用于中子产生系统的靶系统和中子产生系统技术方案

本发明专利技术提供了用于一种中子产生系统的靶系统和一种中子产生系统。靶系统包括：用作靶体的多个固体颗粒；以及通道部件，所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道。根据本发明专利技术的实施方式，例如可以消除现有技术中产生的射流影响及减少强放射性污染问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于中子产生系统的靶系统和一种中子产生系统。
技术介绍
在聚变堆材料辐照损伤研究问题中，目前国际上没有合适的中子源用于相关研究，传统的加速器氘氚中子源产生的中子通量有限，国际上专用于聚变堆材料研究的中子源项目IFMIF(国际聚变堆材料辐照装置)虽然能够产生较高的中子通量和中子总产额，但其技术难度和投资都非常巨大，且研制周期漫长，装置整体的强放射性环境防护也需进行大量投入。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种用于中子产生系统的靶系统和中子产生系统，用以解决现有IFMIF中子源靶在运行过程中由于流体力学的不稳定性而造成的射流影响和强放射性污染等问题。根据本专利技术的实施方式，提供了一种用于中子产生系统的靶系统，该靶系统包括:用作靶体的多个固体颗粒；以及通道部件，所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道。根据本专利技术的实施方式，所述通道相对于水平方向倾斜30度至60度。根据本专利技术的实施方式，所述通道部件包括沿通道部件的纵向方向延伸的底壁和两个纵向侧壁。根据本专利技术的实施方式，所述通道部件还包括用于束流通过而入射到颗粒上的开口部，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于中子产生系统的靶系统，包括：用作靶体的多个固体颗粒；以及通道部件，所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相对于水平方向倾斜的通道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：詹文龙，杨磊，高笑菲，张雅玲，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62