本发明专利技术涉及一种二异丙基萘的生产方法，主要解决现有技术存在2,6-二异丙基萘选择性低、催化剂失活快的问题。本发明专利技术所用的催化剂为有机硅沸石，其包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al2O3：SiO2：(m/n)R，式中n＝5～250，m＝0.01～50，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；所述有机硅沸石的Si29NMR固体核磁图谱在-80～+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰；所述有机硅沸石的X-射线衍射图谱在12.4±0.2,11.0±0.3,9.3±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2,5.5±0.2,4.4±0.2,4.0±0.2和3.4±0.1埃处有d-间距最大值，可用于制备二异丙基萘的工业生产中。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二异丙基蔡的生产方法。
技术介绍
二异丙基蔡是一类无色无味低毒低凝点、用途广泛的重要有机化工原料。其中的 2, 6-二异丙基蔡是制造高性能聚合物聚2, 6-蔡二酸二己醋（阳脚的原料。阳N有很好的 耐热性、气体阻透性、紫外线遮断性和耐化学药品性等优异品质，可W制造热罐装饮料瓶、 可回收啤酒瓶、高档化妆品瓶或高性能薄膜，是目前炙手可热的新型聚醋材料。混合二异丙 基蔡也可直接作为高温载热体，无碳复写纸染料溶剂及电容器浸溃剂等等。制造二异丙基 蔡的工艺除了采用蔡和丙帰液相烷基化法，也可W使用异丙基蔡的歧化反应法。 MWW结构的分子筛同时具有十元环和十二元环孔道和开口的半笼结构，并有高 热稳定性和较强的酸性，普遍应用于苯的烷基化等反应中，但文献中很少有报道该种分 子筛应用于制备二异丙基蔡的系列反应，用于异丙基蔡的歧化反应的就更少了。Robot 化zozowski, Wincenty Skupinski 在 Journal of Catalysis, 220:13-22 -文中，义用了无 定型（娃铅摩尔比13. 4) AM、高娃铅比丝光沸石（娃铅摩尔比84) HM-I、低娃铅比丝光沸石 (娃铅摩尔比9. 9) HM-2、Y沸石（娃铅摩尔比5. 8) HY、目沸石（娃铅摩尔比25)等几种催 化剂评价了 2-异丙基蔡的歧化反应。在25(TC的反应温度下，反应6小时后，各催化剂上 的结果依次为 AM 转化率 40. 1 %，2, 6/2, 7 = 0. 98 ;HM-1 转化率 26. 4 %，2, 6/2, 7 = 1. 30 ; HM-2 转化率 10. 9%，2, 6/2, 7 = 1.71 ;HY转化率 39. 8%，26/27 = 0.83 ;皿转化率 48. 1%, 2, 6/2, 7 = 0. 91。作者得出结论，在丝光沸石的孔道中更易生成线形分子的2, 6-二异丙基 蔡，在HY和皿的孔道中更易生成2, 7-二异丙基蔡。 文献US4950824提到了可W用包括异丙基蔡和二异丙基蔡为原料得到一种含单、 双和H异丙基蔡的混合物，经组分分离后得到2, 6-二异丙基蔡的方法。JP02088531公开使 用含娃铅的固体酸催化剂，在蔡与丙帰反应得到单和二异丙基蔡产物后，在较高温度下将 产物进行烷基转移反应，提高2, 6-二异丙基蔡的收率。W上两个专利事实上包括了异丙基 蔡的歧化反应方法。 文献JP63230646专口提到了歧化反应。为了得到高收率的相应产物，显著提高催 化剂的活性，可W通过采用IPN的歧化反应，在饱和脂环姪存在下（优选十氨蔡、双环己焼 等，使用量占二异丙基蔡的0. 2-10%Wt)使用八面沸石分子筛作催化剂。在160~30(TC 温度、反应压力> 0. 5Kg/cm2条件下，得到2, 6或2, 7-二异丙基蔡。 W上方法都存在2, 6-二异丙基蔡选择性低、催化剂失活快的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有技术存在2, 6-二异丙基蔡选择性低、催化剂 失活快的问题，提供一种新的二异丙基蔡的生产方法。该方法具有2, 6-二异丙基蔡选择性 好，催化剂寿命较长，长时间运行积碳少的特点。为解决上述技术问题，本专利技术采取的技术方案如下：一种二异丙基蔡的生产方法， W异丙基蔡为原料，在反应温度为150~30(TC，反应压力为0~3. OMPa,异丙基蔡的重量 空速为0. 1~10小时1的条件下，反应原料与催化剂接触生成二异丙基蔡；所述催化剂W 重量百分比计包括W下组分： a) 50~80 %的有机娃沸石； b) 20~50 %的粘结剂； 所述有机娃沸石包括W下摩尔关系的组成；（l/n)Al2〇3 ;Si〇2 ;(m/n)R，式中n = 5~250,m = 0.0 l~50, R为烷基、焼帰基或苯基中的至少一种；所述有机娃沸石的Si29NMR 固体核磁图谱在-80~巧化pm之间至少包含有一个Si 29核磁共振谱峰；所述有机娃沸石 的 X-射线衍射图谱在 12. 4 + 0. 2, 11. 0 + 0. 3, 9. 3 + 0. 3, 6. 8 + 0. 2, 6. 1 + 0. 2, 5. 5 + 0. 2, 4. 4 + 0. 2, 4. 0 + 0. 2和3. 4 + 0. 1埃处有d-间距最大值。[001引 上述技术方案中，优选地，n = 10~100, m = 0. 05~20。 上述技术方案中，优选地，所述烷基为碳原子数为1~8的烷基，所述焼帰基为碳 原子数为2~10的焼帰基。更优选地，所述烷基为甲基或己基，所述焼帰基为己帰基。 上述技术方案中，优选地，所述二异丙基蔡选自2, 6-二异丙基蔡或2, 7-二异丙基 蔡中的至少一种。 上述技术方案中，优选地，所述粘结剂选自氧化铅、氧化铁、氧化锋或氧化铅中的 至少一种。 上述技术方案中，优选地，反应温度为150~270°C。 上述技术方案中，优选地，反应压力为0. 1~3. OMPa。 上述技术方案中，优选地，异丙基蔡的重量空速为0. 1~2小时1。 本专利技术方法中的有机娃沸石的合成方法如下： a)将有机娃源、无机娃源、铅源、碱、有机胺模板剂和水混合，W无机娃源中的Si〇2 为基准，反应混合物W摩尔比计为；Si化/AI2化=5~250,有机娃源/Si02 = 0.0 Ol~1， OH /Si〇2 = 0.0 l ~5. 0, H2〇/Si〇2 = 5 ~100,有机胺 /Si〇2 = 0.0 l ~2. 0 ;[002。 b)将上述反应混合物在晶化反应温度为90~20(TC条件下，反应1~100小时后 取出，经水洗、干燥制得有机娃沸石。 上述技术方案中，无机娃源为选自娃溶胶、固体氧化娃、硅胶、娃酸醋、娃藻±或水 玻璃中的至少一种。有机娃源为选自因娃焼、娃氮焼或烷氧基娃焼中的至少一种；其中因 娃焼为选自H甲基氯娃焼、二甲基二氯娃焼、H己基氯娃焼、二己基二氯娃焼、二甲基氯漠 娃焼、二甲基己基氯娃焼、二甲基了基氯娃焼、二甲基苯基氯娃焼、二甲基异丙基氯娃焼、二 甲基叔了基氯娃焼、二甲基十八烷基氯娃焼、甲基苯基己帰基氯娃焼、己帰基二氯娃焼或二 苯基二氯娃焼中的至少一种；娃氮焼为选自六甲基二娃氮焼、走甲基二娃氮焼、四甲基二娃 氮焼、二己帰基四甲基二娃氮焼或二苯基四甲基二娃氮焼中的至少一种；烷氧基娃焼为选 自H甲基己氧基娃焼、二甲基二己氧基娃焼、H甲基甲氧基娃焼、二甲基二甲氧基娃焼、H 甲氧基苯基娃焼或二苯基二己氧基娃焼中的至少一种。铅源为选自铅酸钢、偏铅酸钢、硫酸 铅、硝酸铅、氯化铅、氨氧化铅、氧化铅、高岭±或蒙脱±中的至少一种。碱为无机碱，为选自 氨氧化裡、氨氧化钢、氨氧化钟、氨氧化颂或氨氧化锥中的至少一种。有机模板剂为选自己 二胺、己二胺、环己胺、六亚甲基亚胺、走亚甲基亚胺、化巧、六氨化巧、了胺、己胺、辛胺、癸 胺、十二胺、十六胺或十八胺中的至少一种。 反应混合物W无机娃源中的Si〇2为基准，W摩尔比计优选范围为；Si〇2/Al2〇3 = 10 ~100,有机娃源 /Si02 = 0. 005 ~0. 5, OH-/Si〇2 = 0. 05 ~1. 0, H2〇/Si〇2 = 10 ~80， 有机模板剂/Si〇本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二异丙基萘的生产方法，以异丙基萘为原料，在反应温度为150～300℃，反应压力为0～3.0MPa，异丙基萘的重量空速为0.1～10小时‑1的条件下，反应原料与催化剂接触生成二异丙基萘；所述催化剂以重量百分比计包括以下组分：a)50～80％的有机硅沸石；b)20～50％的粘结剂；所述有机硅沸石包括以下摩尔关系的组成：(1/n)Al2O3：SiO2：(m/n)R，式中n＝5～250，m＝0.01～50，R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种；所述有机硅沸石的Si29NMR固体核磁图谱在‑80～+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰；所述有机硅沸石的X‑射线衍射图谱在12.4±0.2,11.0±0.3,9.3±0.3,6.8±0.2,6.1±0.2,5.5±0.2,4.4±0.2,4.0±0.2和3.4±0.1埃处有d‑间距最大值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚晖，高焕新，魏一伦，季树芳，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司，中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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