本发明专利技术公开了一种基于三极管锁存电路的电源过压保护方法，该电源过压保护方法主要通过两个三极管和两个电阻组成的锁存电路，将此锁存电路与电源芯片的供电引脚相连接，在过压故障发生时拉低芯片供电电压，关闭电源；通过调整电阻阻值控制锁存电路的锁存与否，决定电源在过压故障发生时，是以自锁型保护模式进行保护，还是以自动重启模式进行保护。本发明专利技术的一种基于三极管锁存电路的电源过压保护方法和现有技术相比，不仅可以对过压故障进行可靠保护，并且可以通过调整其中的器件参数来选择过压保护模式，方便、灵活，并且在电子电路的各种保护设计中具有很好的通用性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源电路过压保护
，具体地说是。
技术介绍
过压保护是电源电路的保护功能中的一个重要部分。一般电源芯片的过压保护是自锁型的，当电压值达到过压保护点时，保护电路动作，关闭芯片，只有在故障排除并且再次重新上电启动时，芯片才能恢复工作，即自锁型过压保护。另一种是自动重启型过压保护，即在过压发生后，保护电路会在关断电源电路一小段时间后重新启动，如果过压故障未解除，电源会反复尝试重启。这两种模式的过压保护在电源电路中一般情况下只具其一，一旦芯片选择完成或电路设计完成后便已固定，而不能根据应用中的实际需要进行选择配置。公开的的专利申请文件:专利号为“CN01130045.0”，为“一种绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路”，该文件公开了一种“绝缘栅双极晶体管IGBT驱动保护电路，其主要包括:电源；绝缘栅双极晶体管IGBT ;—个上下桥驱动信号电路；光耦U501 ;—个开关三极管控制电路；一个驱动信号放大电路；IGBT集电极一发射极电压Vce检测调节保护电路，该Vce检测调节保护电路包括短路保护电路、故障锁存电路和故障软关断电路，所述Vce检测调节保护电路在检测到绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极一发射极电压Vce异常时，通过短路保护电路控制放大电路将所述绝缘栅双极晶体管IGBT的栅极电压调低到小于其门限低压值，以使所述绝缘栅双极晶体管IGBT截止，并通过故障锁存电路实现闭合锁存，保证在CPU接受到故障信号并封锁驱动信号前能可靠地封锁所述绝缘栅双极晶体管 IGBT”。专利号为“ CN200710069762.7”，为“一种复合电平信号比较锁存器”，该文件公开了一种“电平信号比较锁存器。所要解决的技术问题是提供的锁存器应具有可独立检测监控保护多路不同电平信号、可靠性好、成本低、适用范围广的特点。技术方案是:一种复合电平信号比较锁存器，包括若干个输出端相联的比较器，每个比较器的第一输入端均作为独立信号输入端，每个比较器的第二输入端均为各自对应的参考电平输入端，而这些比较器的输出端相联后又经过电容Cl接入公共回路；该锁存器还设有三极管Q1，其基极连接比较器的输出端，发射极连接电路电压，集电极分别连接其中一个比较器的第一输入端以及输出信号端，该比较器的第二输入端通过一信号解除电路后作为解除信号输入端，电路电压还通过电阻R4接入各比较器的输出端”。上述公开文件公开的电路，都存在电路设计完成后便已固定，而不能根据应用中的实际需要进行选择配置的问题，使得电源保护的灵活性受到限制。
技术实现思路
本专利技术的技术任务是提供。本专利技术的技术任务是按以下方式实现的，该电源过压保护方法主要通过两个三极管和两个电阻组成的锁存电路，将此锁存电路与电源芯片的供电引脚相连接，在过压故障发生时拉低芯片供电电压，关闭电源；通过调整电阻阻值控制锁存电路的锁存与否，决定电源在过压故障发生时，是以自锁型保护模式进行保护，还是以自动重启模式进行保护。所述的两个三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管。所述的该电源过压保护方法的电源过压保护电路具体连接如下: PNP型三极管的基极与NPN型三极管的集电极连接，PNP型三极管的发射极与电源芯片的供电引脚VDD连接，PNP型三极管的集电极与NPN型三极管的基极连接；电阻Rl的一端与PNP型三极管的发射极连接，另一端与PNP型三极管的基极连接；电阻R2的一端与PNP型三极管的集电极连接，另一端与NPN型三极管的发射极连接；NPN型三极管的发射极与电源芯片的供电引脚GND连接；电容Cl的一端与PNP型三极管的发射极以及电阻R3连接，另一端与NPN型三极管的发射极连接。本专利技术的和现有技术相比，不仅可以对过压故障进行可靠保护，并且可以通过调整其中的器件参数来选择过压保护模式，电路设计简单、成本低廉、具有很好的灵活性，并且在电子电路的各种保护设计中具有很好的通用性。它可以通过高电平触发，也可以通过低电平触发，在触发后可以锁存，也可以不锁存，具体可根据实际需要来进行设置。【附图说明】附图1为的电源过压保护电路图。附图2为的三极管锁存电路的原理图。【具体实施方式】实施例1: 该电源过压保护方法主要通过一个PNP型三极管、一个NPN型三极管、电阻Rl和电阻R2组成的锁存电路，将此锁存电路与电源芯片的供电引脚VDD、供电引脚GND相连接，在过压故障发生时拉低芯片供电电压，关闭电源；通过调整电阻阻值控制锁存电路的锁存与否，决定电源在过压故障发生时，是以自锁型保护模式进行保护，还是以自动重启模式进行保护。所述的该电源过压保护方法的电源过压保护电路具体连接如下: PNP型三极管的基极与NPN型三极管的集电极连接，PNP型三极管的发射极与电源芯片的供电引脚VDD连接，PNP型三极管的集电极与NPN型三极管的基极连接；电阻Rl的一端与PNP型三极管的发射极连接，另一端与PNP型三极管的基极连接；电阻R2的一端与PNP型三极管的集电极连接，另一端与NPN型三极管的发射极连接；NPN型三极管的发射极与电源芯片的供电引脚GND连接；电容Cl的一端与PNP型三极管的发射极以及电阻R3连接，另一端与NPN型三极管的发射极连接。电源启动时，供电电压Vin通过电阻R3对电容Cl进行充电，当电容Cl电压足够高时，电源芯片便开始工作。在过压情况发生时，过压保护触发信号会开启锁存电路，电容Cl通过锁存电路对地进行放电，当电容Cl电压低于芯片供电欠压点时，电源芯片停止工作，中断输出，完成保护。电阻阻值R3?R1&R2，决定了锁存电路开启时流过锁存电路的电流，而电阻Rl和电阻R2则决定了锁存电路开启后PNP型三极管和NPN型三极管的基极-发射极电压的大小。如果电阻Rl和电阻R2阻值较大，则流过一定电流时电阻两端的电压较高，高于PNP型三极管和NPN型三极管的导通电压，这样，在过压保护触发信号撤消后，锁存电路仍会保持开启，电源保持关闭状态，此时必须中断Vin供电并重新进行上电，电源才能再次启动，这就为电源提供了自锁型的过压保护功能。如果电阻Rl和电阻R2阻值较小，那么其两端的电压将不足以维持PNP型三极管和NPN型三极管的导通，在触发信号消失后，锁存电路就会关闭，Vin重新对电容Cl进行充电，电源就会再次启动，此过压保护机制即为自动重启型过压保护。上述电路，只要调节其中电阻阻值的大小，就可以方便地对电源过压保护的保护模式进行自由选择。通过上面【具体实施方式】，所述
的技术人员可容易的实现本专利技术。但是应当理解，本专利技术并不限于上述的几种【具体实施方式】。在公开的实施方式的基础上，所述
的技术人员可任意组合不同的技术特征，从而实现不同的技术方案。【主权项】1.，其特征在于，该电源过压保护方法主要通过两个三极管和两个电阻组成的锁存电路，将此锁存电路与电源芯片的供电引脚相连接，在过压故障发生时拉低芯片供电电压，关闭电源；通过调整电阻阻值控制锁存电路的锁存与否，决定电源在过压故障发生时，是以自锁型保护模式进行保护，还是以自动重启模式进行保护。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述的两个三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管。3.根据权利要求1或2所述的，其特征在于，所述的该电源过压保护方法的电源过压保护电路具本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于三极管锁存电路的电源过压保护方法，其特征在于，该电源过压保护方法主要通过两个三极管和两个电阻组成的锁存电路，将此锁存电路与电源芯片的供电引脚相连接，在过压故障发生时拉低芯片供电电压，关闭电源；通过调整电阻阻值控制锁存电路的锁存与否，决定电源在过压故障发生时，是以自锁型保护模式进行保护，还是以自动重启模式进行保护。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴晓龙，耿士华，徐成焱，
申请(专利权)人：山东超越数控电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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