本实用新型专利技术提供一种干式电容型短尾式GIS套管。针对现有的干式高压GIS套管材料损耗严重、生产周期长、通用、多用性极低的问题。本实用新型专利技术的干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆、设置在导电杆外部的套管芯体以及均压密封盖和套管法兰，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构，其特征是：所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为2-4级的台阶状。本实用新型专利技术能减轻套管重量，适应狭小空间安装、节约生产材料、生产周期短、多用性强、安装便利。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
:本专利技术涉及一种干式电容型短尾式GIS套管，属于电气套管配套设备
技术介绍
:目前传统的干式高压GIS(即气体绝缘金属封闭开关设备)套管尾部绝缘结构为保证芯体内部电气性能，相应的增加了油中或气中的长度，这就使尾部长度比较大，同时也造成了安装GIS套管需要较大的空间。因为传统的干式高压GIS套管尾部长，套管重量相应变大，与之相配套的金属壳体就要增大尺寸，来满足支撑套管重量和安装空间，而且金属壳体必须与套管配套。传统的干式高压GIS套管材料损耗严重、生产周期长、通用、多用性极低。
技术实现思路
:本专利技术的目的是针对上述存在的问题提供一种干式电容型短尾式GIS套管，能减轻套管重量，适应狭小空间安装、节约生产材料、生产周期短、多用性强、安装便利。上述的目的通过以下的技术方案实现:干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆、设置在导电杆外部的套管芯体以及均压密封盖和套管法兰，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构，所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为1-4级的台阶状。所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的套管尾部设置有均压球。所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的套管法兰上设置有测量端子。 所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的均压密封盖与所述的导电杆之间设置有O形密封圈。有益效果:本专利技术内部电容屏采用倒立式方法进行铺设。GIS套管的法兰下端就是尾部，尾部芯体没有电容屏，长度大大缩小。尾部芯体在机械加工时，车制一定数量的台阶，来满足爬距要求。套管尾部缩短，可以实现多用，适应狭小空间安装，达到套管重量轻、生产周期短、节约生产材料、多用途的目的，在保证干式高压GIS套管性能的基础上，使套管减轻重量，适应狭小空间安装、节约生产材料、生产周期短、多用性强、安装便利。【附图说明】:图1是本专利技术剖面结构示意图。图1中:1、均压密封盖；2、0形密封圈；3、伞裙结构；4、套管芯体；5、电容屏；6、测量端子；7、套管法兰；8、均压球；9、导电杆。【具体实施方式】:如图1所示:本专利技术的干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆9、设置在导电杆外部的套管芯体4以及均压密封盖I和套管法兰7，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构3，所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏5，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为1-4级的台阶状。所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的套管尾部设置有均压球8。所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的套管法兰上设置有测量端子6。所述的干式电容型短尾式GIS套管，所述的均压密封盖与所述的导电杆之间设置有O形密封圈2。实施例1:本干式电容型短尾式GIS套管主要由1、均压密封盖；2、0形密封圈；3、伞裙结构；4、套管芯体；5、电容屏；6、测量端子；7、套管法兰；8、均压球；9、导电杆。电容屏的铺设与传统不一样，采用倒立的方式布置。法兰以下的长度因为采用了倒立式电容屏而大大减小，整个结构具有能减轻套管重量，适应狭小空间安装、节约生产材料、生产周期短、多用性强、安装便利的优点。选Φ 70的铝质导杆作为O号电屏，导电杆经过打磨，在外部分布14个半导体电屏，电屏间的绝缘厚度为2mm，半导体电屏的厚度为0.14mm，总的绝缘厚度39.2mm，芯体外径Φ 160，平均场强在4.16kV/mm，最大场强在5.73kV/mm，位于没有屏的位置。电容屏分布从I均压密封盖开始，第一个梯差为200mm，卷制第I屏长度为600mm ；第二个梯差为45mm，也就是在第I屏600mm的基础上，从首端再让出45mm，卷制第2屏长度为610_，以此类推，电容屏逐层往下卷制。在芯体卷制完毕后，芯体进行车加工，尾部进行两个台阶的加工，加工两个台阶后，沿面距离增加，相应的爬电距离也就增加。实施例2:本实施例主体结构与实施例1 一致，选Φ70的销质导杆作为O号电屏，导电杆经过打磨，在外部分布14个半导体电屏，电屏间的绝缘厚度为2.0mm,半导体电屏的厚度为0.1mm,总的绝缘厚度27.2mm，半导体电屏的厚度为0.1mm,总的绝缘厚度27.2mm，芯体外径Φ 135，平均场强在3.39kV/mm，最大场强在5.63kV/mm，位于没有屏的位置。电容屏分布从I均压密封盖开始，第一个梯差为200mm，卷制第I屏长度为590mm ；第二个梯差为45mm，也就是在第I屏590mm的基础上，从首端再让出45mm，卷制第2屏长度为600_，以此类推，电容屏逐层往下卷制。在芯体卷制完毕后，芯体进行车加工，尾部进行两个台阶的加工，加工两个台阶后，沿面距离增加，相应的爬电距离也就增加。本专利技术方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征等同替换所组成的技术方案。本专利技术的未尽事宜，属于本领域技术人员的公知常识。【主权项】1.一种干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆、设置在导电杆外部的套管芯体以及均压密封盖和套管法兰，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构，其特征是:所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为1-4级的台阶状。2.根据权利要求1所述的干式电容型短尾式GIS套管，其特征是:所述的套管尾部短而且设置有均压球。3.根据权利要求1或2所述的干式电容型短尾式GIS套管，其特征是:所述的套管法兰上设置有测量端子。4.根据权利要求1或2所述的干式电容型短尾式GIS套管，其特征是:所述的均压密封盖与所述的导电杆之间设置有O形密封圈。【专利摘要】本技术提供一种干式电容型短尾式GIS套管。针对现有的干式高压GIS套管材料损耗严重、生产周期长、通用、多用性极低的问题。本技术的干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆、设置在导电杆外部的套管芯体以及均压密封盖和套管法兰，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构，其特征是：所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为2-4级的台阶状。本技术能减轻套管重量，适应狭小空间安装、节约生产材料、生产周期短、多用性强、安装便利。【IPC分类】H02B13/035【公开号】CN204633212【申请号】CN201520319234【专利技术人】孙闻峰, 蔡培荣, 辛万鹏 【申请人】南京电气高压套管有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年5月18日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种干式电容型短尾式GIS套管，包括导电杆、设置在导电杆外部的套管芯体以及均压密封盖和套管法兰，所述的套管芯体外部设置有伞裙结构，其特征是：所述的套管芯体里面采用倒立式布置一组电容屏，所述的电容屏设置在所述的套管芯体里面位于均压密封盖和套管法兰之间，所述的法兰下端的芯体为1‑4级的台阶状。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙闻峰，蔡培荣，辛万鹏，
申请(专利权)人：南京电气高压套管有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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