【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光波导与单模光纤的耦合方法和耦合装置
本专利技术实施例涉及通信领域,并且更具体地,涉及光波导与单模光纤的耦合方法和耦合装置。
技术介绍
随着高速信息化技术的发展,集成光学器件正逐渐取代传统的微光学器件,成为未来光通信、光计算和光传感等领域的核心结构单元。以硅波导(SiliconWaveguide)为例,由于芯层硅和包层二氧化硅之间存在的高折射率差,使得基于绝缘衬底上的硅(Silicon-On-Insulator,SOI)材料的硅波导对传输光场有着极强的束缚作用,在单模条件下硅波导具有很小的截面尺寸,从而可以实现小型化和高集成密度的光子器件;同时,SOI制作工艺具有与传统互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor,CMOS)工艺兼容,能够实现光子器件和电子器件集成的优点。因此,SOI材料已成为制备集成光波导器件的主要材料,有着广泛的应用前景。对于集成光波导器件来说,一个关键问题是光信号的输入与输出以实现器件与片外光学系统的通信,特别是对于目前硅的发光效率未达到实用要求时,需要利用光纤从光波导外部引入光源。然而,由于集成光波导对光场具有强束缚能力,单模传输时其模斑尺寸约在百纳米量级且其模场形状通常为椭圆形;而普通单模光纤对光场束缚能力较弱,单模传输时其模斑尺寸一般约为10μm且其模场形状为圆形。在这种情况下,当集成光波导和单模光纤直接耦合时,两者不仅在模斑尺寸上存在着巨大的差异,其模场形状也严重失配,同时耦合时两者界面间的折射率差也会引入额外的菲涅耳反射(FresnelReflecti ...
【技术保护点】
PCT国内申请,权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光波导与单模光纤的耦合方法,其特征在于,包括:在衬底上设置定位槽,其中,所述衬底上还设置有第一光波导,所述第一光波导的一端具有宽度逐渐减小的倒锥形结构,且所述倒锥形结构的通过锥尖的中心线与所述定位槽的中心线平行;将一端具有直径逐渐减小的光纤锥结构的单模光纤固定于所述定位槽内,使得所述第一光波导与所述单模光纤的中心线平行,其中,所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端与所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端相对设置;根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,以使得所述第二光波导位于所述第一光波导与所述单模光纤之间,所述第二光波导通过所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端与所述第一光波导光耦合,且所述第二光波导通过所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端与所述单模光纤光耦合。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,以使得所述第二光波导位于所述第一光波导与所述单模光纤之间,所述第二光波导通过所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端与所述第一光波导光耦合,且所述第二光波导通过所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端与所述单模光纤光耦合,包括:根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,以使得所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端和所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端均包埋于所述第二光波导内。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,以使得所述第二光波导位于所述第一光波导与所述单模光纤之间,所述第二光波导通过所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端与所述第一光波导光耦合,且所述第二光波导通过所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端与所述单模光纤光耦合,包括:根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,以使得所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端包埋于所述第二光波导内,且所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端与所述第二光波导通过倏逝场光耦合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一光波导的位置和所述单模光纤的位置,在所述衬底上设置第二光波导,包括:确定所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端的端头位置和所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端的端头位置;根据所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端的端头位置和所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端的端头位置,确定所述第二光波导在所述衬底上的路径;根据所述第二光波导在所述衬底上的路径,在所述衬底上设置所述第二光波导。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端的端头位置和所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端的端头位置,确定所述第二光波导在所述衬底上的路径,包括:根据所述单模光纤的具有光纤锥结构的一端的端头位置和所述第一光波导的具有倒锥形结构的一端的端头位置,确定所有可能的路径中耗损最小的路径;将所述损耗最小的路径作为所述第二光波导在所述衬底上的路径。6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二光波导在所述衬底上的路径,在所述衬底上设置所述第二光波导,包括:在所述衬底上旋涂一层紫外光敏感聚合物材料;采用紫外激光沿着所述第二光波导在所述衬底上的路径直写所述紫外光敏感聚合物材料,以形成所述第二光波导。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:王攀,张灿,郝沁汾,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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