一种太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。与现有技术相比，本实用新型专利技术不需要减反膜和Ag副栅线，通过设置碳纳米管阵列、透明导电薄膜和Ag主栅线形成复合正面电极，具有大大降低了Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了载流子的收集效率，降低了横向电阻，大大提高了电池的转换效率的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电池
，更具体的是涉及一种太阳能电池。
技术介绍
现有的太阳能电池(如图1，图2所示)，包括Ag背电极P、A1背场2'、P型硅3'、N+层4'、减反膜5'、Ag正电极6'，A1背场2'、P型硅3'、N+层4'和减反膜5'依次层叠设置，为了提高太阳电池的效率，人们在电池的正面制作了减反射膜5'，Ag正电极6'由Ag主栅线61'和Ag副栅线62'组成:用Ag制作电极一方面价格比较昂贵，其占太阳能电池成本的10%以上；另一方面Ag的储存量有限，不利于太阳能电池行业的长远发展；此外，Ag正电极6'的存在会遮掉一部分太阳光子，使得实际到达p-n的光子数量大大下降，会降低太阳能电池的转换效率。因此，如何开发一种新的正面电极，使其不但可以解决Ag价格高和储量有限的问题，还可以提升电池转换效率，成为各大研究机构和太阳能电池厂研究的热点。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供一种大大降低Ag的消耗量和降低硅片反射率的太阳能电池。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种太阳能电池，包括Ag背电极、A1背场、P型娃、N+层和Ag主栅线，A1背场、P型硅和N+层依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池,包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag主栅线,Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，Ag背电极印刷在Al背场下表面，其特征在于：所述太阳能电池还包括碳纳米管阵列和透明导电薄膜，碳纳米管阵列与N+层相接触，透明导电薄膜层叠在N+层上侧并覆盖碳纳米管阵列，Ag主栅线印刷在透明导电薄膜上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石强，秦崇德，方结彬，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44