一种低电压低静态电流LDO电路制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路技术领域，尤其是一种低电压低静态电流LDO电路。它包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；其中，第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻构成带隙基准电路，第四三极管和第七MOS管构成偏置电路，第五MOS管、第八MOS管和第九MOS管构成启动电路，第八MOS管和第九MOS管构成反相器。本实用新型专利技术与传统结构LDO相比，通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一获得精简结构的LDO电路，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低最大暂态电压变化，延长了电池的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，尤其是一种低电压低静态电流LDO电路。
技术介绍
随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器(LDO)因其具有低功耗、高的电压抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。LDO大部分时间工作在低负载应用，因此，其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。传统LDO采用分立结构的带隙基准电压源和误差放大器，不易实现低静态电流消耗，暂态输出特性不稳定性，带来较大的输出电压暂态变化，导致电池的寿命降低。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的不足，本技术的目的在于提供一种结构简单、易实现低静态电流消耗，同时获得较好暂态输出电压性能的低电压低静态电流LDO电路。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案:一种低电压低静态电流LDO电路，它包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；所述第一 MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第二MOS管的栅极、漏极通过第二电阻连接所述第二三极管的集电极；所述第二 MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第一 MOS管的栅极和第三MOS管的漏极；所述第三MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四MOS管的漏极、栅极连接所述第五MOS管的栅极；所述第四MOS管的源极接地、栅极连接所述第六MOS管的漏极和第三三极管的集电极；所述第五MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第六MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第七MOS管的栅极和漏极；所述第七MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四三极管的集电极；所述第八MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第九MOS管的栅极和第七MOS管的漏极、漏极连接所述第九MOS管的漏极和第五MOS管的栅极；所述第九MOS管的源极接地、栅极连接所述第四三极管的集电极；所述第一三极管的集电极通过第三电阻分两支路，一支路连接所述第一 MOS管的漏极、另一支路依次通过第一电容和第四电阻接地，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的基极和集电极、集电极连接所述第三三极管的基极、发射极通过第一电阻接地；所述第三三极管的源极接地、集电极连接所述第四MOS管的栅极和第六MOS管的漏极；所述第四三极管的发射极接地、基极连接所述第一三极管的基极和第二三极管的基极。由于采用了上述方案，本技术与传统结构LDO相比，通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一获得精简结构的LDO电路，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低最大暂态电压变化。【附图说明】图1是本技术实施例的电路结构图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的实施例进行详细说明，但是本技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。如图1所不，本实施例的一种低电压低静态电流LDO电路，它包括第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一三极管Ql、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4。第一 MOS管Ml的源极连接电源电压VDD、栅极连接第二 MOS管M2的栅极、漏极通过第二电阻R2连接第二三极管Q2的集电极。第二 MOS管M2的源极连接电源电压VDD、漏极连接第一 MOS管Ml的栅极和第三MOS管M3的漏极。第三MOS管的源极连接电源电压VDD、漏极连接第四MOS管M4的漏极、栅极连接第五MOS管M5的栅极。第四MOS管M4的源极接地、栅极连接第六MOS管M6的漏极和第三三极管M3的集电极。第五MOS管M5的源极连接电源电压VDD、漏极连接第六MOS管M6的漏极。第六MOS管M6的源极连接电源电压VDD、栅极连接第七MOS管M7的栅极和漏极。第七MOS管M7的源极接电源电压VDD、漏极连接第四三极管Q4的集电极。第八MOS管M8的源极连接电源电压VDD、栅极连接第九MOS管M9的栅极和第七MOS管M7的漏极、漏极连接第九MOS管M9的漏极和第五MOS管M5的栅极。第九MOS管M9的源极接地、栅极连接第四三极管Q4的集电极。第一三极管Ql的集电极通过第三电阻R3分两支路，一支路连接第一 MOS管Ml的漏极、另一支路依次通过第一电容Cl和第四电阻R4接地，第一三极管Ql的发射极接地。第二三极管Q2的基极连接第一三极管Ql的基极和集电极、集电极连接第三三极管Q3的基极、发射极通过第一电阻Rl接地。第三三极管Q3的源极接地、集电极连接第四MOS管M4的栅极和第六MOS管M6的漏极。第四三极管Q4的发射极接地、基极连接第一三极管Ql的基极和第二三极管Q2的基极。其中，第一电容Cl为输出负载补偿电容，第一 MOS管M1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻Rl至第四电阻R4和第一电容Cl构成LDO的输出级，是一个共源极电路，为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定，输出补偿电容取5uF。第一三极管Ql，第二三极管Q2，第三三极管Q3和第一电阻Rl，第二电阻R2，第三电阻R3构成带隙基准电路，第三三极管Q3和第六MOS管M6构成一个共集电极的电路，为环路提供尚增益。第二 MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4构成缓冲级，不仅获得低的输出阻抗，同时能使整个闭环电路构成一个负反馈；第三MOS管M3的作用是在低负载电流的情况是为第四MOS管M4提供一些偏置电流，提高带隙基准电压的精确度。第四三极管Q4和第七MOS管M7构成偏置电路，通过偏置电路使得第一三极管Ql和第三三极管Q3有相等的集电极电流?’第五MOS管M5、第八MOS管M8和第九MOS管M9构成LDO的启动电路，在刚有电压输入情况下，第八MOS管M8和第九MOS管M9构成一个反相器，输出一个低电压信号，使第五MOS管M5导通来启动整个电路。本实施例通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一成精简的LD0，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低了暂态电压变化，延长了电池的使用寿命。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种低电压低静态电流LDO电路，其特征在于:它包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管； 所述第一 MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第二MOS管的栅极、漏极通过第二电阻连接所述第二三极管的集电极； 所述第二 MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第一 MOS管的栅极和第三MOS管的漏极； 所述第三MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四MOS管的漏极、栅极连接所述第五MOS管的栅极； 所述第四MOS管的源极接地、栅极连接所述第六MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压低静态电流LDO电路，其特征在于：它包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；所述第一MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第二MOS管的栅极、漏极通过第二电阻连接所述第二三极管的集电极；所述第二MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的漏极；所述第三MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四MOS管的漏极、栅极连接所述第五MOS管的栅极；所述第四MOS管的源极接地、栅极连接所述第六MOS管的漏极和第三三极管的集电极；所述第五MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第六MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第七MOS管的栅极和漏极；所述第七MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四三极管的集电极；所述第八MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第九MOS管的栅极和第七MOS管的漏极、漏极连接所述第九MOS管的漏极和第五MOS管的栅极；所述第九MOS管的源极接地、栅极连接所述第四三极管的集电极；所述第一三极管的集电极通过第三电阻分两支路，一支路连接所述第一MOS管的漏极、另一支路依次通过第一电容和第四电阻接地，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的基极和集电极、集电极连接所述第三三极管的基极、发射极通过第一电阻接地；所述第三三极管的源极接地、集电极连接所述第四MOS管的栅极和第六MOS管的漏极；所述第四三极管的发射极接地、基极连接所述第一三极管的基极和第二三极管的基极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：樊利平，陈泽尘，
申请(专利权)人：安庆富士电梯有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34