用于中子管制造的自成靶制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于中子管制造的自成靶，该自成靶包括靶基和靶膜，靶基的一端为靶面，靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托；靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。本实用新型专利技术通过在自成靶靶底部设置磁钢，产生的磁场可以改变二次电子的运动方向，减小了二次电子电流，提高了单位有效束流，即提高了中子产额，解决了现有的中子管无法兼顾中子产额、耐温性能和使用寿命的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于中子管制造的自成靶。
技术介绍
随着油田开采进程和测井技术的发展，对中子管技术也提出了更高的要求，不但要求中子产额达到2×108n/s以上，还要求耐温达到175℃，使用寿命达到500h以上。目前，用于中子管制造的靶类型主要有预制氚靶和自成靶两类。用预制氚靶制管时，靶内事先已经吸满氚,中子管工作时，氘轰击氚而产生中子。用这类靶制成的中子管单位靶流中子产额较高，但是耐温只能达到150℃，使用寿命一般也不会超过100小时。而用自成靶制管时，靶内事先不吸氚，在储存器内吸入一定数量的氘氚混合气，中子管工作时，将氘氚离子逐渐注入靶内，经过一段时间后，靶内氘氚含量达到饱和，形成了自成靶。用这类靶制成的中子管耐温和使用寿命都优于前者，但是单位靶流中子产额较前者低。
技术实现思路
为了解决现有的中子管无法兼顾中子产额、耐温性能和使用寿命的技术问题，本技术提供一种用于中子管制造的自成靶。本技术的技术解决方案是：一种用于中子管制造的自成靶，包括自成靶，其特殊之处在于：所述自成靶包括靶基和靶膜，所述靶基的一端为靶面，所述靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，所述靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于中子管制造的自成靶，其特征在于：所述自成靶包括靶基和靶膜，所述靶基的一端为靶面，所述靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，所述靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托；所述靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。

【技术特征摘要】
1.一种用于中子管制造的自成靶，其特征在于：所述自成靶包括靶基和靶膜，所述靶基的一端为靶面，所述靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，所述靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托；所述靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。2.根据权利要求1所述的用于中子管制造的自成靶，其特征在于：所述靶膜的厚度为1.0～1.5mg/cm2。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪永安，陆杰，白超良，刘洋，
申请(专利权)人：西安冠能中子探测技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61