透明导电薄膜制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种能够同时确保更高的导电性和更高的透明性的透明导电薄膜(10)。该透明导电薄膜(10)具备：基材(11)，具有透明性和柔韧性；以及导电层(13)，通过在基材(11)的至少一个面上层叠导电树脂而形成。所述透明导电薄膜(10)的特征在于，使导电层(13)的表面的中心线平均粗糙度Ra75为0.002μm以上、0.02μm以下，最大高度Rz为0.03μm以上、0.10μm以下，且十点平均粗糙度RzJIS94为0.02μm以上、0.05μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种透明导电薄膜，该透明导电薄膜用作例如以静电电容式触摸面板 等为代表的静电电容式传感器、有机EL元件中的电极以及基材。
技术介绍
在便携式信息终端、自动交易装置等的触摸面板中，将具有导电性和透明性的导 电薄膜、导电性片材（包括两者在内，以下称为"透明导电薄膜"）用作感测使用者的手指按 压的传感器。最近，具有导电性和透明性的透明导电薄膜不仅用于触摸面板，还用于太阳能 面板、有机电致发光（以下，称为"有机EL"）显示器、或者LED照明等。 该透明导电薄膜为了确保导电性，例如，通过在合成树脂制成的膜/片材上形成 氧化铟锡的导电层而构成。或者，透明导电薄膜以如下方式构成，即，使纳米金属粒子、纳米 金属丝、或碳纳米管等的无机类粒子分散在树脂粘合剂中，通过镀覆在合成树脂制成的膜/ 片材上形成导电层而构成。 可是，在触摸面板等中的透明导电薄膜中，例如，当使用者进行手指按压时，有时 会产生条纹状的牛顿环而使视觉确认性变差。因此，提出了通过限制导电层的表面粗糙度 来抑制牛顿环的产生的技术。 例如，专利文献1所述的透明导电薄膜，通过形成具有如下表面的透明导电薄膜， 从而能够抑制牛顿环的产生，在该表面中，使中心线平均粗糙度（Ra)为0. 11~0. 18ym，使 最大高度（Ry)为〇? 9~1. 6ym，且使局部峰点的平均间隔⑶为0? 05~0? 11mm。 然而，最近在便携式信息终端等中隔着强化玻璃进行手指按压或者隔着硬涂层膜 等进行手指按压的情况有所增加，因此对透明导电薄膜的导电性要求更高。进而，伴随着在 触摸面板的显示器部分显示的图像、影像的高画质化、文字的清晰化、或者显示器部分的高 分辨率化，对透明导电薄膜的透明性也要求更高。 可是，虽然专利文献1所述的透明导电薄膜因抑制牛顿环的产生而确保了视觉确 认性，但是并未针对所要求的更高的透明性进行最优化，因此存在难以应对该情况的问题。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2007 - 103348号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题 鉴于上述的问题，本专利技术的目的在于，提供一种能够同时确保更高的导电性和更 高的透明性的透明导电薄膜。 用于解决技术问题的方案 本专利技术提供一种透明导电薄膜，其具备：具有透明性和柔韧性的基材；以及在该 基材的至少一个面上层叠导电树脂而形成的导电层，所述透明导电薄膜的特征在于，使所 述导电层的表面的中心线平均粗糙度（Ra75)为0.002ym以上、0.02ym以下，最大高度 (Rz)为0. 03ym以上、0. 10ym以下，且十点平均粗糙度（RzJIS94)为0. 02ym以上、0. 05ym 以下。 上述基材能够做成为膜状或者片状等。 上述中心线平均粗糙度能够设为在JISB0601的附属标准中定义的中心线平均粗 糙度Ra75(旧JIS标准中的中心线平均粗糙度Ra)。 上述最大高度能够设为在JISB0601中定义的最大高度Rz(旧JIS标准中的最大 高度Ry)。 上述十点平均粗糙度能够设为在JISB0601的附属标准中定义的十点平均粗糙度 RzJIS94 (旧JIS标准中的十点平均粗糙度Rz)。 根据本专利技术，能够同时确保更高的导电性和更高的透明性。 具体地说，通过将导电层的表面的中心线平均粗糙度（Ra75)限制在0. 002iim以 上、0.02ym以下，将最大高度（Rz)限制在0.03ym以上、0. 10ym以下，且将十点平均粗糙 度（RzIIS94)限制在0.02ym以上、0.05ym以下，从而透明导电薄膜能够提高导电层中的表 面的平滑性来抑制起因于表面粗糙度的电阻值的偏差。因此，透明导电薄膜能够稳定地确 保均匀且电阻更低的导电层。 进而，通过提高导电层中的表面的平滑性，从而透明导电薄膜能够进一步抑制由 光的漫反射造成的眩目等而确保高透明性。S卩，在中心线平均粗糙度（Ra75)、最大高度（Rz)、以及十点平均粗糙度（RzJIS94)的 任一项超过上述的非常窄的范围的情况下，透明导电薄膜的导电层的表面中的平滑性会降 低，不能同时确保高导电性和高透明性。 详细地说，如果中心线平均粗糙度（Ra75)不足0.002ym、最大高度（Rz)不足 0.03ym、或者十点平均粗糙度（Rz:IS94)不足0.02iim，虽然平滑性会提高，但是变得难以容 易地形成导电层，形成所需的工时和成本都会增大。 另一方面，当中心线平均粗糙度（Ra75)大于0. 02ym、最大高度（Rz)大于 0. 10ym、或者十点平均粗糙度（Rz:IS94)大于0. 05ym时，导电层的表面的平滑性会降低，有 可能不能同时确保导电性和透明性。因此，中心线平均粗糙度（Ra75)优选为0. 002ym以上、 0? 02ym以下，最大高度（Rz)优选为0? 03ym以上、0? 10ym以下，十点平均粗糙度（RzJIS94) 优选为〇. 02um以上、0. 05ym以下。因此，透明导电薄膜通过将中心线平均粗糙度（Ra75)、最大高度（Rz)、以及十点平 均粗糙度（Rz;IS94)这三者同时限制在非常窄的范围内而被最优化，能够同时确保更高的导 电性和更高的透明性。 作为本专利技术的方式，所述导电层可以是含有30%以上的聚硫脲类树脂的结构，该 聚硫脲类树脂具有标准偏差的90%的平均粒径为20nm以上、60nm以下的导电粒子。 上述聚硫脲类树脂可以是具有导电性的PEDOT/PSS等。 根据本专利技术，在透明导电薄膜中，在导电层中存在固定比例以上的粒径小的导电 粒子，因此能够确保更稳定的导电性。 另外，如果平均粒径不足20nm，就难以将导电层的表面电阻率抑制得较低，且在施 加超声波等能量而将粒子粉碎为所需的粒径时粉碎会变得更加困难，并且有可能因粉碎所 需的时间增加而不能有效地形成导电层。 另一方面，当平均粒径大于60nm时，有可能难以将导电层中的中心线平均粗糙度 (Ra75)、最大高度（Rz)、以及十点平均粗糙度（RzJIS94)这三者同时限制在非常窄的范围内。 因此，作为平均粒径，优选为20nm以上、60nm以下。 因此，透明导电薄膜通过细微地限制导电层所含有的导电粒子的粒径和含有率， 从而能够确保更稳定的导电性。 此外，作为本专利技术的方式，能够将含有所述聚硫脲类树脂的所述导电层的厚度设 为100nm以上、500nm以下。 根据本专利技术，透明导电薄膜能够通过导电层的厚度来限制导电层中的截面积的偏 差，因此能够抑制电阻值的偏差。因此，透明导电薄膜能够稳定地确保均匀且电阻更低的导 电层。 另外，如果导电层的厚度不足lOOnm，将更加难以形成导电层，并且导电层的强度 有可能变低，当导电层的厚度大于500nm时，透明性会变低，并且由于透明导电薄膜的厚度 变厚而有可能使透明导电薄膜的柔韧性降低。 例如，在将透明导电薄膜卷绕成辊状时，有可能会产生裂缝等而不能确保导电性。 因此，作为导电层的厚度，优选为l〇〇nm以上、500nm以下。 因此，透明导电薄膜通过将导电层的厚度限制在窄的范围内，从而能够确保更稳 定的导电性。 此外，作为本专利技术的方式，能够将含有所述聚硫脲类树脂的所述导电层的表面电 阻率设为50Q/sq以上、400Q/sq以下。 根据本专利技术，透明导电薄膜通过将导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电薄膜，该透明导电薄膜具备：基材，该基材具有透明性和柔韧性；以及导电层，该导电层通过在该基材的至少一个面上层叠导电树脂而形成，其中，使所述导电层的表面的中心线平均粗糙度(Ra75)为0.002μm以上0.02μm以下，最大高度(Rz)为0.03μm以上0.10μm以下，且十点平均粗糙度(RzJIS94)为0.02μm以上0.05μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：上拾石成夫，长冈利典，
申请(专利权)人：长冈产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP