一种稳压电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Q1、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VR和MOS管VS，变压器T线圈L1两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2一端分别连接整流桥Q1引脚1和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管D1正极和整流桥Q1引脚3，二极管D1负极连接接地二极管D2负极。本实用新型专利技术稳压电源通过使用单向可控硅和MOS管配合控制，使得电源在稳压的同时能够对输出电流进行限制，安全性高，且没有使用任何芯片元件，稳定性高，另外加入二极管D1和二极管D2能将变压器T线圈L2因漏感产生的尖峰电压钳位到安全值，提高安全性，电路结构简单，成本低，非常适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电源，具体是一种稳压电源。
技术介绍
随着科技的发展，稳压电源作为电器设备所必不可少的组成部分，如何使稳压的稳压效果好而且体积小，一直是业内研宄的重点，另外现有的稳压电路大多只是控制了输出端的电路，却没有很好的限流手段。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种带限流保护的稳压电源，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Ql、二极管Dl、三极管VTl、单向可控硅VR和MOS管VS，所述变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2 —端分别连接整流桥Ql引脚I和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管Dl正极和整流桥Ql引脚3，二极管Dl负极连接接地二极管D2负极，整流桥Ql引脚4分别连接电容Cl、单向可控硅VR的A极、电容C4、电阻R3和电容C5，电容Cl另一端分别连接整流桥Ql引脚2、二极管D6正极、电容C3和MOS管VS的D极，二极管D6负极分别连接电容C2另一端和二极管D5正极，二极管D5负极分别连接电容C3另一端和电阻R1，电阻Rl另一端分别连接MOS管VS的G极、单向可控硅VR的K极和三极管VTl集电极，三极管VTl基极分别连接MOS管VS的S极和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl发射极、电位器RW、电容C5另一端和输出端Vo，电位器RW另一端分别连接电阻R3另一端、电容C4另一端和单向可控硅VR的G极。作为本技术进一步的方案:所述二极管D2为稳压二极管。作为本技术再进一步的方案:所述单向可控硅VR为TL431。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术稳压电源通过使用单向可控硅和MOS管配合控制，使得电源在稳压的同时能够对输出电流进行限制，安全性高，且没有使用任何芯片元件，稳定性高，另外加入二极管Dl和二极管D2能将变压器T线圈L2因漏感产生的尖峰电压钳位到安全值，提高安全性，电路结构简单，成本低，非常适合推广使用。【附图说明】图1为稳压电源的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Q1、二极管Dl、三极管VTl、单向可控硅VR和MOS管VS，变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2 —端分别连接整流桥Ql引脚I和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管Dl正极和整流桥Ql引脚3，二极管Dl负极连接接地二极管D2负极，整流桥Ql引脚4分别连接电容Cl、单向可控硅VR的A极、电容C4、电阻R3和电容C5，电容Cl另一端分别连接整流桥Ql引脚2、二极管D6正极、电容C3和MOS管VS的D极，二极管D6负极分别连接电容C2另一端和二极管D5正极，二极管D5负极分别连接电容C3另一端和电阻R1，电阻Rl另一端分别连接MOS管VS的G极、单向可控硅VR的K极和三极管VTl集电极，三极管VTl基极分别连接MOS管VS的S极和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl发射极、电位器RW、电容C5另一端和输出端Vo，电位器RW另一端分别连接电阻R3另一端、电容C4另一端和单向可控硅VR的G极。二极管D2为稳压二极管。单向可控硅VR为TL431。本技术的工作原理是:220V电压首先经变压器T降压、整流桥Ql整流、电容Cl滤波，此外二极管D5、二极管D6、电容C2、电容C3组成倍压电路，电位器RW、电阻R3组成分压电路，单向可控硅VR、电阻Rl组成取样放大电路，三极管VTl、电阻R2组成限流保护电路，MOS管VS作调整管以及电容C5是输出滤波器电路等，稳压过程是:当输出端Vo电压降低时，f点电位降低，经单向可控硅VR内部放大使e点电压增高，经MOS管VS调整后，b点电位升高；反之，当输出端Vo电压增高时，f点电位升高，e点电位降低，经MOS管VS调整后，b点电位降低，从而使输出端Vo电压稳定。三极管VTl与电阻R2组成限流电路，当输出电流大于6A时，三极管VTl处于截止，使输出电流被限制在6A以内，从而达到限流的目的。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Ql、二极管Dl、三极管VTl、单向可控硅VR和MOS管VS，其特征在于，所述变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2 —端分别连接整流桥Ql引脚I和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管Dl正极和整流桥Ql引脚3，二极管Dl负极连接接地二极管D2负极，整流桥Ql引脚4分别连接电容Cl、单向可控硅VR的A极、电容C4、电阻R3和电容C5，电容Cl另一端分别连接整流桥Ql引脚2、二极管D6正极、电容C3和MOS管VS的D极，二极管D6负极分别连接电容C2另一端和二极管D5正极，二极管D5负极分别连接电容C3另一端和电阻R1，电阻Rl另一端分别连接MOS管VS的G极、单向可控硅VR的K极和三极管VTl集电极，三极管VTl基极分别连接MOS管VS的S极和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VTl发射极、电位器RW、电容C5另一端和输出端Vo，电位器RW另一端分别连接电阻R3另一端、电容C4另一端和单向可控硅VR的G极。2.根据权利要求1所述的稳压电源，其特征在于，所述二极管D2为稳压二极管。3.根据权利要求1所述的稳压电源，其特征在于，所述单向可控硅VR为TL431。【专利摘要】本技术公开了一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Q1、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VR和MOS管VS，变压器T线圈L1两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2一端分别连接整流桥Q1引脚1和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管D1正极和整流桥Q1引脚3，二极管D1负极连接接地二极管D2负极。本技术稳压电源通过使用单向可控硅和MOS管配合控制，使得电源在稳压的同时能够对输出电流进行限制，安全性高，且没有使用任何芯片元件，稳定性高，另外加入二极管D1和二极管D2能将变压器T线圈L2因漏感产生的尖峰电压钳位到安全值，提高安全性，电路结构简单，成本低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳压电源，包括变压器T、整流桥Q1、二极管D1、三极管VT1、单向可控硅VR和MOS管VS，其特征在于，所述变压器T线圈L1两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2一端分别连接整流桥Q1引脚1和电容C2，变压器T线圈L2另一端分别连接二极管D1正极和整流桥Q1引脚3，二极管D1负极连接接地二极管D2负极，整流桥Q1引脚4分别连接电容C1、单向可控硅VR的A极、电容C4、电阻R3和电容C5，电容C1另一端分别连接整流桥Q1引脚2、二极管D6正极、电容C3和MOS管VS的D极，二极管D6负极分别连接电容C2另一端和二极管D5正极，二极管D5负极分别连接电容C3另一端和电阻R1，电阻R1另一端分别连接MOS管VS的G极、单向可控硅VR的K极和三极管VT1集电极，三极管VT1基极分别连接MOS管VS的S极和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1发射极、电位器RW、电容C5另一端和输出端Vo，电位器RW另一端分别连接电阻R3另一端、电容C4另一端和单向可控硅VR的G极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕云，
申请(专利权)人：吕云，
类型：新型
国别省市：浙江;33