一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法技术

一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法，该真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及导气柱，支架设置于气相沉积室内且用于放置待镀膜工件，支架包括支架柱，导气柱呈中空状且在导气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔L，支架柱呈中空状且支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔L，导气柱从所述支架柱的一端插入支架柱，支架柱嵌套设置于导气柱外侧且能够绕所述导气柱转动，引入的高分子材料裂解气体经第一通气孔L和第二通气孔L均匀扩散并沉积于待镀膜工件上。通过上述方式，能够有效提高真空纳米镀膜的效率以及镀膜的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法
本专利技术涉及一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法。
技术介绍
将高分子材料裂解成纳米分子后在真空环境内均匀无间隙附着在产品表面形成纳米保护膜，称之为真空气相沉积纳米镀膜。这种工艺的纳米镀膜与传统镀膜或者喷油、喷漆具有以下特性：1、防水防潮无细孔，密封性好；2、镀膜耐酸碱、绝缘等级高、防静电产生；3、镀膜表面平顺，防污脏物粘附，摩擦力小，易擦洗；4、外观色泽，可根据需求调整，从高透明到其它颜色。5、镀膜厚度是从0.1微米到50微米以上皆可；6、镀膜附着力好，无内内应力，气泡孔，镀膜适应环境温度±200℃，不脱落不起皱。纳米镀膜时，原料在材料室内经过150℃的汽化形成气态后进入到高温650℃左右的裂解炉，分解成纳米级分子。进入到常温的镀膜室，在真空状态下以气相沉积防水形成薄膜，均匀覆盖产品表面针孔及间隙。它与金属喷镀及喷油漆不同之处在于，只要产品表面与空气接触都能被真空气相沉积纳米镀膜，均匀覆盖，形成无针孔、致密均匀、高透明的薄膜。由于纳米镀膜时，需镀膜的产品表面都要与空气接触，因此，如何对镀膜设备进行改进以适应不同产品镀膜是一个有待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法，能够对带镀膜工件实行批量真空纳米镀膜，提高待镀膜工件真空纳米镀膜的效率以及镀膜效果。为解决上述技术问题，本专利技术提供的一种技术方案是：提供一种真空镀膜设备，所述真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及导气柱，所述支架设置于所述气相沉积室内且用于放置待镀膜工件，所述支架包括支架柱，所述导气柱呈中空状且在所述导气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔，所述支架柱呈中空状且所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔，所述导气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套设置于所述导气柱外侧且能够绕所述导气柱转动，引入的高分子材料裂解气体经所述第一通气孔和所述第二通气孔均匀扩散并沉积于所述待镀膜工件上。其中，所述第一通气孔为长度方向沿所述导气柱的轴向方向设置的条形孔。其中，沿所述导气柱的轴向方向相邻设置的所述第一通气孔沿所述导气柱的轴向方向彼此错开。其中，所述第二通气孔为圆形孔，所述第一通气孔的长度大于所述第二通气孔的直径。其中，所述支架进一步包括密封设置于所述支架柱的另一端的顶盖。其中，所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室侧壁的入口以及设置于所述气相沉积室内与所述入口正对着的降温分流挡板，所述入口用于引入高分子材料裂解气体，所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散于所述气相沉积室内。其中，所述真空镀膜设备进一步包括磁性转动组件，所述磁性转动组件包括设置于所述气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于所述气相沉积室内侧的第二旋转磁体，所述第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合，所述第一旋转磁体在旋转驱动马达带动下转动，并能够带动所述第二旋转磁体转动，进而带动所述支架柱能够绕所述导气柱转动。其中，所述导气柱贯穿所述气相沉积室设置，所述第一旋转磁体和所述第二旋转磁体分别转动支撑于所述导气柱上且能够绕所述导气柱进行转动。其中，所述导气柱贯穿设置于所述气相沉积室的底壁上且沿竖直方向延伸，所述支架柱沿所述竖直方向嵌套至所述导气柱外侧且承座于所述第二旋转磁体上。其中，所述气相沉积室的顶部上设置有开口，所述支架可以通过所述开口放置于所述气相沉积室中或者从所述气相沉积室中取出。其中，所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室外侧并与所述导气柱连接的冷却塔，气相沉积后的残余气体经过所述第二通气孔和所述第一通气孔进入所述导气柱，进一步通过所述导气柱导入到所述冷却塔中。其中，所述支架进一步包括主支撑环和多个主支撑杆，所述主支撑环与所述支架柱嵌套设置且固定于所述支架柱上，所述多个主支撑杆设置于所述主支撑环上且向所述主支撑环的外侧放射状延伸。其中，所述第二通气孔设置于沿所述支架柱的轴向方向相邻设置的所述主支撑杆之间。其中，所述支架进一步包括辅支撑环和多个辅支撑杆，所述辅支撑环设置于所述主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述主支撑环间隔嵌套设置，所述多个辅支撑杆设置于所述辅支撑环上且向所述辅支撑环的外侧放射状延伸。为解决上述技术问题，本专利技术提供的另一种技术方案是：提供一种真空镀膜的方法，所述方法包括：将待镀膜工件放置于支架上；所述支架放置于真空镀膜设备的气相沉积室内，以使所述待镀膜工件设置于所述气相沉积室内；从气相沉积室侧壁入口引入高分子材料裂解气体，所述高分子材料裂解气体经降温分流挡板冷却后扩散于气相沉积室内，旋转支架转动后在气相沉积室内均匀分布于，扩散并沉积于待镀膜工件上，并进一步通过导气柱的第一通气孔和支架的支架柱上的第二通气孔均匀抽出残余气体。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，提供一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法，真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及导气柱，通过设置导气柱以及能够绕导气柱转动的支架柱，通过导气柱上的第一通气孔以及支架柱上的第二通气孔，将从引入的高分子材料裂解气体均匀的分散于真空镀膜设备的气相沉积室内以沉积在待镀膜工件上。通过这样的方式，能够有效提高真空纳米镀膜的效率以及镀膜的效果。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的导气柱的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的支架柱的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的支架的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的另一种真空镀膜设备的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜的方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细说明。请参阅图1，图1是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的结构示意图，本实施例的真空镀膜设备包括气相沉积室1、支架2以及导气柱32，支架2设置于气相沉积室1内且用于放置待镀膜工件，支架2包括支架柱22，导气柱32呈中空状且在导气柱32的侧壁上设置有多个第一通气孔321，支架柱22呈中空状且支架柱22的侧壁上设置有多个第二通气孔221，导气柱32从支架柱22的一端插入支架柱22，支架柱22嵌套设置于导气柱32外侧且能够绕导气柱32转动，引入的高分子材料裂解气体经第一通气孔321和第二通气孔221均匀扩散并沉积于待镀膜工件上。其中，请结合参阅图2，图2是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的导气柱的结构示意图，如图所示，第一通气孔321为长度方向沿导气柱32的轴向方向设置的条形孔。其中，优选地，沿导气柱32的轴向方向相邻设置的第一通气孔321沿导气柱32的轴向方向彼此错开。其中，请结合参阅图3，图3是本专利技术实施例提供的一种真空镀膜设备的支架柱的结构示意图，如图所示，支架柱22的侧壁上设置的第二通气孔221为圆形孔，第一通气孔321的长度大于第二通气孔221的直径。请继续参阅图1，本实施例的真空镀膜设备进一步包括设置于气相沉积室1侧壁的入口38以及设置于气相沉积室1内与入口37正对着的降温分流挡板38，经裂解的高分子材料气体经入口37引入，并经降温分流挡板38冷却后扩散于气相沉积室1内。其中，本实施例的真空镀膜设备进一步包括磁性转动组件，磁性转动组件包括设置于气相沉积室1外侧的第一旋转磁体34本文档来自技高网...

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备包括气相沉积室、降温分流挡板、支架、导气柱、磁性转动组件以及设置于所述气相沉积室外侧与所述导气柱连接的冷却塔，所述气相沉积室侧壁设有入口，所述降温分流挡板设置于所述气相沉积室内并与所述入口正对，所述支架设置于所述气相沉积室内且用于放置待镀膜工件，所述支架包括支架柱，所述导气柱呈中空状且在所述导气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔，所述支架柱呈中空状且所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔，所述导气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套设置于所述导气柱外侧且能够绕所述导气柱转动，所述磁性转动组件包括设置于所述气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于所述气相沉积室内侧的第二旋转磁体，所述第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合，所述第一旋转磁体在旋转驱动电机带动下旋转，并能够带动所述第二旋转磁体转动，进而带动所述支架柱能够绕所述导气柱转动，所述导气柱贯穿所述气相沉积室设置，所述第一旋转磁体和所述第二旋转磁体分别转动支撑于所述导气柱上且能够绕所述导气柱进行转动，所述入口用于引入高分子材料裂解气体，引入的所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散并均匀的分散于所述真空镀膜设备的所述气相沉积室内以沉积在所述待镀膜工件上，同时气相沉积后的残余气体经所述第一通气孔和所述第二通气孔进入所述导气柱，进一步通过所述导气柱导入到所述冷却塔中，同时所述冷却塔中装设有传感器，所述传感器用于检测所述残余气体中所述高分子材料裂解气体的含量，以根据所述残余气体中所述高分子材料裂解气体的含量调节所述入口，从而减少或增加引入所述气相沉积室的所述高分子材料裂解气体的量。2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一通气孔为长度方向沿所述导气柱的轴向方向设置的条形孔。3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，沿所述导气柱的轴向方向相邻设置的所述第一通气孔沿所述导气柱的轴向方向彼此错开。4.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第二通气孔为圆形孔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：文洁，何自坚，
申请(专利权)人：深圳市大富精工有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44