【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电路领域,具体地说是一种防浪涌电路。
技术介绍
经常使用的NTC抑制浪涌电流电路由于其简单得到广泛的应用,其电路结构如图1所示,可是由于其功耗以及热机无抑制浪涌作用使得在很多应用中效果不理想。随着现在电子产品对浪涌电流要求越来越高,这种结构的电路已不能满足要求。
技术实现思路
本技术要解决的是现有技术存在的上述问题,旨在提供一种改进型的防浪涌电路,既能够更有效地降低浪涌电流,大大减少对电网的冲击,同时功耗低,且不会产生热机无抑制浪涌作用。为解决上述问题,本技术采用以下技术方案:一种防浪涌电路,包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容C1、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1和保险丝F1,其特征在于所述的电容C1的一端接电解电容EC1的正极、电阻R4的一端和桥堆BD1的正极,电容C1的另一端、电解电容EC1的负极、MOS管Q1的漏极和电阻R1的一端接地,电阻R1的另一端接桥堆BD1的负极、MOS管Q1源极、电容C2的一端、稳压管ZD1的阳极、电容C3的一端和电 ...
【技术保护点】
一种防浪涌电路,包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容C1、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1和保险丝F1,其特征在于所述的电容C1的一端接电解电容EC1的正极、电阻R4的一端和桥堆BD1的正极,电容C1的另一端、电解电容EC1的负极、MOS管Q1的漏极和电阻R1的一端接地,电阻R1的另一端接桥堆BD1的负极、MOS管Q1源极、电容C2的一端、稳压管ZD1的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端,电容C2的另一端接MOS管Q1的栅极、稳压管ZD1的阴极和电阻R2的一端,电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。
【技术特征摘要】
1.一种防浪涌电路,包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容C1、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1和保险丝F1,其特征在于所述的电容C1的一端接电解电容EC1的正极、电阻R4的一端和桥堆BD1的正极,电容C1的另一端、电解电容EC1的负极、MOS管Q1的漏极和电阻R1的一端接地,电阻R1的另一端接桥堆BD1的负极、MOS管Q1源极、电容C2的一端、稳压管ZD1的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端,电容C2的另一端接MOS管Q1的栅极、稳压管ZD1的阴极和电阻R2的一端,电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。
2.一种防浪涌电路,包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊洪亮,吴海燕,方洁苗,
申请(专利权)人:浙江榆阳电子有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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