技术实施例优选极性有机溶本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；其特征在于，在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；形成所述量子点层，包括：将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：舒适，何晓龙，徐威，徐传祥，齐永莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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