【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置。至今我们还没有看到有关防核辐射材料屏蔽性能的测量装置的报道。目前，为了测试材料防中子辐射的屏蔽性能，需使用核反应堆，其缺陷是因反应堆不易搬动，故测试只能在反应堆上进行；因反应堆引出中子束的准直孔一般是不可变的，这样就对被测材料的尺寸有一定限制；又因反应堆产生的中子辐射受多种因素影响，故其稳定性差。有鉴于此，本技术将提供一种测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置，它可测量中子注量、中子剂量的削弱系数。本技术的目的是这样实现的一种测量防中子辐射屏蔽材料屏蔽性能的装置由石蜡堆、同位素中子源、中子源导管、内准直器、外准直器、影锥体和探测器组成。所说同位素中子源装在所说中子源导管内并插于所说石蜡堆中；所说石蜡堆有一深及所说中子源导管的开口，该开口中安放带中心通孔的内准直器；所说外准直器的中间开通孔，其入口对准所说内准直器的通孔，其出口可供所说影锥体的小径端插入；所说探测器位于所说影锥体的大径端之后。同位素中子源2为锎中子源。以下结合附图和实施例对本技术作详细描述。附图说明图1是本技术的结构示意图。如图中所示，本技术由石...
【技术保护点】
一种测量防中子辐射材料的屏蔽性能的装置，它有石蜡堆（１）、同位素中子源（２）和探测器（８），其特征在于：它还包括中子源导管（３）、内准直器（４）、外准直器（６）和影锥体（７），所说同位素中子源（２）装在所说中子源导管（３）内并插于所说石蜡堆（１）中，所说石蜡堆（１）有一深及所说中子源导管（３）的开口（１′），所说内准直器（４）开中心通孔并安放在该开口（１′）中，所说外准直器（６）的中间开通孔，其入口对准所说内准直器（４）的中心通孔，其出口可供所说影锥体（７）的小径端插入，所说探测器（８）位于所说影锥体（７）的大径端之后。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑金美，王炳林，张荫芬，郭秀英，尚宏忠，宁静，温琛林，
申请(专利权)人：北京市射线应用研究中心，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。