功率半导体模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种能够降低辐射噪声的功率半导体模块，其包括：安装有一个或多个半导体元件(13)的基板(12)、将半导体元件(13)收纳在内的壳体(11)、覆盖在基板(12)上方以构成封闭空间的盖板(15)、以及连接线(20)，盖板(15)的面向半导体元件(13)的表面被铜箔层(21)覆盖，且盖板(15)中设有通孔(25)，连接线(20)的一端接地，另一端穿过通孔(25)与铜箔层(21)电连接。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及内置有IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)等功率半导体元件的功率半导体模块，尤其涉及用于降低辐射噪声的功率半导体模块。
技术介绍
内置有IGBT或IPM(Intelligent Power Module:智能功率模块)等功率半导体元件的功率半导体模块已为公众所知。在这样的功率半导体模块中，功率半导体元件在进行开关动作时，会向周围发射强电磁噪声。这样的强电磁噪声会给驱动基板或周围的电磁设备的正常工作带来非常大的影响。尤其是当前的驱动基板多使用光电耦合器(photocoupler)，其非常容易受到电磁噪声的干扰。而且，驱动基板通常都设置得离功率半导体元件很近，因此更加容易受到电磁噪声的干扰。电磁噪声会导致误动作的发生，最终会引起功率半导体模块的损坏和驱动装置的故障。对此，通常在功率半导体模块与驱动基板之间设置屏蔽板来阻断噪声(例如参照专利文献I)。在专利文献I的半导体装置中，功率半导体元件设置在树脂制的外壳内，在该外壳的盖子的上方设置屏蔽板，在屏蔽板的上方隔着金属环而设有控制电路基板，由此，控制电路基板和屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体模块，其特征在于，包括：基板，该基板上安装有一个或多个半导体元件；壳体，该壳体将所述半导体元件收纳在内；盖板，该盖板覆盖在所述基板的上方以构成封闭的空间，且该盖板的面向所述半导体元件的表面被铜箔层覆盖，所述盖板中设有通孔；以及连接线，该连接线的一端接地，另一端穿过所述通孔并与所述铜箔层电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，
申请(专利权)人：富士电机中国有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31