机电混合式断路器制造技术

本发明专利技术公开了一种机电混合式断路器，包括有互感器T和整流桥D1，电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3，二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1，电阻R4、电容C2和稳压管VD2，以及开关K、负载L。本发明专利技术对电流信号的采样以及开关动作的输出控制均由电子器件实现，既克服了现有技术存在的缺陷，又具有电子式断路器的灵敏度高、反应速度快、稳定性好和机械式断路器能通断大电流的优点，是目前断路器理想的替代产品；本发明专利技术性能稳定，无温升，不会受到环境温度的影响而误动作，也不会产生大电弧，延长了断路器的使用寿命；本发明专利技术电路元件简单，灵敏度高，成本低，体积小，微型化，制造容易。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及过电流保护、短路保护小型断路器领域，具体是一种机电混合式断路器。
技术介绍
现有技术中，断路器从脱扣到分断的动作是通过电流通过元件热产生的热能由双金属元件感应到来实现，在热能的作用下，断路器产生分断。当外界的环境温度升高，热能传递到断路器内部，双金升属元件也同样会产生定向位移，导致断路器的动作特性不稳定。易受环境温度影响产生的分断是误动作，无法克服。同时，传统断路器由于其动作机构复杂，分断速度慢，特别是短路时更明显。动触头和静触头在分离的瞬时会产生电弧，电弧位于动触头和静触头之间，电弧中的热量向周围扩散，负载越重，回路电流越大，产生的电弧越大，电弧中热量向周围扩散面积就越大，电弧向外扩散面积的同时，也把热量直接传导到周边的功能部件上，给分布在动、静触头周边的功能部件附加多余的热量，这种热量损毁功能部件，也能使断路器的使用寿命缩短。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种机电混合式断路器，来解决现有技术中断路器由于使用温度特性敏感的双金属元件，易受环境温度环境变化产生误动作，其动作机构复杂，分断速度慢，特别是短路时更明显，导致动静触头之间产生放电电弧的技术问题。本专利技术的技术方案如下：一种机电混合式断路器，包括有互感器T和整流桥D1，电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3，二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1，电阻R4、电容C2和稳压管VD2，以及开关K、负载L，其特征在于：所述互感器T原边的二个接线端分别与所述开关K和负载L相连接后外接交流电源，所述整流桥D1的二个交流输出端分别与所述互感器T原边的二个接线端相连接；所述的电阻R1与电阻R2，所述的可调电阻RP与电阻R3分别相串联再相并联后，分别与所述整流桥D1的二个直流输出端相连接；所述二极管D2的阳极接入所述的电阻R1和电阻R2之间，二极管D2的阴极和所述可控硅VT的控制端分别与所述三极管V1的发射极相连接，所述三极管V1的基极接入所述的可调电阻RP和电阻R3之间，所述可控硅VT的阳极与所述的线圈J相串联后与三极管V1的集电极相并联，再与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，所述可控硅VT的阴极与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接，所述的电容C1连接在所述三极管V1的基极与所述可控硅VT的阴极之间；所述的电容C2和稳压管VD2相并联后，一方面与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，另一方面与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接；所述可控硅VT的阴极和稳压管VD2的阳极分别接入负载L和与负载L相连的互感器T原边的接线端之间。所述的机电混合式断路器，其特征在于：所述互感器T和整流桥D1组成自生电源和采样电路。所述的机电混合式断路器，其特征在于：所述电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3组成电流检测电路。所述的机电混合式断路器，其特征在于：所述二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1组成特性设定电路。所述的机电混合式断路器，其特征在于：所述电阻R4、电容C2和稳压管VD2组成稳压电路。本专利技术的有益效果：本专利技术由电子元器件构成，对电流信号的采样以及开关动作的输出控制均由电子器件实现，既克服了电子式断路器难以通断大电流而产生温度效应的负面影响和机械式断路器难以解决的不稳定性，灵敏度低的缺点，又具有电子式断路器的灵敏度高、反应速度快、稳定性好和机械式断路器能通断大电流的优点，是目前断路器理想的替代产品；本专利技术性能稳定，无温升，不会受到环境温度的影响而误动作，也不会产生大电弧，延长了断路器的使用寿命；本专利技术电路元件简单，灵敏度高，成本低，体积小，微型化，制造容易。附图说明图1为本专利技术电路结构原理图。具体实施方式参见图1，一种机电混合式断路器，包括有互感器T和整流桥D1，电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3，二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1，电阻R4、电容C2和稳压管VD2，以及开关K、负载L，其特征在于：所述互感器T原边的二个接线端分别与所述开关K和负载L相连接后外接交流电源，所述整流桥D1的二个交流输出端分别与所述互感器T原边的二个接线端相连接；所述的电阻R1与电阻R2，所述的可调电阻RP与电阻R3分别相串联再相并联后，分别与所述整流桥D1的二个直流输出端相连接；所述二极管D2的阳极接入所述的电阻R1和电阻R2之间，二极管D2的阴极和所述可控硅VT的控制端分别与所述三极管V1的发射极相连接，所述三极管V1的基极接入所述的可调电阻RP和电阻R3之间，所述可控硅VT的阳极与所述的线圈J相串联后与三极管V1的集电极相并联，再与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，所述可控硅VT的阴极与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接，所述的电容C1连接在所述三极管V1的基极与所述可控硅VT的阴极之间；所述的电容C2和稳压管VD2相并联后，一方面与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，另一方面与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接；可控硅VT的阴极和稳压管VD2的阳极分别接入负载L和与负载L相连的互感器T原边的接线端之间。本专利技术中，互感器T和整流桥D1组成自生电源和采样电路；电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3组成电流检测电路；二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1组成特性设定电路；电阻R4、电容C2和稳压管VD2组成稳压电路。以下结合附图对本专利技术作进一步的说明：当开关K闭合后，电流经互感器T的原边流向负载L，同时，互感器T的副边感应的电流作为自生电源和采样电流，经整流桥D1整流变换为直流电源，分别为电流检测电路、特性设定电路和稳压电路提供工作电源。当检测到负载L过流时，由可调电阻RP、电阻R3、电容C1组成电路输出反时限延时动作特性信号，经三极管V1放大给控制元件可控硅VT，可控硅VT导通，线圈J得电推动开关K断开；当检测到负载L短路时，由电阻R1、电阻R2、二极管D2组成电路输出无延时直接输出动作特性信号，给控制元件可控硅VT，可控硅VT导通，线圈J得电推动开关K断开。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种机电混合式断路器，包括有互感器T和整流桥D1，电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3，二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1，电阻R4、电容C2和稳压管VD2，以及开关K、负载L，其特征在于：所述互感器T原边的二个接线端分别与所述开关K和负载L相连接后外接交流电源，所述整流桥D1的二个交流输出端分别与所述互感器T原边的二个接线端相连接；所述的电阻R1与电阻R2，所述的可调电阻RP与电阻R3分别相串联再相并联后，分别与所述整流桥D1的二个直流输出端相连接；所述二极管D2的阳极接入所述的电阻R1和电阻R2之间，二极管D2的阴极和所述可控硅VT的控制端分别与所述三极管V1的发射极相连接，所述三极管V1的基极接入所述的可调电阻RP和电阻R3之间，所述可控硅VT的阳极与所述的线圈J相串联后与三极管V1的集电极相并联，再与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，所述可控硅VT的阴极与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接，所述的电容C1连接在所述三极管V1的基极与所述可控硅VT的阴极之间；所述的电容C2和稳压管VD2相并联后，一方面与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，另一方面与所述整流桥D1的另一个直流输出端相连接；所述可控硅VT的阴极和稳压管VD2的阳极分别接入负载L和与负载L相连的互感器T原边的接线端之间。...

【技术特征摘要】
1.一种机电混合式断路器，包括有互感器T和整流桥D1，电阻R1、电阻R2、可调电阻RP和电阻R3，二极管D2、三极管V1、可控硅VT、线圈J和电容C1，电阻R4、电容C2和稳压管VD2，以及开关K、负载L，其特征在于：所述互感器T原边的二个接线端分别与所述开关K和负载L相连接后外接交流电源，所述整流桥D1的二个交流输出端分别与所述互感器T原边的二个接线端相连接；
所述的电阻R1与电阻R2，所述的可调电阻RP与电阻R3分别相串联再相并联后，分别与所述整流桥D1的二个直流输出端相连接；
所述二极管D2的阳极接入所述的电阻R1和电阻R2之间，二极管D2的阴极和所述可控硅VT的控制端分别与所述三极管V1的发射极相连接，所述三极管V1的基极接入所述的可调电阻RP和电阻R3之间，所述可控硅VT的阳极与所述的线圈J相串联后与三极管V1的集电极相并联，再与所述电阻R4相串联后与所述整流桥D1的一个直流输出端相连接，所述可控硅VT的阴极与所述整流桥D...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑之松，
申请(专利权)人：合肥正浩机械科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34