带载能力强的电流源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带载能力强的电流源。带载能力强的电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管。利用本实用新型专利技术提供的带载能力强的电流源能够提高带载能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电流源，尤其涉及到带载能力强的电流源。
技术介绍
为了提高电流源的带载能力，设计了带载能力强的电流源。
技术实现思路
本技术旨在提供一种带载能力强的电流源。带载能力强的电流源，包括第一电阻、第一 NPN管、第二 NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一 PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管:所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极；所述第一 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二 NPN管的基极和集电极；所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的发射极，发射极接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极；所述第三NPN管的基极接第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一 PMOS管的漏极；所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极； 所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第一 PMOS管的漏极，另一端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端；所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第五电阻的一端，另一端接所述第四NPN管的基极和集电极和所述第五NPN管的基极；所述第四NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第五NPN管的基极，发射极接地；所述第五电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；所述第五NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极和集电极，集电极接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，发射极接所述第六电阻的一端；所述第六电阻的一端接所述第五NPN管的发射极，另一端接地；所述第六NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端，发射极接地；所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的源极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极，源极电源电压VCC ;所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ；所述第七NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第六NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极和漏极和所述第八NPN管的集电极，漏极接所述第七NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ;所述第八NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和漏极，发射极接地；所述第七PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管的栅极和所述第八NPN管的集电极，源极接所述第八PMOS管的漏极并作为该电流源的输出驱动端；所述第八PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第七PMOS管的源极，源极接电源电压VCC。所述第一电阻、所述第一 NPN管、所述第二 NPN管、所述第二电阻和所述第三NPN管构成启动电路，从电源电压VCC依次第一电阻、所述第一 NPN管、所述第二 NPN管形成电流，然后通过所述第一 NPN管镜像给所述第三NPN管；所述第四电阻、所述第四NPN管、所述第五电阻、所述第五NPN管、所述第六电阻构成基准电压源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电压基准源正常工作后，由于所述第三NPN管的发射极电压升高，所述第三NPN管的发射极就不会有电流流出，所述第六NPN管和所述第二 PMOS管构成电压基准源正常工作后反馈到基准电压源核心部分的工作电流，通过所述第二 PMOS管镜像给所述第一 PMOS管，同时这一工作电流通过所述第七NPN管和所述第八NPN管的基极和所述第六NPN管的基极接在一起，电流1l和102可以通过调整所述第七NPN管和所述第八NPN管与所述第六NPN管的发射极面积比进行调整；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管是为了减少电源电压VCC分别对所述第二 PMOS管和所述第一 PMOS管的影响，也即是提高了基准电压源的电源抑制比；所述第一电容是为了调整整个电流源的频率补偿，使得环路更稳定；从所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的漏极进行驱动其他电路，由于电流源的输出电阻是所述第七PMOS管的源漏间电阻和所述第八PMOS管的源漏间电阻的并联，输出电阻减小，就能有效地提高带负载能力。【附图说明】图1为本技术的带载能力强的电流源的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。带载能力强的电流源，如图1所示，包括第一电阻101、第一 NPN管102、第二 NPN管103、第二电阻104、第三NPN管105、第一 PMOS管106、第三电阻107、第四电阻108、第四NPN管109、第五电阻110、第五NPN管111、第六电阻112、第六NPN管113、第二 PMOS管114、第三PMOS管115、第四PMOS管116、第一电容117、第七NPN管118、第五PMOS管119、第六PMOS管120、第八NPN管121、第七PMOS管122和第八PMOS管123:所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管102的基极和集电极和所述第三NPN管105的基极；所述第一 NPN管102的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第三NPN管105的基极，发射极接所述第二 NPN管103的基极和集电极；所述第二 NPN管103的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管1本文档来自技高网...

【技术保护点】
带载能力强的电流源，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二NPN管的基极和集电极；所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的发射极，发射极接地；所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极；所述第三NPN管的基极接第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极，另一端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端；所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第五电阻的一端，另一端接所述第四NPN管的基极和集电极和所述第五NPN管的基极；所述第四NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第五NPN管的基极，发射极接地；所述第五电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；所述第五NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极和集电极，集电极接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，发射极接所述第六电阻的一端；所述第六电阻的一端接所述第五NPN管的发射极，另一端接地；所述第六NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端，发射极接地；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的源极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第七NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第六NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极和漏极和所述第八NPN管的集电极，漏极接所述第七NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第八NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和漏极，发射极接地；所述第七PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管的栅极和所述第八NPN管的集电极，源极接所述第八PMOS管的漏极并作为该电流源的输出驱动端；所述第八PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第七PMOS管的源极，源极接电源电压VCC。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶霞菲，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33