一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法技术

一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法，先使PS纳米球溶液分散均匀后在水面预组装形成PS纳米球单层膜，然后将PS纳米球单层膜转移至经亲水性处理的样品表面，再在样品表面沉积金属，最后去除样品表面的PS纳米球，即得到共振峰位可调的金属纳米结构。本发明专利技术沉积的金属的厚度可以精确控制，能够精确控制金属纳米结构的尺寸，并且该方法可以根据需要选择沉积的具体金属材料，从而使得金属纳米结构的共振峰位可调，能够适应在不同应用中对不同共振峰位的要求。该方法的制备温度较低，避免了高温制备对光电子器件带来的负面影响，并且可以简化制备流程，降低溶液污染，能够保持样品表面的洁净度，从而对光电子器件的性能进一步提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及。
技术介绍
目前，由于金属微纳结构具有良好的光学和电学性质，使得其在光电子领域(如太阳能电池，发光二极管等)、传感器(例如生物传感器等)和临床医学等领域具有巨大的潜在应用价值。研究表明，在外加光场的刺激下，处于金属纳米结构附近的荧光体辐射出的荧光强度比其在自由空间的要强，这一现象即为表面等离子体效应(Localized SurfacePlasmon, LSP)，现已经成为引人关注的研究领域之一。目前，用于制备金属微纳结构的方法有退火、化学合成等。常用于制备微纳结构的金属有镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)等，这些金属制备的微纳结构退火温度较高，如Ni为80CTC?90CTC (Materials Science and Engineering B 113，125 - 129 (2004))，Ag 和 Au为 30(TC?60(TC (Journal of Crystal Growth 310,234 - 239(2008))。较高的退火温度会给光电器件和有机光电器件的性能带来负面的影响，例如高温会损害半导体发光二极管(Light本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)对样品表面进行亲水性处理；b)制备均匀分散的PS纳米球溶液：将PS纳米球分散液和无水乙醇按体积比为1:(1～10)混合，超声分散均匀，得到均匀分散的PS纳米球溶液；其中PS纳米球的直径为50nm～1000nm，PS纳米球分散液中PS纳米球的质量分数为5％～20％；c)PS纳米球在水面的预组装：将均匀分散的PS纳米球溶液滴加到经亲水性处理后的Si片上，再将该硅片以10～45°的倾斜角度伸入盛有去离子水的容器中，PS纳米球滑入去离子水中，在水面预组装形成PS纳米球单层膜；其中滴加到Si片上的PS纳米球溶液的体积V与容器中去离子...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：云峰，赵宇坤，黄亚平，李虞锋，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61