谐振器纳米梁静电吸合控制系统及其控制方法技术方案

本发明专利技术公开了一种谐振器纳米梁静电吸合控制系统及其控制方法，该系统包括驱动装置、信号提取装置和控制装置三部分。该控制方法包括以下步骤：1)确定纳米梁主共振峰值振幅；2)确定纳米梁吸合临界挠度；3)确定纳米梁吸合临界电压；4)确定纳米梁与基底电极吸合时驱动电压的吸合频率。本发明专利技术利用石墨烯薄膜的电阻随着其变形而变化的特性，作为位移传感器件应用于纳米梁与驱动电极的吸合控制，解决了现有NEMS器件因纳米梁与驱动电极发生吸合效应而失效的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于工业控制
，具体涉及谐振器纳米梁静电吸合控制系统及其控 制方法。
技术介绍
目前纳米梁吸合效应（pull-in)是制约纳米机电系统NEMS(Nano ElectromechanicalSystem)器件广泛应用的一个难题。在NEMS器件中，做机械运动的构 件通常可以简化为纳米梁，当纳米梁的下表面和基底上表面相互接近的时候，一方面纳米 梁所受静电力等结构件的相互作用力比所受弹性力更为显著，且纳米梁所受静电力与纳米 梁和驱动电极间距离的二次方成反比，当纳米梁和驱动电极间距离变小时，纳米梁所受静 电力急剧增大，容易引起纳米梁与驱动电极的吸合，使纳米梁与驱动电极间放电而烧毁纳 米梁或者造成纳米梁振动不稳定；另一方面，为了降低驱动电压，纳米梁的刚性及纳米梁与 驱动电极间距离均取得尽量小，更进一步增加了纳米梁与基底吸合的可能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够解决纳米梁吸合效应问题的谐振器纳米梁静电 吸合控制系统及其控制方法，该方法利用石墨烯薄膜电阻阻值随着纳米梁弯曲变形而变化 的特性（KimKS，ZhaoY，JangH，eial.Large-scalepatterngrowthofgrapheme filmsforstretchabletransparentelectrodes.Nature，2009,457:706_709)提取纳米 梁振动信号，以该信号作为控制信号进行纳米梁振动控制，解决纳米器件振动吸合问题。 本专利技术具体采用以下技术方案： 本专利技术提供一种谐振器纳米梁静电吸合控制系统，包括驱动装置、信号提取装置和控 制装置三部分；所述驱动装置包括驱动电极、信号发生器和纳米梁，其中驱动电极位于纳米 梁下方，且与纳米梁平行，信号发生器一端连接驱动电极，另一端连接纳米梁，三者组成串 联电路；所述信号提取装置包括石墨烯薄膜传感器、控制电源和分压电阻，且三者组成一个 闭合电路，其中所述石墨烯薄膜传感器一端与控制电源相连，另一端与分压电阻相连，所述 分压电阻另一端与控制电源串联；所述控制装置包括吸合控制器和轴向平行板控制器，且 吸合控制器、轴向平行板控制器与石墨烯薄膜传感器组成闭合回路，其中所述吸合控制器 一端与石墨烯薄膜传感器相连，另一端与轴向平行板控制器的右极板相连，所述轴向平行 板控制器的左极板与石墨烯薄膜传感器另一端相连接。 本专利技术同时提出一种谐振器纳米梁静电吸合控制系统的控制方法，其具体实施步 骤如下： 步骤一，确定纳米梁主共振峰值振幅<3^: 为纳米梁简谐振动的振动频率，《Γ为时滞，0为纳米梁的模态函数，府pJ分别是纳米梁 的杨氏弹性模量和横截面面积，r是纳米梁的宽度，A为纳米梁厚度，P为纳米梁的密度， #为纳米梁粘弹性系数，&和&为反馈控制参数，#为驱动电极与纳米梁下表面的距离，J 为纳米梁的长度，r为石墨烯薄膜传感器电阻，A为分压电阻，〖为控制电源所产生的控制电 压，ε。为真空介电常数，X为纳米梁在水平方向上的位置坐标，4为轴向平行板控制器左右 极板间的距离，Pd和為分别为石墨烯薄膜传感器的电阻率和截面面积； 步骤二，确定纳米梁吸合临界烧度r。： :竭_屬g; 步骤三，确定纳米梁吸合临界电压匕：式中，gs =tjylA)-，a和A分别为轴向平行板控制器极板的长度和宽度； 步骤四，纳米梁与基底电极吸合时驱动电压的吸合频率 使用时，本专利技术的一种，通过调节 信号源产生的驱动电压K使其在吸合频率ο下小于吸合临界电压t避免纳米梁与驱动 电极的吸合。 本专利技术区别于其他创新技术的创新点和特色如下： 1.本专利技术，利用石墨烯薄膜的电阻随 着其变形而变化的特性，作为位移传感器件应用于纳米梁的吸合控制，解决了现有NEMS器 件因纳米梁与基底发生吸合效应而失效的问题。 2.本专利技术，利用轴向平行板静电 控制器作用于纳米梁两端的轴向力的牵引作用防止纳米梁与基底的吸合，保证了超高频谐 振器的稳定工作。 3.本专利技术利用轴向平行板控制器进行纳微结构轴向吸合控制，尺寸较小，符合 纳米梁微小尺度的设计理念。 4.本专利技术通过设置时滞和控制增益可以提高吸合临界电压，进一步避免了纳米 梁的吸合。【附图说明】： 图1为谐振器纳米梁静电吸合控制结构示意图。 图2为吸合临界电压在不同控制电极间间隙下与时滞的关系曲线。 图3三种时滞下控制电源所产生的控制电压的变化对吸合临界电压的影响关系 曲线。图4驱动电压的吸合频率在不同反馈增益下与时滞关系曲线。 图中：1、驱动电极，2、信号发生器，3、纳米梁，4、石墨烯薄膜传感器，5、控制电源， 6、 分压电阻，7、吸合控制器，8、轴向平行板控制器。【具体实施方式】 下面通过实施例对本专利技术作进一步说明。 本实施例的谐振器纳米梁静电吸合控制系统如图1所示，谐振器纳米梁静电吸合 控制系统，包括驱动装置、信号提取装置和控制装置三部分；所述驱动装置包括驱动电极 1、信号发生器2和纳米梁3,其中驱动电极1位于纳米梁3下方，且与纳米梁3平行，信号 发生器2 -端连接驱动电极1，另一端连接纳米梁3,三者组成串联电路；所述信号提取装置 包括石墨烯薄膜传感器4、控制电源5和分压电阻6,且三者组成一个闭合电路，其中所述石 墨烯薄膜传感器4 一端与控制电源5相连，另一端与分压电阻6相连，所述分压电阻另一端 与控制电源5串联；所述控制装置包括吸合控制器7和轴向平行板控制器8,且吸合控制器 7、 轴向平行板控制器8与石墨烯薄膜传感器4组成闭合回路，其中所述吸合控制器7 -端 与石墨烯薄膜传感器4相连，另一端与轴向平行板控制器8的右极板相当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振器纳米梁静电吸合控制系统，包括驱动装置、信号提取装置和控制装置三部分，其特征在于：所述驱动装置包括驱动电极(1)、信号发生器(2)和纳米梁(3)，其中驱动电极(1)位于纳米梁(3)下方，且与纳米梁(3)平行，信号发生器(2)一端连接驱动电极(1)，另一端连接纳米梁(3)，三者组成串联电路；所述信号提取装置包括石墨烯薄膜传感器(4)、控制电源(5)和分压电阻(6)，且三者组成一个闭合电路，其中所述石墨烯薄膜传感器(4)一端与控制电源(5)相连，另一端与分压电阻(6)相连，所述分压电阻另一端与控制电源(5)串联；所述控制装置包括吸合控制器(7)和轴向平行板控制器(8)，且吸合控制器(7)、轴向平行板控制器(8)与石墨烯薄膜传感器(4)组成闭合回路，其中所述吸合控制器(7)一端与石墨烯薄膜传感器(4)相连，另一端与轴向平行板控制器(8)的右极板相连，所述轴向平行板控制器(8)的左极板与石墨烯薄膜传感器(4)另一端相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘灿昌，岳书常，巩庆梅，刘文晓，马驰骋，周继磊，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：山东;37