一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑制造技术

技术编号:12027200 阅读:161 留言:0更新日期:2015-09-10 11:51
本实用新型专利技术提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,能迅速切断故障电流,从而避免了交流断路器动作,缩短了直流故障清除时间。由3个IGBT、4个二极管和一个电容组成,具体包括:两个IGBT T1、T2与两个二极管D1、D2构成逆变半桥;在此半桥中增加了一个IGBT T3和两个二极管D3、D4,T3和T2反向串联,T3和D3反向并联,二极管D4反向并联于D1阴极与D3阴极。当子模块正常工作时所述IGBT T3一直处于导通状态,当子模块出现故障时,故障信息被反馈到子模块控制器,子模块控制器发出控制信号,关断所有IGBT,穿越直流故障。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及MMC换流器领域,尤其是一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑
技术介绍
模块化多电平换流器技术即MMC具有交流输出电压谐波畸变率低,模块化结构易于封装,开关器件承受的电气应力小,开关损耗低等优点。其子模块拓扑结构对于MMC系统功能具有至关重要的作用,然而现有的半桥型、全桥型和箝位型子模块拓扑结构存在直流故障问题,若要解决需要较高成本。本技术的子模块拓扑利用电力电子器件快速开关的特性,较好的解决了 MMC直流侧故障问题,对永久性和暂时性直流故障均具有快速切除故障电流的能力,适合多端和长距离空线直流输电场合。
技术实现思路
本技术提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,能迅速切断故障电流,从而避免了交流断路器动作,缩短了直流故障清除时间。本技术提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,由3个IGBT、4个二极管和一个电容组成,具体包括:两个IGBT T1、T2与两个二极管D1、D2构成逆变半桥;在此半桥中增加了一个IGBT T3和两个二极管D3、D4,T3和T2反向串联,T3和D3反向并联,二极管D4反向并联于Dl阴极与D3阴极。当子模块正常工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
本实用新型提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,由3个IGBT、4个二极管和一个电容组成,其特征在于,两个IGBT T1、T2与两个二极管D1、D2构成逆变半桥,在此半桥中增加了一个IGBT T3和两个二极管D3、D4,T3和T2反向串联,T3和D3反向并联,二极管D4反向并联于D1阴极与D3阴极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张冬雷杨方泽
申请(专利权)人:安徽理工大学
类型:新型
国别省市:安徽;34

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