【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低ESR电容器相关申请的交叉引用本专利技术要求2013年2月19日提交的申请号为61/766,454未决的的美国临时专利申请的优先权,该申请通过引用方式并入本文中。
技术介绍
本专利技术涉及一种改进的用于制备固态电解电容器的方法。更具体地,本专利技术涉及一种改进的用于形成固态电解电容器的方法以及由此形成的一种改进的电容器。还更具体地,本专利技术涉及一种通过改进的聚合方法形成的改进的共形阴极,以及特别适用于槽形阳极的改进的金属电镀方法。固态电解电容器的构造和制造是有完善的文档记录的。在固态电解电容器的构造中,优选地是使用阀金属充当阳极。阳极体可以是通过压制和烧结高纯度粉末形成的多孔团粒,或者蚀刻形成的用于增加阳极表面积的箔。电解形成阀金属的氧化物从而覆盖阳极的全部表面并充当电容器的电介质。固态阴极电解质通常选自非常有限的种类的材料,包括二氧化锰或导电有机材料,例如7,7,8,8四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)络合物盐,或者本质上导电的聚合物,例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及它们的衍生物。涂覆固态阴极电解质,使其覆盖所有的电介质表面并与电介质直接紧密接触。除了固态电解质以外,固态电解质电容器的阴极层通常由处于阳极体外部的若干层组成。对于表面安装结构,这些层通常包括:碳层;阴极导电层,其可为包含束缚于聚合物或树脂基体中的高导电金属(通常为银)的层;以及导电粘合剂层,例如填充了银的粘合剂。这里将这些包括固态阴极电解质的层、导电粘合剂以及它们之间的各层总称为阴极层,该阴极层通常包括多个中间层,并将该中间层设计为允许将它的一个面粘贴到电介质上并将另一个面粘贴到阴极引线上。通常使用 ...
【技术保护点】
一种电容器,其包括:槽形阳极和从所述槽形阳极延伸出来的阳极线;位于所述槽形阳极上的电介质;位于所述电介质上的共形阴极;以及位于所述碳层上的电镀金属层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.19 US 61/766,4541.一种电容器,其包括:槽形阳极和从所述槽形阳极延伸出来的阳极线;位于所述槽形阳极上的电介质;以及位于所述电介质上的共形阴极。2.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于40微米的平均厚度。3.如权利要求2所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于20微米的平均厚度。4.如权利要求3所述的电容器,其中所述共形阴极具有不大于10微米的平均厚度。5.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的50%的偏差。6.如权利要求5所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的40%的偏差。7.如权利要求6所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的30%的偏差。8.如权利要求7所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的20%的偏差。9.如权利要求8所述的电容器,其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的10%的偏差。10.如权利要求1所述的电容器,还包括位于所述共形阴极上的电镀金属层。11.如权利要求10所述的电容器,其中所述电镀金属层包括从如下组中选择的材料:铜、银、镍和金。12.如权利要求11所述的电容器,其中所述电镀金属层包括铜。13.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极还包括第一导电层。14.如权利要求13所述的电容器,其中所述第一导电层包括从MnO2和导电聚合物中选出的导电层。15.如权利要求14所述的电容器,其中所述导电聚合物选自于如下组:聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。16.如权利要求15所述的电容器,其中所述导电聚合物包括聚二氧噻吩。17.如权利要求1所述的电容器,其中所述阳极包括阀金属或阀金属的导电氧化物。18.如权利要求17所述的电容器,其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物包括选自于如下组的材料:Al、W、Ta、Nb、NbO、Ti、Zr和Hf。19.如权利要求18所述的电容器,其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物从钽和铌中选出。20.如权利要求1所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.022英寸的宽度。21.如权利要求20所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.019英寸的宽度。22.如权利要求21所述的电容器,其中所述槽具有不大于0.016英寸的宽度。23.如权利要求22所述的电容器,其中所述槽具有至少0.004英寸的宽度。24.如权利要求1所述的电容器,其中所述槽的深度与宽度的比值至少为0.60:1。25.如权利要求1所述的电容器,还包括位于所述共形阴极上的含碳层。26.如权利要求25所述的电容器,还包括位于所述含碳层上的电镀金属层。27.如权利要求25所述的电容器,其中所述含碳层具有至少1微米且不大于20微米的厚度。28.如权利要求26所述的电容器,其中所述电镀金属层具有至少2微米的厚度。29.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极包括聚噻吩。30.如权利要求29所述的电容器,其中所述聚噻吩包括二氧噻吩。31.如权利要求1所述的电容器,其中所述共形阴极是电化学沉积的导电聚合物。32.如权利要求10所述的电容器,其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于75%。33.如权利要求32所述的电容器,其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于85%。34.如权利要求33所述的电容器,其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于95%。35.一种形成电容器的方法,该方法包括:对阳极进行阳极化从而在所述阳极上形成电介质,其中所述阳极包括凹槽和从所述阳极延伸出来的阳极线;在所述阳极线上形成导电节点;在所述电介质上形成第一导电层,其中所述第一导电层和所述导电节点与所述阳极线电接触;向所述阳极线施加电压;以及在所述第一导电层上电化学沉积导电聚合物从而形成包括所述第一导电层和沉积在所述第一导电层上的所述导电聚合物的共形阴极。36.如权利要求35所述的形成电容器的方法,其中所述共形阴极具有不大于40微米的平均厚度。37.如权利要求36所述的形...
【专利技术属性】
技术研发人员:伦道夫·S·哈恩,杰弗里·波尔托拉克,布兰登·萨梅,安东尼·P·查科,约翰·T·基纳德,菲利普·M·莱斯纳,
申请(专利权)人:凯米特电子公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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