本发明专利技术的层叠膜气体阻隔性具备基材及形成于基材的至少1个面的薄膜层，薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示薄膜层的膜厚方向上的自薄膜层表面起的距离与距离的位置的薄膜层中所含的硅原子比、氧原子比及碳原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有以下条件(i)～(iii)：(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在薄膜层膜厚方向上的90％以上的区域中，满足下式(1)表示的条件(氧原子比)＞(硅原子比)＞(碳原子比)……(1)；(ii)碳分布曲线具有至少1个极值；(iii)碳分布曲线中的碳原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at％以上，并且，根据碳分布曲线求出的碳原子比的平均值为11at％以上21at％以下，薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的层叠膜气体阻隔性具备基材及形成于基材的至少1个面的薄膜层，薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示薄膜层的膜厚方向上的自薄膜层表面起的距离与距离的位置的薄膜层中所含的硅原子比、氧原子比及碳原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有以下条件⑴?（iii)：(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在薄膜层膜厚方向上的90%以上的区域中，满足下式（1)表示的条件(氧原子比）>(硅原子比）>(碳原子比）……(1);(ii)碳分布曲线具有至少1个极值；（iii)碳分布曲线中的碳原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at%以上，并且，根据碳分布曲线求出的碳原子比的平均值为llat%以上21at%&下，薄膜层的平均密度在2.Og/cm3以上。【专利说明】层叠膜、有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器
本专利技术涉及一种具有气体阻隔性的层叠膜。并且，涉及一种具有这种层叠膜的有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器。
技术介绍
气体阻隔性膜能够合适地用作适于饮料食品、化妆品、洗涤剂等物品的填充包装的包装用容器。近年来，提出有将塑料膜等作为基材，并在基材的一侧的表面上层叠以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等物质作为形成材料的薄膜而成的具有气体阻隔性的层叠膜(以下也称作“层叠膜”)。 作为在塑料基材的表面上形成这种无机物薄膜的方法，已知有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法(PVD)、和减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法(CVD)。例如，专利文献I中公开有一种层叠膜，其含有硅、氧及碳，且具有碳的原子比的平均值在10.8at%以下的薄膜层。 以往技术文献 专利文献 日本特开2011-73430号公报 专利技术的概要 专利技术要解决的技术课题 通常在具有气体阻隔性的层叠膜中，存在在弯曲时，确保气体阻隔性的薄膜层发生破损，气体阻隔性下降的课题，要求在弯曲时能够维持高气体阻隔性的层叠膜。 本专利技术是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种在即使弯曲时仍可维持高气体阻隔性的层叠膜。并且，其目的还在于提供一种具有这种层叠膜的有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器。 用于解决技术课题的手段 为了解决上述课题，本专利技术的一方式为提供一种层叠膜，所述层叠膜具备基材、及形成于所述基材的至少I个面的至少I层薄膜层，所述薄膜层中的至少I层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示所述薄膜层的膜厚方向上的自所述薄膜层表面起的距离、与相对于所述距离的位置的所述薄膜层中所含的硅原子、氧原子及碳原子的总数的硅原子数的比率(硅的原子比)、氧原子数的比率(氧的原子比)及碳原子数的比率(碳的原子比)之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有下述条件(i)?(iii): (i)硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在所述薄膜层的膜厚方向上的90%以上的区域中，满足由下式(I)表示的条件； (氧的原子比)>(硅的原子比)> (碳的原子比)……(I) (ii)所述碳分布曲线具有至少I个极值 '及 (iii)所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at%以上， 根据所述碳分布曲线求出的所述碳的原子比的平均值为llat%以上且21at%以下，所述薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。 本专利技术的一方式中，期望所述薄膜层还含有氢原子，根据所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积的合计值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式(I)。 (Q1、Q2、Q3的峰面积的合计值)/(Q4的峰面积)< 1.0……(I) 其中，Q1表示与I个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q2表示与2个中性氧原子及2个羟基键合的硅原子，Q3表示与3个中性氧原子及I个羟基键合的硅原子，Q4表示与4个中性氧原子键合的硅原子。 本专利技术的一方式中，期望根据表示所述距离与相对于所述总数的碳原子及氧原子的总数的比率(碳及氧的原子比)之间的关系的碳氧分布曲线求出的所述碳及氧的原子比的平均值为63.7at%以上且70.0at %以下。 本专利技术的一方式中，期望在所述硅分布曲线中，在所述硅分布曲线中，表示所述硅的原子比为29at%以上且38at%以下的值的位置占所述薄膜层的膜厚方向上的90%以上的区域。 本专利技术的一方式中，期望所述碳分布曲线具有多个极值，所述极值的最大值与所述极值的最小值之差的绝对值在15% at以上。 本专利技术的一方式中，期望所述碳分布曲线具有3个以上的极值，所述碳分布曲线中的连续的3个所述极值中，相邻的极值之间的距离均在200nm以下。 本专利技术的一方式中，期望所述氧分布曲线具有3个以上的极值，所述氧分布曲线中的连续的3个所述极值中，相邻的极值之间的距离均在200nm以下。 本专利技术的一方式中，期望所述层叠膜还含有氢原子。 本专利技术的一方式中，期望所述薄膜层的膜厚为5nm以上且3000nm以下。 本专利技术的一方式中，期望所述基材包含选自聚酯系树脂及聚烯烃系树脂中的至少I种树脂。 本专利技术的一方式中，期望所述聚酯系树脂为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少I种树脂。 本专利技术一方式提供一种具备上述层叠层的有机电致发光装置。 本专利技术的一方式提供一种具备上述层叠膜的光电转换装置。 本专利技术的一方式提供一种具备上述层叠膜的液晶显示器。 专利技术效果 根据本专利技术，能够提供一种即使弯曲仍可维持高气体阻隔性的层叠膜。并且，能够提供一种具有这种层叠膜的有机电致发光装置、光电转换装置及液晶显示器。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本实施方式的层叠膜的例子的示意图。 图2是表示用于层叠膜的制造的制造装置的一例的示意图。 图3是求出制造本实施方式的层叠膜时的成膜条件的方法的说明图。 图4是求出制造本实施方式的层叠膜时的成膜条件的方法的说明图。 图5是本实施方式的有机电致发光装置的侧剖视图。 图6是本实施方式的光电转换装置的侧剖视图。 图7是本实施方式的液晶显示器的侧剖视图。 图8是表示在实施例1中获得的层叠膜I的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图9是表示在比较例I中获得的层叠膜2的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图10是表示在比较例2中获得的层叠膜3的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图11是表示在比较例3中获得的层叠膜4的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图12是表示在比较例4中获得的层叠膜5的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图13是表示在实施例2中获得的层叠膜6的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图14是表示在实施例3中获得的层叠膜7的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的曲线图。 图15是表示在实施例4中获得的层叠膜8的薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种层叠膜，其中，所述层叠膜具备基材、及形成于所述基材的至少1个面的至少1层薄膜层，所述薄膜层中的至少1层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示所述薄膜层的膜厚方向上的自所述薄膜层表面起的距离，与相对于所述距离的位置的所述薄膜层中所含的硅原子、氧原子及碳原子的总数的硅原子数的比例即硅的原子比、氧原子数的比例即氧的原子比及碳原子数的比率即碳的原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有下述条件(i)～(iii)：(i)硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在所述薄膜层的膜厚方向上的90％以上的区域中，满足由下式(1)表示的条件；氧的原子比＞硅的原子比＞碳的原子比……(1)(ii)所述碳分布曲线具有至少1个极值；及(iii)所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at％以上，根据所述碳分布曲线求出的所述碳的原子比的平均值为11at％以上且21at％以下，所述薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川彰，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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