一种提高散热性能的背光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种提高散热性能的背光器件，包括：底盖；发光模块，其包括固定于所述底盖上的基板，所述基板上固定多个发光器件组，所述发光器件组包括彼此间隔设置的多个发光器件；所述发光器件沿径向由内到外依次包括发光主体、绝缘层以及导热层；散热模块，其包括多个分别可拆卸设置在相邻所述第二凹槽之间的散热管体；本发明专利技术结构简单，通过在相邻所述第二凹槽之间设置散热管体，散热管体通过支架水平架设在所述基板上，散热管体内填充相变温度为30℃的相变恒温材料颗粒，可以将发光模块散发的热量进行有效散发，避免温度过高对背光器件性能的影响，具有很好的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种提高散热性能的背光器件
本专利技术属于背光器件领域，具体涉及一种提高散热性能的背光器件。
技术介绍
随着社会大发展，人们的生活水平日益提高，在人们的日常生活中，图画显示品质高的液晶显示产品越来越普遍，比如液晶电视、液晶电脑，而背光器件是液晶显示装置必不可少的部件，其起到为液晶显示装置提供光线从而显示图像的作用，背光器件中的发光模块在工作过程中会产生热量，如果热量无法散发，将会加速背光器件老化，从而导致背光器件的过早损坏，目前市面上的背光器件都主要是由底盖、发光模块构成，并不能对发光模块散发的热量进行很好的散发，长期使用将对背光模块的质量造成无法挽回的损害。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是能够提供一种提高散热性能的发光模块，通过在相邻所述第二凹槽之间设置散热管体，散热管体通过支架水平架设在所述基板上，散热管体内填充相变温度为30℃的相变恒温材料颗粒，可以将发光模块散发的热量进行有效散发，避免温度过高对背光器件性能的影响，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是通过在所述底盖下表面沿长度方向间隔的均匀设有多个凸条，有利于增加所述底盖的强度，而凸条截面为圆形，圆形应力交小，进一步促进所述底盖强度的增加。本专利技术提供的技术方案为：一种提高散热性能的背光器件，包括：底盖，其为表面开设第一凹槽的长方体结构；发光模块，其包括固定嵌设于所述第一凹槽的基板，所述基板上开设多个彼此平行的第二凹槽，每个所述第二凹槽内固定嵌设一个发光器件组，所述发光器件组包括彼此间隔设置的多个发光器件，对于任意一个所述发光器件，其为圆柱状结构，所述发光器件的高度为所述第二凹槽的深度的8倍，所述发光器件沿径向由内到外依次包括发光主体、绝缘层以及导热层，所述发光主体为圆柱状结构，所述发光主体沿径向由内到外依次包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，所述第一导电半导体层包括依次叠装并交错设置的多个硅半导体层和锗半导体层，对于任意一个所述硅半导体层和所述锗半导体层，所述硅半导体层和所述锗半导体层的厚度分别为24nm、28nm，所述有源层的厚度为23nm，所述第二导电半导体层为砷化镓半导体层，其厚度为18nm；所述绝缘层为套设在所述发光主体外部的两端封闭的中空圆柱状结构，所述绝缘层的内部填充有氦气，所述绝缘层的厚度为20nm，所述导热层为套设在所述发光主体外部的层状导热片，所述导热层的厚度为15nm；散热模块，其包括多个分别可拆卸设置在相邻所述第二凹槽之间的散热管体，每个所述散热管体通过支架水平架设在所述基板上，所述散热管体的上表面和所述基板的上表面之间的距离为所述发光器件高度的5/8，每个所述散热管体的内部被分隔为多个独立空间，每个所述独立空间内均填充粒径为10nm的相变温度为30℃的相变恒温材料颗粒。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述第一导电半导体层中，所述硅半导体层以及锗半导体层的数量均为2。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述底盖下表面沿长度方向间隔的均匀设有多个凸条，所述凸条截面为圆形。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述凸条与所述底盖连接处呈圆弧状。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述相变恒温材料颗粒的填充量为所述散热管体体积的60％。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述导热片为透明导热硅胶片。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述导热片表面均匀开设多个通孔。优选的是，所述的提高散热性能的背光器件中，所述散热管体表面设有多个弧形凸起。本专利技术至少包括以下有益效果：通过在相邻所述第二凹槽之间设置散热管体，散热管体通过支架水平架设在所述基板上，散热管体内填充相变温度为30℃的相变恒温材料颗粒，可以将发光模块散发的热量进行有效散发，避免温度过高对背光器件性能的影响；还通过在所述底盖下表面沿长度方向间隔的均匀设有多个凸条，有利于增加所述底盖的强度，而凸条截面为圆形，圆形应力交小，进一步促进所述底盖强度的增加。附图说明图1为本专利技术所述的提高散热性能的背光器件的结构示意图；图2为本专利技术所述的提高散热性能的背光器件的截面示意图；图3为本专利技术所述的提高散热性能的背光器件中的发光器件的结构示意图；图4为本专利技术所述的提高散热性能的背光器件中的发光器件中的发光主体的截面示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。如图1-4所示，一种提高散热性能的背光器件，包括：底盖1，其为表面开设第一凹槽的长方体结构；发光模块2，其包括固定嵌设于所述第一凹槽的基板210，这样使得所述发光模块2可以更牢固的固定在所述底盖1上，所述基板210上开设多个彼此平行的第二凹槽220，每个所述第二凹槽220内固定嵌设一个发光器件组，所述发光器件组包括彼此间隔设置的多个发光器件230，将所述发光器件230固定嵌设在所述基板210上的第二凹槽220内，使得所述发光器件230可以更牢固在固定在所述基板210上，对于任意一个所述发光器件230，其为圆柱状结构，所述发光器件230的高度为所述第二凹槽220的深度的8倍，这样既可以将所述发光器件230固定，又可以避免所述第二凹槽220过深所造成的发光器件被遮挡过多，发光效果不好，所述发光器件230沿径向由内到外依次包括发光主体231、绝缘层232以及导热层233，所述发光主体231为圆柱状结构，同体积下，相比较其它形状而言，圆柱状表面积较大，有利于在保持外界输入功率不变的情况下提高发光主体231的发光效率，所述发光主体231沿径向由内到外依次包括第一导电半导体层2311、有源层2312、第二导电半导体层2313，所述第一导电半导体层2311包括依次叠装并交错设置的多个硅半导体层和锗半导体层，这样可以更好地综合利用硅半导体层和锗半导体层的优点，避免使用单一的单质半导体层所引起的缺陷，对于任意一个所述硅半导体层和所述锗半导体层，所述硅半导体层和所述锗半导体层的厚度分别为24nm、28nm，所述有源层2312的厚度为23nm，所述硅半导体层、锗半导体层和有源层2312厚度过高，不仅造成背光器件体积过大，而且制造成本过高，不适宜工业推广，而厚度过低，将会半导体性能产生一定影响，所述第二导电半导体层2313为砷化镓半导体层，其厚度为18nm，砷化镓半导体作为一种化合物半导体，性能很好，所述绝缘层232为套设在所述发光主体231外部的两端封闭的中空圆柱状结构，所述绝缘层的内部填充有氦气，极大的提高了绝缘效果，所述绝缘层232的厚度为20nm，所述导热层233为套设在所述发光主体231外部的层状导热片，所述导热层233的厚度为15nm，所述绝缘层232和导热层233厚度过高，会造成背光器件体积过大，而绝缘层232厚度过低，会造成绝缘层232的绝缘性能下降；散热模块3，其包括多个分别可拆卸设置在相邻所述第二凹槽220之间的散热管体310，可很好的对左右两侧位于所述第二凹槽220内的发光器件230进行散热，每个所述散热管体310通过支架320水平架设在所述基板210上，预留出散热空间，进一步提高散热效果，避免所述散热管体310直接与所述基板210接触而造成热量不易散失，所述散热管体310的上表面和所述基板210的上表面之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
种提高散热性能的背光器件，其特征在于，包括：底盖，其为表面开设第一凹槽的长方体结构；发光模块，其包括固定嵌设于所述第一凹槽的基板，所述基板上开设多个彼此平行的第二凹槽，每个所述第二凹槽内固定嵌设一个发光器件组，所述发光器件组包括彼此间隔设置的多个发光器件，对于任意一个所述发光器件，其为圆柱状结构，所述发光器件的高度为所述第二凹槽的深度的8倍，所述发光器件沿径向由内到外依次包括发光主体、绝缘层以及导热层，所述发光主体为圆柱状结构，所述发光主体沿径向由内到外依次包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，所述第一导电半导体层包括依次叠装并交错设置的多个硅半导体层和锗半导体层，对于任意一个所述硅半导体层和所述锗半导体层，所述硅半导体层和所述锗半导体层的厚度分别为24nm、28nm，所述有源层的厚度为23nm，所述第二导电半导体层为砷化镓半导体层，其厚度为18nm；所述绝缘层为套设在所述发光主体外部的两端封闭的中空圆柱状结构，所述绝缘层的内部填充有氦气，所述绝缘层的厚度为20nm，所述导热层为套设在所述发光主体外部的层状导热片，所述导热层的厚度为15nm；散热模块，其包括多个分别可拆卸设置在相邻所述第二凹槽之间的散热管体，每个所述散热管体通过支架水平架设在所述基板上，所述散热管体的上表面和所述基板的上表面之间的距离为所述发光器件高度的5/8，每个所述散热管体的内部被分隔为多个独立空间，每个所述独立空间内均填充粒径为10nm的相变温度为30℃的相变恒温材料颗粒。...

【技术特征摘要】
1.一种提高散热性能的背光器件，其特征在于，包括：底盖，其为表面开设第一凹槽的长方体结构；发光模块，其包括固定嵌设于所述第一凹槽的基板，所述基板上开设多个彼此平行的第二凹槽，每个所述第二凹槽内固定嵌设一个发光器件组，所述发光器件组包括彼此间隔设置的多个发光器件，对于任意一个所述发光器件，其为圆柱状结构，所述发光器件的高度为所述第二凹槽的深度的8倍，所述发光器件沿径向由内到外依次包括发光主体、绝缘层以及导热层，所述发光主体为圆柱状结构，所述发光主体沿径向由内到外依次包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，所述第一导电半导体层包括依次叠装并交错设置的多个硅半导体层和锗半导体层，对于任意一个所述硅半导体层和所述锗半导体层，所述硅半导体层和所述锗半导体层的厚度分别为24nm、28nm，所述有源层的厚度为23nm，所述第二导电半导体层为砷化镓半导体层，其厚度为18nm；所述绝缘层为套设在所述发光主体外部的两端封闭的中空圆柱状结构，所述绝缘层的内部填充有氦气，所述绝缘层的厚度为20nm，所述导热层为套设在所述发光主体外部的层状导热片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐国云，
申请(专利权)人：唐国云，
类型：发明
国别省市：广西;45