存储单元控制器及其控制方法、以及存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种存储单元控制器及其控制方法、以及存储装置，该存储单元控制器包括：地址映射单元；非易失性缓冲器以及更新指示器。更新指示器依据保存于非易失性缓冲器的第一数据是否被写入至存储单元来设置指示标示。地址映射单元于电力开启时检查指示标示。当经检查的指示标示表示写入第一数据尚未完成时，地址映射单元启动更新操作模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例是有关于一种控制存储单元的技术，尤指一种用于更新及保存数据 的存储单元控制器及其控制方法、以及存储装置。
技术介绍
图1为现有的存储装置的方块图。存储装置100包括非易失性存储器10以及控 制器20。当主机将数据传送至存储装置100进行存储时，若写入过程中因存储装置100的 电力不稳定或消失，将造成数据错误或是数据丢失的问题。 举例而言，存储装置100为闪存盘。在进行数据写入的过程中因使用者操作不当 而将闪存盘从主机拔出时，通常尚未完成更新的数据将会丢失。 另外，一般的非易失性存储器为与非快闪存储器（NANDFlashMemory)或是互斥 非或快闪存储器（ExclusiveNORFlashMemory)，其写入速度不快。当存储装置100将数 据写入于非易失性存储器10时，通常会让使用者长时间等待而造成不便。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提出一种存储单元控制器及其控制方法、以及存储装置。 本专利技术实施例提供一种存储单元控制器。存储单元控制器包括地址映射单元、非 易失性缓冲器以及更新指示器。非易失性缓冲器耦接地址映射单元。更新指示器耦接地址 映射单元与非易失性缓冲器。更新指示器依据保存于非易失性缓冲器的第一数据是否被写 入至存储单元来设置指示标示。地址映射单元于电力开启时检查指示标示。当经检查的指 示标示表示写入第一数据尚未完成时，地址映射单元启动更新操作模式。 从另一观点来看，本专利技术另一实施例提供一种存储器控制方法。存储器控制方法 包括：依据保存于非易失性缓冲器的第一数据是否被写入至存储单元来设置指示标示；于 电力开启时检查指示标示；以及当经检查的指示标示表示写入第一数据尚未完成时，启动 更新操作模式。 从另一观点来看，本专利技术另一实施例提供一种存储装置，其包括存储单元以及非 易失性缓冲器。非易失性缓冲器耦接存储单元。当主机欲写入第一数据至存储单元时，写 入第一数据于非易失性缓冲器的模拟地址，之后将第一数据从模拟地址写入至存储单元的 第一实际地址。 基于上述，本专利技术实施例可以有效地解决数据丢失的问题，且可以避免让使用者 长时间等待更新存储器的不便。 应了解的是，上述一般描述及以下【具体实施方式】仅为示例性及阐释性的，其并不 能限制本专利技术所欲主张的范围。【附图说明】 下面的所附图示是本专利技术的说明书的一部分，其绘示了本专利技术的示例实施例，所 附图示与说明书的描述一起用来说明本专利技术的原理。 图1为现有的存储装置的方块图。 图2是依照本专利技术一实施例的存储装置的方块图。 图3是依照本专利技术一实施例的存储单元的控制方法的流程图。 图4是依照本专利技术一实施例的存储单元的控制方法的流程图。 符号说明： 10:非易失性存储器 20:控制器 100:存储装置 200 :存储装置 210:存储器控制器 220 :地址映射单元 230:非易失性缓冲器 232:第一缓冲器单元 234:第二缓冲器单元 240:更新指示器 250:状态暂存器 260:非易失性存储器 270:汇流排 280:主机Addl、Add2:实际地址Bddl、Bdd2 :模拟地址DA1 :第一数据DA2 :第二数据IFL:指示标示S3〇l~S3〇8、S4〇l~S4〇3:步骤【具体实施方式】 现在将详细说明本专利技术的示范性实施例，并在所附图示中说明所述示范性实施例 的实例。另外，在图示及实施方式中所使用相同或类似标号的元件/构件是用来代表相同 或类似部分。 图2是依照本专利技术一实施例的存储装置的方块图。存储装置200包括存储单元 (例如：非易失性存储器260)以及存储单元控制器（例如：存储器控制器210)。在图2及 本专利技术的一些实施例中虽然是以非易失性存储器260以及存储器控制器210为例进行说 明，但本专利技术并不以此为限，在其他实施例中，存储装置200亦可以是一个硬盘或其他种类 的存储装置，图2中的非易失性存储器260 (存储单元）亦可以替换为例如硬盘中的存储磁 区（Sector)。 存储器控制器210包括地址映射单元（AddressMappingUnit) 220、非易失性缓 冲器230以及更新指示器240。更新指示器240可耦接地址映射单元220与非易失性缓冲 器230。非易失性缓冲器230可耦接地址映射单元220与非易失性存储器260。在写入操 作中，非易失性缓冲器230可以作为写入缓冲器；在读取操作中，非易失性缓冲器230可以 作为读取缓冲器（ReadBuffer)。 更新指示器240可依据保存于非易失性缓冲器230的第一数据DA1是否被写入至 非易失性存储器260来设置指示标示IFL。 地址映射单元220可采用模拟地址与实际地址的机制来进行定址。地址映射单元 220可检查指示标示IFL。当指示标示IFL表示写入第一数据DA1已完成时，则可进入正常 操作模式以进行后续的写入操作或是读取操作。当指示标示IFL表示写入第一数据DA1尚 未完成时，可能是因为在前述的写入操作中，数据尚未完全更新完成。在其他实施例中，则 可能是因为在前一次的写入过程中断电，使得写入第一数据DA1尚未完成，此时可启动更 新操作模式，即进行前一次尚未完成写入第一数据DA1的更新。 在正常操作模式，若主机280通过汇流排270通知存储装置200的地址映射单元 220欲写入第一数据DA1至非易失性存储器260的实际地址Addl时，则地址映射单元220 可对第一数据DA1进行如下的定址：提供一对应于实际地址Addl的模拟地址Bddl，其中实 际地址Addl可与模拟地址Bddl具有相同的地址数值，其中模拟地址Bddl与实际地址Addl 分别被配置于非易失性缓冲器230与非易失性存储器260 ;记录模拟地址Bddl，之后可进入 更新操作模式以进行更新的操作：将第一数据DA1保存在非易失性缓冲器230的模拟地址 Bddl;将第一数据DA1从非易失性缓冲器230的模拟地址Bddl转移至非易失性存储器260 的实际地址Addl。在执行完前述的定址以及更新的操作后，地址映射单元220对于第一数 据DA1采取正常的地址映射方式（NormalAddressMapping)。更具体来说，前述正常的地 址映射方式例如为：若主机280欲读取第一数据DA1时，可自非易失性存储器260的实际地 址Addl读取第一数据DA1，或是通过另一读取缓冲器来读取第一数据DA1。 非易失性缓冲器230的写入速度可远快于非易失性存储器260的写入速度。举 例而言，非易失性缓冲器230可以为电阻式随机存取存储器（ResistiveRandomAccess Memory，RRAM)、磁阻式随机存取存储器（MagnetoresistanceRandomAccessMemory, MRAM)、铁电式随机存取存储器（FerroelectricRandomAccessMemory，FRAM)、相变式随 机存取存储器（PhaseChangeRandomAccessMemory,PRAM)、电导桥式随机存取存储器 (ConductiveBridgeRandomAccessMemory，CBRAM)或是其他可实现本专利技术实施例的存 储器；非易失性存储器可以为与非快闪存储器（NANDFlashMemory)、互斥本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元控制器，其特征在于，包括：一地址映射单元；一非易失性缓冲器，耦接该地址映射单元；以及一更新指示器，耦接该地址映射单元与该非易失性缓冲器，该更新指示器依据保存于该非易失性缓冲器的一第一数据是否被写入至一存储单元来设置一指示标示；其中该地址映射单元于电力开启时检查该指示标示，当经检查的该指示标示表示写入该第一数据尚未完成时，该地址映射单元启动一更新操作模式。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卢嘉謦，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71