显示设备制造技术

本发明专利技术是有关于一种显示设备，包括：一基板；一薄膜晶体管单元，设置于该基板上，且该薄膜晶体管单元包括：一栅极、一绝缘层、一半导体层、一源极及一漏极；以及一遮光单元，设置于该基板与该薄膜晶体管单元之间，且该遮光单元包括：一遮光层及一第一缓冲层，该第一缓冲层设置于该遮光层及该薄膜晶体管单元之间；其中，波长范围介于200nm至510nm的光线通过该遮光层的穿透率介于0至15％之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种显示设备，尤指一种改善薄膜晶体管单元稳定性的显示设备。
技术介绍
随着显示器技术不断进步，使用者对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均 朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，因此目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极 射线管发展成液晶显示设备（IXD)或有机发光二极管装置（OLED)。 在LCD或OLED中，由于薄膜晶体管单元（TFT)的有源层材料的能隙一般与紫外光 (UV)、蓝光相近，因此，TFT对于紫外光、紫光及蓝光十分敏感，在紫外光、紫光或蓝光照射下 (例如在工艺中照射紫外光、紫光或蓝光、或来自外在环境的紫外光、紫光或蓝光），TFT中 会产生额外的空穴，造成TFT中的载流子通道（channel)上包含额外的空穴，进而影响TFT 电性偏移，例如阀值电压（Vth)负偏、漏电流上升等；更使OLED在暗态操作时会有漏光现 象、或移位寄存器（Shift RegiSter，S/R)、数据多工器（Data Mux)及其他驱动电路无法正 常运作等问题。 有鉴于此，目前亟需发展一种改善上述问题的显示设备，提升显示设备的显示质 量并延长其使用寿命，期盼带给消费者更稳定、更高质量的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种显示设备，以能够减少显示设备中的薄膜晶体管 单元受到紫外光、紫光或蓝光影响，进而有效提升显示设备的稳定性及显示质量。 为了达成上述目的，本专利技术提供一种显示设备，包括：一基板；一薄膜晶体管单 元，设置于该基板上，且该薄膜晶体管单元包括：一栅极、一绝缘层、一半导体层、一源极及 一漏极；以及一遮光单元，设置于该基板与该薄膜晶体管单元之间，且该遮光单元包括：一 遮光层及一第一缓冲层，该第一缓冲层设置于该遮光层及该薄膜晶体管单元之间；其中，波 长范围介于20〇111]1至51〇111]1的光线通过该遮光层的穿透率介于0至15%之间。 据此，本专利技术利用该遮光层吸收短波长光线（例如在工艺中照射紫外光、紫光或 蓝光、或来自外在环境的紫外光、紫光或蓝光），削弱短波长光线穿透该遮光层的强度，如此 一来，可有效减少短波长光线接触到薄膜晶体管单元的有源层通道，进而减少薄膜晶体管 单元的电性偏移，并改善显示设备在暗态操作时的漏光现象、或移位寄存器、数据多工器及 其他驱动电路无法正常运作等问题，因此，本专利技术的显示设备可提供更稳定、更高质量的显 示效果。【附图说明】 图1为本专利技术一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。 图2为本专利技术另一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。 图3为本专利技术再一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。 图4为本专利技术一优选实施例的显示设备示意图。 图5为本专利技术另一优选实施例的显示设备示意图。 图6为本专利技术再一优选实施例的显示设备示意图。 图7为本专利技术图1结构的不同波长光线的反射率和穿透率结果图。 图8为本专利技术图1结构于IXD的LED背光源未经过遮光层及经过遮光层后的光强 度与波长的关系图。 图9为本专利技术图1结构的负偏压照光Stress(NBIS)试验结果图。【符号说明】 1 基板 35 源极 2 遮光单元 36 漏极 21 遮光层 37 第二保护层 211 开口 4 液晶单元 22 第一缓冲层 5 彩色滤光片单元 23 第二缓冲层 6 第二基板 3 薄膜晶体管单元 7 背光模块 31 半导体层 8 有机发光二极管 32 绝缘层 81 发光区 33 栅极 9 封装单元 34 第一保护层【具体实施方式】 以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明 书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可通过其他不同的具体实 施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不悖离本专利技术 创造的精神下进行各种修饰与变更。 请参照图1，本专利技术的显示设备包括：一基板1 ;一薄膜晶体管单元3,设置于该基 板1上，且该薄膜晶体管单元3包括：一半导体层31、一绝缘层32、一栅极33、一第一保护 层34、一源极35、一漏极36、及一第二保护层37 ;以及一遮光单元2,设置于该基板1与该 薄膜晶体管单元3之间，且该遮光单元2包括：一遮光层21、一第一缓冲层22、及选择性地 包含一第二缓冲层23,该第一缓冲层22设置于该遮光层21及该薄膜晶体管单元3之间，该 第二缓冲层23设置于该遮光层21及该基板1之间。 在本实施例中，薄膜晶体管单元3可采用现有的薄膜晶体管工艺制作，故在此不 再赘述；图1所示为一顶栅极式（top gate)薄膜晶体管单元，而一底栅极式（bottom gate) 薄膜晶体管单元也可用于本专利技术，薄膜晶体管单元3的结构可由本领域的技术人员简单调 整。例如，目前已知如图2所示的刻蚀阻挡层结构（etching stop layer structure，ESL)、 或如图3所示的背通道刻蚀结构（back channel etching structure, BCE)都可应用于本 专利技术。 此外，基板1可使用本
常用的基板，如玻璃基板、塑料基板、硅基板及陶 瓷基板等。再者，栅极33、源极35及漏极36的材料可分别使用本
常用的导电材 料，如金属、合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他本
常用的电极材料；且优选 为金属材料，但本专利技术不仅限于此。至于绝缘层32的材料，则可采用本
常用的栅 极绝缘层材料，如氮化硅（SiNx)、氧化硅（SiOx)或其组合；而半导体层31，也可采用本技术 领域常用的半导体层材料，例如氧化铟镓锌（IGZO)、氧化铟锡锌ΙΤΖ0、其他金属氧化物半 导体、非晶5圭、多晶5圭、结晶5圭及其他有机半导体例如P13、DH4T、五苯环的有机材料等；另 外，第一保护层34及第二保护层37的材料可为本
常用的如氮化硅（SiNx)、氧化硅 (SiOx)或其组合的钝化层材料。然而，本专利技术并不仅限于此。 在本实施例中，波长510nm以下光线（尤其是介于200nm至510nm的紫外光、紫光 及蓝光）经过遮光层21后的穿透率为15%以下。因此，来自外在环境的光线中，波长范围 于200nm至510nm的光线（例如在工艺中照射紫外光或蓝光、或来自外在环境的紫外光或 蓝光）会被遮光层21阻挡大部分的强度，减少该些光线对薄膜晶体管单元3的影响。 在遮光单元2中，该遮光层21的性质并无特别限制；在365nm至510nm的光波长 下，该遮光层21的折射率（η)优选为介于4. 5至6之间；在200nm至510nm的光波长下， 该遮光层21的消光系数（k)优选为介于0. 5至6之间；及该遮光层21的厚度优选为介于 120nm至400nm之间。在满足上述优选范围下，该遮光层21的材料可为非晶娃（amorphous Si)、多晶娃（Polysilicon)、结晶娃（Crystalline Si)、或其组合，但本专利技术并未受限于此。 在遮光单元2中，该第一缓冲层22当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备，其特征在于，包括：一基板；一薄膜晶体管单元，设置于该基板上，且该薄膜晶体管单元包括：一栅极、一绝缘层、一半导体层、一源极及一漏极；以及一遮光单元，设置于该基板与该薄膜晶体管单元之间，且该遮光单元包括：一遮光层及一第一缓冲层，该第一缓冲层设置于该遮光层及该薄膜晶体管单元之间；其中，波长范围介于200nm至510nm的光线通过该遮光层的穿透率介于0至15％之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周政旭，沈羲和，张志雄，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71