分布反馈半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种分布反馈半导体激光器，上述激光器为多层复合结构，其中，多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层、P型电极组成，激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和减反膜层，光栅层的光栅布拉格波长与有源区增益峰波长失谐并相对蓝移。可以有效地减小激光器输出光信号在XG-PON或10G-EPON光纤接入网络中传输时由器件寄生啁啾引起的色散功率代价。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信领域，具体而言，涉及一种分布反馈半导体激光器。
技术介绍
目前，在各种宽带接入技术中，无源光网络(Ρ0Ν)接入技术拥有容量大、传输距离长、成本较低、全业务支持等优势。相关技术中已经标准化的无源光网络主要包括:异步转移模式无源光网络(ΑΡΟΝ)、以太网无源光网络(ΕΡ0Ν)、千兆无源光网络(GP0N)、10G-EP0N和XG-PON。10G-EP0N和XG-P0N是在ΕΡ0Ν和GP0N之后系统带宽升级到10Gb/s的光接入网技术。在已经制定的10G Ρ0Ν标准中(XG-P0N和10GEP0N)，从中心局端到用户端的下行链路的光源波长设置在1574-1580nm之间。调制速率为lOGb/s的L波段直接调制半导体激光器作为下行链路的光源器件存在以下缺陷:用于信号传输的标准单模光纤在1574-1580nm的波长范围内较1550nm处具有更大的色散效应。当光源具有一定的频谱线宽时，不同波长的光在光纤中的传播速度差别更大，从而导致更为严重的脉冲波形展宽，进而产生更大的码间串扰，由此极大地限制了信号的传输距离。目前，国际上普遍采用的是电吸收调制激光器(EML)作为上述系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分布反馈半导体激光器，其特征在于，包括：所述激光器为多层复合结构，其中，所述多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层以及P型电极组成，所述激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和减反膜层，所述光栅层的光栅布拉格波长与有源区增益峰波长失谐并相对蓝移。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：奚燕萍，李洵，王莹，付志明，匡国华，
申请(专利权)人：华中科技大学，中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42