石墨片的制备方法及其系统技术方案

一种石墨片的制备方法，包括提供第一石墨片，并且黏附第一及第二离型基材于第一石墨片的第一及第二表面上，接着沿第一石墨片的第一侧边分离第一及第二离型基材，以将第一石墨片分离为厚度均匀的第二及第三石墨片，之后压实分离后的第二石墨片，且黏附第三离型基材于压实后的第二石墨片的分离面上，以便沿第二石墨片的第二侧边分离第一及第三离型基材，进而将第二石墨片分离为厚度均匀的第四及第五石墨片。本发明专利技术所提出的石墨片的制备方法可减少传统石墨片的制备时间，并且还可简化制备流程，降低成本及减少污染。

【技术实现步骤摘要】
石墨片的制备方法及其系统
本专利技术涉及一种石墨片的制备方法及其系统，特别是涉及一种机械剥离式制备石墨片的方法及其系统。
技术介绍
近年来，随着科技的蓬勃发展，电子产品的工作性能不断地被提升，并且电子产品的尺寸亦越来越小，而随着电子产品的工作速度与效率的提高，这也意味着电子产品的发热量越来越大，因此电子产品不仅需要配备相应的散热装置，还要确保散热装置具有绝佳的散热能力，以适时地散除电子产品内部的电子组件工作时所产生的热能，借此确保电子产品能正常运作，进而提高产品性能的可靠性及延长产品的使用寿命。对此，石墨片(GraphiteSheet)因具有相对于金属散热片的低密度特性，以及具有高散热/导热、绝缘抗腐蚀及低热阻等特性，目前已成为用以帮助电子产品实现快速散热/导热的首选材料。石墨片除了可以沿水平进行导热，还可沿垂直方向进行导热，特别是石墨片为片层状结构，因此更能适用于任何产品的表面，以利于达到更佳的散热/导热的作用。然而，在传统的石墨片的制备过程中，通常须先对天然的石墨鳞片进行酸化处理及连续高温锻烧以产生石墨蓬松片，接着静置石墨蓬松片一特定时间以便退温取出。之后，还须将石墨蓬松片滚压成预定厚度的石墨片，以完成石墨片的制备。值得注意的是，在单次石墨片的制备过程，仅能获得一石墨片，如此反复操作将花费大量的制备时间，这将使得石墨片的产能效率无法提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种石墨片的制备方法，所述石墨片的制备方法包括以下步骤：提供第一石墨片，其中第一石墨片具有第一表面及相对于第一表面的第二表面；分别黏附第一及第二离型基材于第一及第二表面上，其中第一离型基材完全覆盖第一表面，以及第二离型基材完全覆盖第二表面；沿第一石墨片的第一侧边分离第一及第二离型基材，以将第一石墨片分离为厚度均匀的第二及第三石墨片；压实分离后的第二石墨片；黏附第三离型基材至第二石墨片的分离面；以及沿第二石墨片的第二侧边分离第一及第三离型基材，以将第二石墨片分离为厚度均匀的第四及第五石墨片。进一步地，在分别黏附该第一及该第二离型基材于该第一及该第二表面上的步骤之后，还可包括：执行一密封程序，以沿该第一侧边融熔该第一及该第二离型基材，而使得该第一及该第二离型基材相互接合，进而形成一接合面，其中该接合面完全密封该第一侧边；以及在该接合面上形成一开口。进一步地，在沿该第一石墨片的该第一侧边分离该第一及该第二离型基材的步骤中，包含：施加拉力于该第一及该第二离型基材上，以使该接合面由该开口裂开，进而沿该第一石墨片的该第一侧边将该第一石墨片为离为厚度均匀的一第二及一第三石墨片。较佳的，该密封程序为热加压该第一侧边，以融熔该第一及该第二离型基材，而使得该第一及该第二离型基材沿该第一侧边相互接合，进而形成该接合面。优选的，该密封程序为先对该第一侧边进行加压后，再对该第一侧边进行激光烧结，以融熔该第一及该第二离型基材，而使得该第一及该第二离型基材沿该第一侧边相互接合，进而形成该接合面。另一方面，本专利技术提供一种石墨片的制备系统，所述石墨片的制备系统包括上胶单元、分离单元、加压单元及控制单元。上胶单元用以分别于第一石墨片的第一表面及相对于第一表面的第二表面上黏附第一及第二离型基材。分离单元用以分离第一及第二离型基材，以将第一石墨片分离为两厚度均匀的第二及第三石墨片。加压单元用以压实分离后的第二或第三石墨片。控制单元电性连接上胶单元、分离单元及加压单元，并且控制单元用以控制上胶单元、分离单元及加压单元的运作状态。综上所述，本专利技术实施例所提出的石墨片的制备方法及其系统，借由在第一石墨片的第一表面及第二表面上黏附第一及第二离型基材，并且借由分离第一及第二离型基材以将第一石墨片一分为二，亦即将第一石墨片分离为厚度均匀的第二及第三石墨片，接着在第二石墨片的分离面黏附第三离型基材，之后分离第一及第三离型基材，以将第二石墨片分离为厚度均匀的第四及第五石墨片。如此反复操作，除了可减少传统石墨片的制备时间，还可简化制备流程。此外，本专利技术实施例所提出的石墨片的制备方法及其系统，还可在常温下进行。再者，本专利技术实施例所提出的石墨片的制备方法及其系统亦不须使用昂贵的制程设备，且无须经由化学处理，而可降低制备成本及减少环境污染。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是这种说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。附图说明图1为根据本专利技术实施例的石墨片的两表面贴附离型基材的示意图。图2为根据本专利技术实施例的石墨片沿第一侧边被分离的示意图。图3为根据本专利技术实施例的石墨片的制备方法的流程图。图4为根据本专利技术另一实施例的石墨片的两表面贴附有离型基材的示意图。图5A为根据本专利技术另一实施例的于两表面贴附有离型基材的石墨片进行侧边加压密封的示意图。图5B为根据图5A所示的石墨片执行密封程序后的示意图。图5C为根据图5B所示的接合面上形成开口的示意图。图5D为根据图5C的石墨片的开口的示意图。图6为根据本专利技术另一实施例的石墨片的开口的示意图。图7为根据本专利技术实施例的石墨片的制备系统的示意图。【附图标记说明】10、40：第一石墨片10a：第二石墨片10b：第三石墨片11a、41a：第一离型基材11b、41b：第二离型基材12：第一侧边13：接合面14、14a、64：开口X、Y、Z：端点V1、V2：真空吸引机L：中心线100：石墨片的制备系统110：控制单元120：上胶单元130：分离单元140：加压单元S310～S360：步骤具体实施方式下文将结合附图更充分地描述展现各种示例性实施例。然而，本专利技术概念可能以许多不同形式来体现，不应解释为仅限于本文中所阐述的示例性实施例。确切而言，提供这种示例性实施例使得本专利技术将为详尽且完整，且将向本领域技术人员充分传达本专利技术概念的范畴。在许多附图中，可为了清楚而夸大层及区的大小及相对大小。类似数字始终代表类似组件。应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件，但这些组件不应受这种术语限制。这种术语用来区分一组件与另一组件。因此，下文论述的第一组件可称为第二组件而不偏离本专利技术概念的教示。本文中所使用的术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任意一个及一个或多个的所有组合。在下文中，将结合附图说明本专利技术的多个实施例来详细描述本专利技术，而附图中的相同数字标号可用以表示类似的组件。石墨片的制备方法的实施例一请参照图1，图1为根据本专利技术实施例的石墨片的两表面贴附离型基材的示意图。如图1所示，第一石墨片10(公知为片层状结构)的第一表面(例如上表面)及相对于第一表面的第二表面(例如下表面)分别黏附有第一离型基材11a及第二离型基材11b。进一步地说，请一并参照图2，图2为根据本专利技术实施例的石墨片沿第一侧边被分离的示意图。如图2所示，利用真空吸引机V1及真空吸引机V2分别吸附第一离型基材11a及第二离型基材11b，以便分离第一离型基材11a及第二离型基材11b，进而将第一石墨片10分离为第二石墨片10a及第三石墨片10b。在第一石墨片被分离为第二石墨片10a及第三石墨片10b后，利用滚压机(未图示)滚压分离后的第二石墨片10a或第三石墨片10b，以压实分离后的石墨片而使石墨片的片层间间距变小，达到层与层之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨片的制备方法，其特征在于，包括：提供一第一石墨片，其中该第一石墨片具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；分别黏附一第一及一第二离型基材于该第一及该第二表面上，其中该第一离型基材完全覆盖该第一表面，以及该第二离型基材完全覆盖该第二表面；以及沿该第一石墨片的一第一侧边分离该第一及该第二离型基材，以将该第一石墨片分离为厚度均匀的一第二及一第三石墨片。

【技术特征摘要】
1.一种石墨片的制备方法，其特征在于，包括：提供一第一石墨片，其中该第一石墨片具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；分别黏附一第一及一第二离型基材于该第一及该第二表面上，其中该第一离型基材完全覆盖该第一表面，以及该第二离型基材完全覆盖该第二表面；执行一密封程序，以沿该第一石墨片的一第一侧边融熔该第一及该第二离型基材，而使得该第一及该第二离型基材相互接合，进而形成一接合面，其中该接合面完全密封该第一侧边；在该接合面上形成一开口；以及沿该第一侧边分离该第一及该第二离型基材，以将该第一石墨片分离为厚度均匀的一第二及一第三石墨片。2.如权利要求1所述的石墨片的制备方法，其特征在于，在沿该第一石墨片的该第一侧边分离该第一及该第二离型基材的步骤中，包含：施加拉力于该第一及该第二离型基材上，以使该接合面由该开口裂开，进而沿该第一石墨片的该第一侧边将该第一石墨片分离为厚度均匀的一第二及一第三石墨片。3.如权利要求1所述的石墨片的制备方法，其特征在于，该密封程序为热加压该第一侧边，以融熔该第一及该第二离型基材，而使得该第一及该第二离型基材沿该第一侧边相互接合，进而形成该接合面。4.如权利要求1所述的石墨片的制备方法，其特征在于，该密封程序为先对该第一侧边进行加压后，再对该第一侧边进行激光烧结，以融熔该第一及该第二离型基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林友复，
申请(专利权)人：林友复，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71