显示基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置，上述制作方法包括：形成基底；在基底上形成薄膜晶体管，在栅极和有源层之间形成有第二绝缘层，在基底上形成有第一绝缘层，有源层形成在第一绝缘层中；在薄膜晶体管之上形成第三绝缘层；在第三绝缘层之上形成像素电极；在像素电极之上形成第四绝缘层，其中，基底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一层的材料为有机材料，至少一层的材料为无机材料。通过有机材料和无机材料分别形成薄膜晶体管中的各绝缘层和基底，可以使得薄膜晶体管既具备有机材料的优点，既简化了制作工艺，又提高了薄膜晶体管的电学性能，以及薄膜晶体管所在显示基板的物理性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体而言，涉及显示基板制作方法、显示基板和显示装置。
技术介绍
现有技术的柔性基板的TFT (Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)中，各导电结构之间的绝缘层一般只采用有机材料制作，或只采用无机材料制作。在只采用有机材料制作绝缘层的结构中，由于所采用的有机物一般为聚合物，而聚合物的介电常数相对较低，单独使用作TFT器件的绝缘层，会使得制备出的薄膜晶体管的阈值电压相对较高，并且漏电流较大，影响薄膜晶体管的电学性能。在只采用无机材料制作绝缘层的结构中，虽然无机材料的介电常数相对较高，但是在形成绝缘层时，无法一次性制作较厚的无机材料层，需要逐层涂布无机材料才能够得到所需厚度的绝缘层，工艺次数繁多。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，兼顾有机材料和无机材料作为绝缘层的优点。为此目的，本专利技术提出了一种显示基板制作方法，包括:形成基底；在所述基底上形成薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，在所述栅极和有源层之间形成有第二绝缘层，在所述基底上形成有第一绝缘层，所述有源层形成在第一绝缘层中；在所述薄膜晶体管之上形成第三绝缘层； 在所述第三绝缘层之上形成像素电极；在所述像素电极之上形成第四绝缘层，其中，所述基底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一层的材料为有机材料，至少一层的材料为无机材料。优选地，形成基底包括:在衬底基板上形成与所述源极和漏极的图形对应的第一凸起；在所述衬底基板上形成羟基功能化的第一聚二甲基硅烷层，以在所述第一聚二甲基硅烷层与所述第一凸起对应的面形成与所述源极和漏极的图形对应的第一凹槽；将所述第一聚二甲基硅烷层从所述衬底基板上脱离，以作为所述基底。优选地，形成所述源极和漏极包括:在玻璃基板上涂覆十八烷基三氯硅烷；将所述玻璃基板涂覆十八烷基三氯硅烷的面与所述基底形成有第一凹槽的面相接触；移除所述玻璃基板，在所述基底上涂覆包含导电材料的亲水性溶液，以在所述第一凹槽中形成所述源极和漏极。优选地，形成第一绝缘层包括:在所述基底上形成第二聚二甲基硅烷层，以作为所述第一绝缘层；对所述第一绝缘层的上表面进行光照或氧化处理，以在所述第一绝缘层的上表面形成第一二氧化硅层；对所述第一绝缘层进行蚀刻，以形成与所述有源层的图形对应的通孔；在所述第一绝缘层进上涂覆包含半导体材料的亲水性溶液，以在所述通孔中形成所述有源层。优选地，形成第二绝缘层包括:在所述第一绝缘层上形成第三聚二甲基硅烷层，以作为所述第二绝缘层；对所述第二绝缘层进行蚀刻，以形成与所述栅极图形对应的第二凹槽；在玻璃基板上涂覆十八烷基三氯硅烷；将所述玻璃基板涂覆十八烷基三氯硅烷的面与所述第二绝缘层形成有第二凹槽的面相接触；移除所述玻璃基板，在所述第二绝缘层上涂覆包含导电材料的亲水性溶液，以在所述第二凹槽中形成所述栅极。优选地，形成第三绝缘层包括:在所述第二绝缘层上形成第四聚二甲基硅烷层，以作为所述第三绝缘层；对所述第三绝缘层的上表面进行光照或氧化处理，以在所述第三绝缘层的上表面形成第二二氧化硅层。优选地，形成第四绝缘层包括:采用聚二甲基硅烷、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种材料在所述像素电极上形成所述第四绝缘层。本专利技术还提出了一种根据上述制作方法制作的显示基板，包括:基底；薄膜晶体管，设置在所述基底之上，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层；第一绝缘层，设置在所述基底上，所述有源层设置在所述第一绝缘层中；第二绝缘层，设置在所述栅极和有源层之间；第三绝缘层，设置在所述薄膜晶体管之上；像素电极，设置在所述第三绝缘层之上；第四绝缘层，设置在所述像素电极之上，其中，所述基底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一层的材料包括有机材料，至少一层的材料包括无机材料。优选地，在所述基底上表面设置有与所述源极和漏极图形对应的第一凹槽，在所述第一凹槽中设置有所述源极和漏极。优选地，在所述第一绝缘层中设置有与所述有源层的图形对应的通孔，在所述通孔中设置有所述有源层，其中，所述第一绝缘层的材料包括聚二甲基硅烷，在所述第一绝缘层的上表面形成有第一二氧化硅层。优选地，在所述第二绝缘层上表面设置有与所述栅极图形对应的第二凹槽，在所述第二凹槽中设置有所述栅极。优选地，所述第三绝缘层的材料包括聚二甲基硅烷，在所述第三绝缘层上表面形成有第二二氧化硅层。优选地，所述第四绝缘层的材料包括聚二甲基硅烷、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。本专利技术还提出了一种显示装置，包括上述显示基板。根据上述技术方案，通过有机材料和无机材料分别形成薄膜晶体管中的各绝缘层和基底，可以使得薄膜晶体管既具备有机材料的优点，一方面简化了制作工艺，另一方面提高了薄膜晶体管的电学性能，以及薄膜晶体管所在显示基板的物理性能。【附图说明】通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中:图1示出了根据本专利技术一个实施例的显示基板制作方法的示意流程图；图2示出了根据本专利技术一个实施例的形成基底的示意流程图；图3示出了根据本专利技术一个实施例的形成源极和漏极的示意流程图；图4示出了根据本专利技术一个实施例的形成第一绝缘层的示意流程图；图5示出了根据本专利技术一个实施例的形成第二绝缘层的示意流程图；图6示出了根据本专利技术一个实施例的形成第三绝缘层的示意流程图；图7至图9示出了根据本专利技术一个实施例的形成基底的具体示意流程图；图10和图11示出了根据本专利技术一个实施例的形成源极和漏极的具体示意流程图；图12至图15示出了根据本专利技术一个实施例的形成第一绝缘层的具体示意流程图；图16至图19示出了根据本专利技术一个实施例的形成第二绝缘层的具体示意流程图；图20和图21示出了根据本专利技术一个实施例的第三绝缘层的具体示意流程图；图22示出了根据本专利技术一个实施例的显示基板的结构示意图；附图标号说明:1-基底；11-第一凹槽；21_栅极；22_源极；23_漏极；24_有源层；3_第一绝缘层；31-第一二氧化硅层；32_通孔；4_第二绝缘层；41_第二凹槽；5_第三绝缘层；51_第二二氧化硅层；6_像素电极；7_第四绝缘层；8_衬底基板；81_第一凸起；9_玻璃基板；91_十八烧基二氣娃烧O【具体实施方式】为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，根据本专利技术一个实施例的显当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板制作方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，在所述栅极和有源层之间形成有第二绝缘层，在所述基底上形成有第一绝缘层，所述有源层形成在第一绝缘层中；在所述薄膜晶体管之上形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层之上形成像素电极；在所述像素电极之上形成第四绝缘层，其中，所述基底、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一层的材料为有机材料，至少一层的材料为无机材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，彭锐，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11