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本发明公开了一种分布反馈半导体激光器，上述激光器为多层复合结构，其中，多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层、P型电极组成，激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和...
该专利属于华中科技大学;中兴通讯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学;中兴通讯股份有限公司授权不得商用。

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