一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器制造技术

技术编号:12072936 阅读:98 留言:0更新日期:2015-09-18 08:45
本实用新型专利技术公开了一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体、密封盖装组件、探测器芯体,筒体的底部设置有一个减震垫,密封盖装组件的中部开设有电缆管道,密封盖装组件通过螺钉与所述筒体固定连接并形成一个密封的腔体,探测器芯体包括芯体壳、连接板、保护支架、缓压防震垫、光电信号转换处理装置,芯体壳底部设有缓压防震垫,保护支架焊接固定于芯体壳上,连接板上设有提手,所述提手通过螺钉与所述芯体壳固定相连,所述芯体壳内设置有集成电路板,在所述集成电路板上设置有限流电路。本实用新型专利技术与现有的探测器相比,结构简单、安装维护方便,使用安全性高,内部的限流电路结构自身功耗小,适用于在核辐射式粉尘流量探测器中应用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种核辐射式粉尘流量探测器,尤其涉及一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器
技术介绍
放射源的应用日益渗透到生产生活的许多方面。利用放射线进行计测,从而测定被计测物的厚度、能级、密度、水分等的放射线应用计测器己被公知。放射线应用计测器一般包含探测器和放射源两个部分,放射源发出的射线穿透被计测物强度会衰减,探测器则根据接收到的放射线强度转化成不同强度的电信号,交由处理器处理,从而测定出被计测物的密度。目前现有的探测器技术虽然已经取得了很高的进步,但是让然存在探测精度低,结构复杂、体积过大等弊端。便携式探测器的部分电路所需电流较小,因此在缩小探测器体积的同时就需要对电流进行限制,现有技术的限流电路一般是通过双极型晶体管或电阻构建限流限流电路,这种限流电路自身的功耗较大,在集成电路里双极型晶体管或电阻在半导体集成电路里面所占面积较大,不利于集成电路在核辐射式粉尘流量探测器中的应用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,解决现有技术存在的缺憾。本技术采用如下技术方案实现:一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体、密封盖装组件、探测器芯体,其特征在于,所述筒体的底部设置有一个减震垫,所述密封盖装组件的中部开设有电缆管道,密封盖装组件通过螺钉与所述筒体固定连接并形成一个密封的腔体,所述探测器芯体包括芯体壳、连接板、保护支架、缓压防震垫、光电信号转换处理装置,所述芯体壳底部设有缓压防震垫,保护支架焊接固定于所述芯体壳上,连接板上设有提手,所述提手通过螺钉与所述芯体壳固定相连,所述芯体壳内设置有集成电路板,在所述集成电路板上设置有限流电路,包括电压源、输入端和输出端、第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第一电阻、恒流源和NPN晶体管,所述电压源与第一 PNP晶体管的源极和第二 PNP晶体管的源极连接,并通过第一电阻连接至第一 PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的漏极,所述输入端连接至第一 PMOS晶体管的漏极和第二 PMOS晶体管的栅极,第二 PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极通过恒流源连接至输出端。进一步的,所述第一 PMOS晶体管和第二 PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。本技术的有益技术效果是:与现有的探测器相比,结构简单、体积小、精度高,安装维护方便,使用安全性高,内部的限流电路结构简单,自身功耗小,适用于在核辐射式粉尘流量探测器中应用。 【附图说明】图1是核辐射式粉尘流量探测器的整体结构示意图。图2是限流电路的电路原理图。【具体实施方式】通过下面对实施例的描述,将更加有助于公众理解本技术,但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本技术技术方案的限制,任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本技术的技术方案所限定的保护范围。如图1和图2所示的设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体1、密封盖装组件2、探测器芯体3,筒体I的底部设置有一个减震垫4,密封盖装组件2的中部开设有电缆管道5,密封盖装组件2通过螺钉与筒体I固定连接并形成一个密封的腔体,探测器芯体3包括芯体壳6、连接板7、保护支架8、缓压防震垫9、光电信号转换处理装置10,芯体壳6的底部设有缓压防震垫9,保护支架8焊接固定于芯体壳6上,连接板7上设有提手11,提手11通过螺钉与芯体壳6固定相连,芯体壳6内设置有集成电路板,在集成电路板上设置有限流电路,包括电压源VDD、输入端IN和输出端OUT、第一 PMOS晶体管P1、第二 PMOS晶体管P2、第一电阻R1、恒流源Il和NPN晶体管NI,电压源VDD与第一 PNP晶体管Pl的源极和第二 PNP晶体管P2的源极连接,并通过第一电阻Rl连接至第一 PMOS晶体管Pl的栅极和NMOS晶体管NI的漏极,输入端IN连接至第一 PMOS晶体管Pl的漏极和第二 PMOS晶体管P2的栅极,第二 PMOS晶体管P2与NMOS晶体管NI的栅极通过恒流源Il连接至输出端0UT,第一 PMOS晶体管Pl和第二 PMOS晶体管P2为参数相同的PMOS晶体管。当然,本技术还可以有其他多种实施例,在不背离本技术精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可以根据本技术做出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本技术所附的权利要求的保护范围。【主权项】1.一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体、密封盖装组件、探测器芯体,其特征在于,所述筒体的底部设置有一个减震垫,所述密封盖装组件的中部开设有电缆管道,密封盖装组件通过螺钉与所述筒体固定连接并形成一个密封的腔体,所述探测器芯体包括芯体壳、连接板、保护支架、缓压防震垫、光电信号转换处理装置,所述芯体壳底部设有缓压防震垫,保护支架焊接固定于所述芯体壳上,连接板上设有提手,所述提手通过螺钉与所述芯体壳固定相连,所述芯体壳内设置有集成电路板,在所述集成电路板上设置有限流电路,包括电压源、输入端和输出端、第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第一电阻、恒流源和NPN晶体管,所述电压源与第一 PNP晶体管的源极和第二 PNP晶体管的源极连接,并通过第一电阻连接至第一 PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的漏极,所述输入端连接至第一 PMOS晶体管的漏极和第二 PMOS晶体管的栅极,第二 PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极通过恒流源连接至输出端。2.根据权利要求1所述的设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,其特征在于,所述第一 PMOS晶体管和第二 PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。【专利摘要】本技术公开了一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体、密封盖装组件、探测器芯体,筒体的底部设置有一个减震垫,密封盖装组件的中部开设有电缆管道,密封盖装组件通过螺钉与所述筒体固定连接并形成一个密封的腔体,探测器芯体包括芯体壳、连接板、保护支架、缓压防震垫、光电信号转换处理装置,芯体壳底部设有缓压防震垫,保护支架焊接固定于芯体壳上,连接板上设有提手,所述提手通过螺钉与所述芯体壳固定相连,所述芯体壳内设置有集成电路板,在所述集成电路板上设置有限流电路。本技术与现有的探测器相比,结构简单、安装维护方便,使用安全性高,内部的限流电路结构自身功耗小,适用于在核辐射式粉尘流量探测器中应用。【IPC分类】G01F1/66【公开号】CN204649250【申请号】CN201520279575【专利技术人】吴铁洲, 廖继亮 【申请人】南京中纽科技有限公司【公开日】2015年9月16日【申请日】2015年5月4日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设置有限流电路的核辐射式粉尘流量探测器,包括筒体、密封盖装组件、探测器芯体,其特征在于,所述筒体的底部设置有一个减震垫,所述密封盖装组件的中部开设有电缆管道,密封盖装组件通过螺钉与所述筒体固定连接并形成一个密封的腔体,所述探测器芯体包括芯体壳、连接板、保护支架、缓压防震垫、光电信号转换处理装置,所述芯体壳底部设有缓压防震垫,保护支架焊接固定于所述芯体壳上,连接板上设有提手,所述提手通过螺钉与所述芯体壳固定相连,所述芯体壳内设置有集成电路板,在所述集成电路板上设置有限流电路,包括电压源、输入端和输出端、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电阻、恒流源和NPN晶体管,所述电压源与第一PNP晶体管的源极和第二PNP晶体管的源极连接,并通过第一电阻连接至第一PMOS晶体管的栅极和NMOS 晶体管的漏极,所述输入端连接至第一PMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的栅极,第二PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极通过恒流源连接至输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴铁洲廖继亮
申请(专利权)人:南京中纽科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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