低雾度透明导体制造技术

本公开涉及低雾度透明导体、墨水组合物以及制造低雾度透明导体和墨水组合物的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开设及低雾度透明导体、墨水组合物W及制造低雾度透明导体和墨水组合物 的方法。
技术介绍
透明导体是光学透明且导电的膜。其广泛地用在显示器、触摸板、光伏（PV)、各种 电子报、静电屏蔽、加热或防反射涂层（例如窗户）等领域。各种技术已基于例如金属纳米 结构、透明传导氧化物（例如，通过溶胶凝胶方法）、传导聚合物和/或碳纳米管的一种或多 种传导媒介来制造透明导体。通常，透明导体还包括其上沉积有或涂有传导膜的透明衬底。 根据最终用途，透明导体可W创建有预定的电学特性和光学特性，包括例如薄层 电阻、光学透明度W及雾度。通常，制造透明导体需要电学性能与光学性能之间的权衡。作 为针对基于纳米结构的透明导体的一般规则，高透射率和低雾度通常与较少的传导纳米结 构相关联，而运转而导致较高的薄层电阻（即，较低的传导性）。 阳0化]透明导体的许多商业应用（例如触摸板和显示器）需要雾度水平保持在2%之下。 由于在获得如此低水平的雾度时不可能保持满意的传导率，所W尤其对制造低雾度透明导 体存在挑战。
技术实现思路
本文所描述的是低雾度透明导体，其在保持高导电性（例如小于350欧姆/平方） 的同时具有小于1. 5%的雾度（更典型地，小于0. 5% )还描述了制造该低雾度透明导体的 方法。 一个实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有小于1. 5%的雾度W及小于350欧姆/平方的薄层电阻。 又一实施方案提供了一种透明导体，其中薄层电阻小于50欧姆/平方。 又一实施方案提供了一种透明导体，其中雾度小于0. 5%。 另一实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有约0. 3-0. 4%的雾度W及约170-350欧姆/平方的薄层电阻。 另一实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有约0. 4-0. 5%的雾度W及约120-170欧姆/平方的薄层电阻。 另一实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有约0. 5-0. 7%的雾度W及约80-120欧姆/平方的薄层电阻。 另一实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有约0. 7-1. 0%的雾度W及约50-80欧姆/平方的薄层电阻。 另一实施方案提供了一种透明导体，包括多个传导纳米结构，其中所述透明导体 具有约1. 0-1. 5%的雾度W及约30-50欧姆/平方的薄层电阻。 另一些实施方案提供了一种具有W上膜规格的透明导体，其中具有至少为10的 长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的长度不超过55 ym，或者其中 具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的长度不超过 45 ym，或者其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构 的长度约为5至50 ym，或者其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95% 的传导纳米结构的长度约为5至30 ym，或者其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米 结构的平均长度约为10-22 ym，或者其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构的 平均长度平方约为120-400 y m2。 另一些实施方案提供了一种具有W上膜规格的透明导体，其中具有至少为10的 长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的直径不超过55nm，或者其中 具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的直径不超过 45nm，或者其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构 的直径约15至50nm，或者具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导 纳米结构的直径约20至40nm，或其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构的平均 直径约为26-32nm且标准差在4-6nm的范围内，或其中具有至少为10的长宽比的所述传导 纳米结构的平均直径约为29皿且标准差在4-5皿的范围内。 另一些实施方案提供了一种具有W上膜规格的透明导体，其中具有至少为10的 长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的长度不超过55 ym，并且具有至 少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的直径不超过55nm ;或 其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构的长度约为 5至50 ym，并且具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构 的直径约为15至50nm ;或其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的 传导纳米结构的长度约为5至30 ym，并且具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中 超过95%的传导纳米结构的直径约为20至40nm ;或其中具有至少为10的长宽比的所述传 导纳米结构的平均长度约为10-22 ym，并且具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构 的平均直径约为26-32皿且标准差在4-6皿的范围内；或其中具有至少为10的长宽比的所 述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的长度不超过45 y m，并且具有至少为10的长 宽比的所述传导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的直径不超过45nm。 另一些实施方案提供了一种方法，包括：从包括金属盐和还原剂的反应溶液中生 长金属纳米线，其中生长步骤包括： 将所述反应溶液中的所述金属盐的第一部分与所述还原剂反应第一时间段，W及 在第二时间段中逐渐添加所述金属盐的第二部分，并且保持所述反应溶液中的所 述金属盐小于0. 1% w/w的基本恒定浓度。 又一些实施方案提供了一种墨水组合物，其包括：多个传导纳米结构、粘度调节 剂、表面活性剂W及分散流体，其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过 99 %的传导纳米结构的长度不超过55 Ji m。 附加的实施方案提供了一种墨水组合物，其中具有至少为10的长宽比的所述传 导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的长度不超过45 ym ;或其中具有至少为10的长宽 比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构的长度约为5至50 ym ;或其中具有至 少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构的长度约为5至30 ym ; 或其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构的平均长度约为10-22 ym ;或其中具 有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构的平均长度平方约为120-400 ym2。 又一实施方案提供了一种墨水组合物，其包括：多个传导纳米结构、粘度调节剂、 表面活性剂W及分散流体，其中具有至少为10的长宽比的所述传导纳米结构中超过99% 的传导纳米结构的直径不超过55皿。 附加的实施方案提供了一种墨水组合物，其中具有至少为10的长宽比的所述传 导纳米结构中超过99%的传导纳米结构的直径不超过45nm;其中具有至少为10的长宽比 的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构的直径约15至50nm ;其中具有至少为10 的长宽比的所述传导纳米结构中超过95%的传导纳米结构的直径约20至40nm;其中具有 至少为10的长宽比的所述传导纳米结构的平均直径约26-32皿且标准差在4-6皿的范围本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：从包括金属盐和还原剂的反应溶液中生长金属纳米线，其中生长的步骤包括：将所述反应溶液中的所述金属盐的第一部分与所述还原剂反应第一时间段，以及在第二时间段中逐渐添加所述金属盐的第二部分，并且保持所述反应溶液中的所述金属盐小于0.1％w/w的基本恒定浓度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加莱那·塞帕，弗兰克·华莱士，
申请(专利权)人：凯博瑞奥斯技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US