本实用新型专利技术涉及一种LED光源，包括固晶区，其设置于红铜基板上，该固晶区为四方形，固晶区的外缘处设有包围所述固晶区的封胶凹槽，所述封胶凹槽外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极和第二正极，所述第一正极和第二正极分别设置于封胶凹槽的相邻两边的外侧，所述二焊区负极包括第一负极和第二负极，所述第一负极和第二负极分别设置于封胶凹槽的相邻的另外两边的外侧，所述固晶区上设有若干半导体晶片，所述半导体晶片四周设有围坝胶，该半导体晶片的顶部设有封装装置。该光源导热系数高达，且基板采用热电分离技术，并且采用围坝方式封胶，杜绝缝隙，提高可靠性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种LED光源，包括固晶区，其设置于红铜基板上，该固晶区为四方形，固晶区的外缘处设有包围所述固晶区的封胶凹槽，所述封胶凹槽外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极和第二正极，所述第一正极和第二正极分别设置于封胶凹槽的相邻两边的外侧，所述二焊区负极包括第一负极和第二负极，所述第一负极和第二负极分别设置于封胶凹槽的相邻的另外两边的外侧，所述固晶区上设有若干半导体晶片，所述半导体晶片四周设有围坝胶，该半导体晶片的顶部设有封装装置。该光源导热系数高达，且基板采用热电分离技术，并且采用围坝方式封胶，杜绝缝隙，提高可靠性。【专利说明】 —种LED光源
本技术涉及照明
中的一种发光二极管光源，具体涉及一种LED光源。
技术介绍
目前户外中型、投光灯照明，主要有二个方案:(一)卤素灯:基本以300W-500W的卤钨灯为主，卤素灯的寿命低，功率高，能耗高，且使用复杂，电气要求高；(二)传统LED灯:采用单颗100-150WLED光源；传统LED灯的基板导热能力不足，不够稳定，容易死灯，容易出现胶裂、现象。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种LED光源，该光源导热系数高达，且基板采用热电分离技术，并且采用围坝方式封胶，杜绝缝隙，提高可靠性。 本技术的目的是通过以下技术方案来实现: 一种LED光源，包括固晶区，所述固晶区设置于红铜基板上，该固晶区为四方形，固晶区的外缘处设有包围所述固晶区的封胶凹槽，所述封胶凹槽外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极和第二正极，所述第一正极和第二正极分别设置于封胶凹槽的相邻两边的外侧，所述二焊区负极包括第一负极和第二负极，所述第一负极和第二负极分别设置于封胶凹槽的相邻的另外两边的外侧，所述固晶区上设有若干半导体晶片，所述半导体晶片四周设有围坝胶，所述半导体晶片通过金线连接，该半导体晶片的顶部设有封装装置。 进一步地，所述固晶区外的一侧设有电源正极焊盘，其另一侧设有电源负极焊盘。 进一步地，所述封装装置为硅胶。 本技术提供了一种LED光源，其主要具有的有益效果为:采用红铜基板，导热系数高达380W/MK，从根本上解决大瓦数LED导热瓶颈；且基板采用热电分离技术，热传导与电传导相互独立，互不干扰。并且采用围坝方式封胶，杜绝缝隙，提高可靠性。此外，该LED光源杜绝了 LED光源出现胶裂、死灯现象。 【专利附图】【附图说明】 下面根据附图对本技术作进一步详细说明。 图1是本技术实施例所述的LED光源的结构示意图； 图2是本技术实施例所述的固晶区的放大截面图。 【具体实施方式】 如图1所示(为了更清晰显示该LED光源的结构，该图1略去了封装装置117)，本技术实施例所述的一种LED光源，包括固晶区11，所述固晶区11设置于红铜基板I上，采用红铜基板，导热系数高达380W/MK，从根本上解决大瓦数LED导热瓶颈；且基板采用热电分离技术，热传导与电传导相互独立，互不干扰；该固晶区11为四方形，固晶区11的四周外缘处设有包围所述固晶区11的封胶凹槽112，所述封胶凹槽112外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极115和第二正极116，所述第一正极115和第二正极116分别设置于封胶凹槽112的相邻的两个边的外侦1J,所述二焊区负极包括第一负极113和第二负极114，所述第一负极113和第二负极114分别设置于封胶凹槽112的另外两个相邻的边的外侧，所述固晶区11上设有若干半导体晶片111，即在封胶凹槽112内设有多个半导体晶片111，如图2所示，所述半导体晶片111的底部与固晶区通过连接胶层118固定连接，为了进一步杜绝缝隙，提高可靠性，在半导体晶片111的四周还设有围坝胶119进行围坝，所述半导体晶片11通过金线连接，该连接包括串联和并联，该半导体晶片111的顶部设有封装装置117。 作为进一步优选地，所述固晶区11外的一侧设有电源正极焊盘12，其另一侧设有电源负极焊盘13。 作为进一步优选地，所述封装装置117为硅胶。 具体实施时，晶片正极与第一正极115或第二正极116连接均可，晶片负极与第一负极113或第二负极114连接均可；通过半导体晶片之间的10串10并的连接，可以得到10ff的LED灯。本技术采用高可靠性、高光效之100WLED光源，替换300W卤素灯和传统100WLED灯具。 本技术不局限于上述最佳实施方式，任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种LED光源，包括固晶区，其特征在于:所述固晶区设置于红铜基板上，该固晶区为四方形，固晶区的外缘处设有包围所述固晶区的封胶凹槽，所述封胶凹槽外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极和第二正极，所述第一正极和第二正极分别设置于封胶凹槽的相邻两边的外侧，所述二焊区负极包括第一负极和第二负极，所述第一负极和第二负极分别设置于封胶凹槽的相邻的另外两边的外侧，所述固晶区上设有若干半导体晶片，所述半导体晶片四周设有围坝胶，所述半导体晶片通过金线连接，该半导体晶片的顶部设有封装装置。2.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于:所述固晶区外的一侧设有电源正极焊盘，其另一侧设有电源负极焊盘。3.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于:所述封装装置为硅胶。【文档编号】H01L33/64GK204088311SQ201420370456【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月3日 优先权日:2014年7月3日 【专利技术者】李二成, 安辉, 钟桂源, 徐国安 申请人:深圳市德润达光电有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED光源，包括固晶区，其特征在于：所述固晶区设置于红铜基板上，该固晶区为四方形，固晶区的外缘处设有包围所述固晶区的封胶凹槽，所述封胶凹槽外设有二焊区电极，该二焊区电极包括二焊区正极和二焊区负极，所述二焊区正极包括第一正极和第二正极，所述第一正极和第二正极分别设置于封胶凹槽的相邻两边的外侧，所述二焊区负极包括第一负极和第二负极，所述第一负极和第二负极分别设置于封胶凹槽的相邻的另外两边的外侧，所述固晶区上设有若干半导体晶片，所述半导体晶片四周设有围坝胶，所述半导体晶片通过金线连接，该半导体晶片的顶部设有封装装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李二成，安辉，钟桂源，徐国安，
申请(专利权)人：深圳市德润达光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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