内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法。该内嵌式自电容触控显示面板包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射。阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50)；触控扫描线与栅极扫描线(11)共用，触控接收线与数据线(41)共用，触控自电容与像素电极(50)共用，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。该内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，能够不增加现有阵列基板的工艺流程，降低面板的驱动成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板将触控面板和液晶显示面板结合为一体，使得液晶显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。液晶显示面板通常是由一彩膜基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(VerticalAlignment，VA)型、扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型、平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型、及边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)型。其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板面平行取向，通过对液晶层施加横向电场来控制液晶分子的旋转。TFT阵列基板是液晶显示面板的重要组成部分。TFT阵列基板通常包括数据线、扫描线、公共电极线、公共电极、像素电极和TFT。每个像素电性连接一个TFT，TFT的栅极(Gate)连接至水平的扫描线，TFT的源极(Source)连接至竖直方向的数据线，漏极(Drain)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得电性连接至该条扫描线上的所有TFT打开，从而数据线上的信号电压能够写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到显示的效果。触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式。触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(OnCell)，触控电极内嵌在液晶盒内式(InCell)、以及外挂式。其中，内嵌式触控显示面板具有轻薄、无需边框、可实现全平面设计等诸多优点，成为目前触控
内的研究热点之一。现有的内嵌式自电容触控显示面板通常需要一套触控线路(包括触控扫描线、触控接收线、及触控自电容)与驱动控制部分以实现触控功能，面板的制程工艺具有一定难度，面板的驱动成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种内嵌式自电容触控显示面板，能够在不增加现有阵列基板的工艺流程的前提下，实现内嵌式自电容触控功能，降低面板的驱动成本。本专利技术的目的还在于提供一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，能够不增加现有阵列基板的工艺流程，降低面板的驱动成本。为实现上述目的，本专利技术提供了一种内嵌式自电容触控显示面板，包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射；所述阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线、多条沿竖直方向间隔设置的数据线、以及呈矩阵式排列的多个像素电极，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线与多条沿竖直方向间隔设置的数据线相互绝缘交错，划分出多个子像素区域，每一像素电极对应位于一子像素区域内；触控扫描线与所述栅极扫描线共用，触控接收线与所述数据线共用，触控自电容与所述像素电极共用；将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间；在显示时间内，所述栅极扫描线传输栅极扫描信号，所述数据线传输像素灰阶信号，所述像素电极用于形成存储电容和液晶电容；在触控时间内，所述栅极扫描线用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极用作触控自电容。所述阵列基板还包括：对应每一像素电极设置的TFT、及与像素电极相对设置的整片式公共电极；一栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线、TFT的栅极，所述数据线设于所述栅极绝缘层上，TFT的岛状有源层设于所述栅极绝缘层上，TFT的源极与漏极分别与所述岛状有源层连接，所述像素电极设于所述栅极绝缘层上并与TFT的漏极连接，一绝缘保护层覆盖所述数据线、像素电极、TFT的源极与漏极，所述公共电极铺设于所述绝缘保护层上。所述像素电极为平板状，所述公共电极为覆盖所有子像素区域的整片式结构；所述公共电极在与每一所述像素电极相对的范围内开设有数个长条形通孔。所述栅极扫描线、数据线、及所述TFT的栅极、源极、与漏极的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为所述像素电极与公共电极的材料均为ITO，厚度均为所述栅极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为所述岛状有源层的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为本专利技术还提供一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极扫描线和与栅极扫描线一体的栅极；所述栅极扫描线还用作触控扫描线；步骤2、在所述栅极扫描线和栅极上沉积栅极绝缘层，再在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层；步骤3、在所述岛状有源层和栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理，形成数据线、与数据线一体并连接所述岛状有源层的源极、及连接所述岛状有源层的漏极；所述栅极、源极、漏极与岛状有源层构成TFT；所述数据线还用作触控接收线；步骤4、在所述栅极绝缘层、数据线、源极、及漏极上沉积第一透明导电薄膜，并对该第一透明导电薄膜进行图案化处理，形成呈矩阵式排列的多个像素电极，每一像素电极对应连接一个TTF的漏极；所述像素电极还用作触控自电容；步骤5、在所述数据线、像素电极、源极与漏极上沉积绝缘保护层，并对该绝缘保护层进行图案化处理；步骤6、在所述绝缘保护层上沉积第二透明导电薄膜，并对该第二透明导电薄膜进行图案化处理，形成与所有像素电极相对设置的整片式公共电极，所述整片式公共电极在与每一所述像素电极相对的范围内开设有数个长条形通孔；至此完成阵列基板的制作；步骤7、提供CF基板，将CF基板与阵列基板对组，在两基板之间灌注液晶，形成液晶层。所述步骤1通过物理气相沉积工艺沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理包括涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，包括：阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、自阵列基板一侧出射；所述阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50)，所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)相互绝缘交错，划分出多个子像素区域，每一像素电极(50)对应位于一子像素区域内；触控扫描线与所述栅极扫描线(11)共用，触控接收线与所述数据线(41)共用，触控自电容与所述像素电极(50)共用；将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间；在显示时间内，所述栅极扫描线(11)传输栅极扫描信号，所述数据线(41)传输像素灰阶信号，所述像素电极(50)用于形成存储电容和液晶电容；在触控时间内，所述栅极扫描线(11)用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线(41)用作触控接收线感应触控信号，所述像素电极(50)用作触控自电容。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，包括：阵列基板、CF
基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层，光线自CF基板一侧入射、
自阵列基板一侧出射；
所述阵列基板包括：多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)、多条
沿竖直方向间隔设置的数据线(41)、以及呈矩阵式排列的多个像素电极(50)，
所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置
的数据线(41)相互绝缘交错，划分出多个子像素区域，每一像素电极(50)
对应位于一子像素区域内；
触控扫描线与所述栅极扫描线(11)共用，触控接收线与所述数据线(41)
共用，触控自电容与所述像素电极(50)共用；
将一帧画面的时间分为显示时间和触控时间；在显示时间内，所述栅极扫
描线(11)传输栅极扫描信号，所述数据线(41)传输像素灰阶信号，所述像
素电极(50)用于形成存储电容和液晶电容；在触控时间内，所述栅极扫描线
(11)用作触控扫描线传输触控扫描信号，所述数据线(41)用作触控接收线
感应触控信号，所述像素电极(50)用作触控自电容。
2.如权利要求1所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述阵
列基板还包括：对应每一像素电极(50)设置的TFT(T)、及与像素电极(50)
相对设置的公共电极(60)；
一栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线(11)、TFT(T)的栅极(13)，所述
数据线(41)设于所述栅极绝缘层上，TFT的岛状有源层(30)设于所述栅极
绝缘层上，TFT(T)的源极(45)与漏极(47)分别与所述岛状有源层(30)
连接，所述像素电极(50)设于所述栅极绝缘层上并与TFT(T)的漏极(47)
连接，一绝缘保护层覆盖所述数据线(41)、像素电极(50)、TFT(T)的源
极(45)与漏极(47)，所述公共电极(60)铺设于所述绝缘保护层上。
3.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述像
素电极(50)为平板状，所述公共电极(60)为覆盖所有子像素区域的整片式
结构；所述公共电极(60)在与每一所述像素电极(50)相对的范围内开设有
数个长条形通孔(61)。
4.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述栅
极扫描线(11)、数据线(41)、及所述TFT(T)的栅极(13)、源极(45)、
与漏极(47)的材料均为钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度均为5.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述像
素电极(50)与公共电极(60)的材料均为ITO，厚度均为6.如权利要求2所述的内嵌式自电容触控显示面板，其特征在于，所述栅
极绝缘层与绝缘保护层的材料均为氮化硅，厚度均为所述岛状
有源层(30)的材料为非晶硅与n型重掺杂非晶硅，厚度为7.一种内嵌式自电容触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下
步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层
进行图案化处理，形成栅极扫描线(11)和与栅极扫描线(11)一体的栅极(13)；
所述栅极扫描线(11)还用作触控扫描线；
步骤2、在所述栅极扫描线(11)和栅极(13)上沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44