分解半导体器件的布局的方法和制造半导体器件的方法技术

公开了分解半导体器件的布局的方法和制造半导体器件的方法。分解半导体器件的布局的方法包括：半导体器件的布局中包括的多边形当中的多个交叉点的多边形可以被确定为复杂多边形，其中在所述多个交叉点中的每个交叉点处至少两条线交叉。第一针脚可以被插入在复杂多边形上的所述多个交叉点之间。可以通过在布局上执行图形划分操作来生成多个分解图形。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年9月4日在韩国知识产权局(ΚΙΡ0)提交的韩国专利申请第10-2014-0117785号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
示例实施例涉及一种制造半导体器件的方法，并且更具体地，涉及一种分解半导体器件的布局的方法。
技术介绍
在制造高密度半导体器件期间，通常使用双重图形技术(DPT)过程以避免包括在半导体器件的布局中的图形之间的冲突。在DPT过程中，半导体器件的布局被分解成两个图形，并且通过使用两个图形在衬底上执行光刻过程两次而在衬底上形成布线图形。最近，已经开发了三重图形技术(TPT)过程和四重图形技术(QPT)过程，其中在TPT过程中半导体器件的布局被分解成三个图形，并且通过使用三个图形在衬底上执行光刻过程三次而在衬底上形成布线图形，其中在QPT过程中，半导体器件的布局被分解成四个图形，并且通过使用四个图形在衬底上执行光刻过程四次而在衬底上形成布线图形。如上所述，半导体器件的布局可以分解成多个分解图形以执行DPT过程、TPT过程或QPT过程。然而，当多个分解图形的图形密度彼此不同时，可能影响临界尺寸均匀性，并且当基于多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分解半导体器件的布局的方法，包括：确定包括在半导体器件的布局中的多个多边形当中的多边形是复杂多边形，该复杂多边形包括多个交叉点，其中在所述多个交叉点中的每个交叉点处至少两条线交叉；在复杂多边形上的所述多个交叉点之间插入第一针脚；以及通过在布局上执行图形划分操作来生成多个分解图形。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜大权，郑智荣，金东均，梁在锡，黄盛昱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR